推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:31
预计193nm光刻胶市场将迅猛增长
根据咨询公司Linx Consulting的报告,193nm光刻胶市场预计将在未来五年内获得27%的符合年均增长率,到2013年将达近12亿美元。
193nm光刻胶市场,包括干法和沉浸式,是先进光刻及制版市场上最具成长潜力的市场。2008年,该市场约为3.78亿美元。
目前在该市场上,三家日本供应商占据领先位置,分别是JSR Corp.、Tokyo Ohka Kogyo Co.和Shin-Etsu Chemical Co.,这三家公司市场份额总和达78%,并将在未来巩固领先的地位。
[半导体设计/制造]
晶瑞股份引进了行业高端人才,布局半导体光刻胶逐步提速
近期以来,半导体行业板块在二级市场表现较为强势,尤其是受益于晶圆厂扩产、国产替代进程等因素带动,光刻胶概念股出现大幅拉升,市场情绪较为激动。 无独有偶,日前,在一个半导体行业的微信群内,关于行业正在就国内半导体领域紧缺的“光刻胶”高端耗材国产化进行交流时,方正证券首席电子分析师陈杭与中芯国际光刻工程师发生激烈“碰撞”,也引发市场的热议。 事实上,作为半导体光刻核心耗材,光刻胶国产化率明显偏低,其市场主要被日本合成橡胶(JSR)、东京应化(TOK)、信越化学、陶氏化学等所主导。而在去年的新一轮《瓦森纳协定》修订中,增加了两条有关半导体领域的出口管制内容,主要涉及光刻软件以及12英寸晶圆技术,目标直指中国正在崛起的半导体产业。 新版《
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国家科技重大专项极紫外光刻胶项目通过验收
5月24日,国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项(以下简称02重大专项)实施管理办公室组织任务验收专家组、财务验收专家组对02重大专项“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目进行了任务验收和财务验收。与会专家听取了项目负责人和课题负责人对项目和课题完成情况的汇报、测试组的现场测试报告、财务执行情况报告等,审阅了验收资料。经过认真讨论,与会专家一致同意该项目通过验收。 《国家中长期科学技术发展规划纲要(2006-2020年)》在重点领域中确定一批优先主题的同时,围绕国家目标,进一步突出重点,筛选出若干重大战略产品、关键共性技术或重大工程作为重大专项,力争取得突破,努力实现以科技发展的局部跃升带动生产力的
[半导体设计/制造]
三星推出新工艺,7nm工艺将上EUV极紫外光刻
Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的,比如同样标称10nm,自己要比三星、台积电的领先整整一代,但是没办法,人家的脚步要快得多。今天,三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus),并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。 三星11LPP工艺不是全新的,而是14nm、10nm的融合,一方面采用10nm BEOL(后端工艺),可以大大缩小芯片面积,另一方面则沿用14nm LPP工艺的部分元素。 三星于2016年10月投产10LPE(10nm Low Power Early),并已准备好即将投产10LPP(10nm Low Power Plus),主要为智能手
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日本光刻胶大厂旭化成工厂发生爆炸
据日本媒体报道,3月1日下午14时左右,位于日本宫崎县延冈市水尻町的旭化成集团“Kayak Japan”东海工厂发生爆炸和火灾。 据旭化成延冈分公司称,这个工厂主要制造炸隧道或矿山等工程用和国防用的火药材料,爆炸发生在厂内的实验设施内。目前已确认至少有一人受伤,而另一人失踪。具体爆炸原因还在调查中。 该工厂是否涉及光刻胶等业务还待进一步跟踪调查。 爆炸还对工厂附近的几处住宅造成了轻微的基础设施损坏。距离JR延冈车站东北方约5公里处,有多座工厂的地带。 事发在当地将近下午2时(北京时间下午1时),距离JR延冈车站东北方约5公里处,有多座工厂的地带。事发地点周边有多家民房的窗户玻璃被震碎。 旭化成还是全球光刻胶主要
[半导体设计/制造]
EUV光刻胶的材料已获批
日本方面在东京都港区国家印刷局的公告栏上公布“韩国”将从优惠国家名单中删除,将在颁布后于本月28日生效。然而正式公布之后的第二天,日韩关系再次出现大反转。 8月8日,据日经新闻报道,日本政府决定向韩国出口一些半导体制造材料,这是自日本在7月份加强对韩国的产品出口管制以来的第一批此类批准。 经过日本经济产业省审查,这些获准出关的半导体材料,确定没有用于军事用途的风险,但即使在本轮恢复出口后,日企往后每次发货都将面临同样的繁文缛节的审查程序。 目前,日企向中国大陆和台湾出口的半导体材料也需取得出口审批,但光阻剂和氟氟聚酰亚胺的日本出口商,向台湾与大陆出货可获得全面批准,在三年内简化海关手续。 此批准将让韩国的芯片
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南大光电:ArF光刻胶有小批量订单,市场拓展工作正在抓紧推进
4月1日,南大光电在投资者互动平台表示,目前ArF光刻胶有小批量订单,尚未规模量产,市场拓展工作正在抓紧推进。 从业绩来看,2021年,南大光电归属于母公司所有者的净利润1.36亿元,同比增长56.55%;营业收入9.84亿元,同比增长65.46%;基本每股收益0.34元,同比增长54.55%。 一季报显示,南大光电预计一季度归属于上市公司股东的净利润7000万元–8300万元,同比增长64..33%-94.85%;扣除非经常性损益后的净利润5400万元–6700万元,同比增长67.57%-107.92%。 2022年第一季度,公司主营收入和归母净利润继续保持高速增长。MO源业务在产能扩大、品质提升和毛利提高的基础上,通过技术
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Intel 4工艺官宣大规模量产 第一次采用EUV极紫外光刻
Intel官方宣布,已经开始采用EUV极紫外光刻技术,大规模量产Intel 4制造工艺。这是Intel首个采用EUV生产的制程节点,对比前代在性能、能效、晶体管密度方面均实现了显著提升。Intel 4工艺首发用于代号Meteor Lake的酷睿Ultra处理器,将在12月14日正式发布,面向主流和轻薄笔记本。 目前,Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。 其中,Intel 7和Intel 4已实现大规模量产,前者用于12/13/14代酷睿。 Intel 3正在按计划推进,目标是2023年底。 明年上半年,Intel将推出首个采用Inte 3工艺的Sierra Forest至强处理器,基于E核架构,最多288核心,随后是同
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