三星推出新工艺,7nm工艺将上EUV极紫外光刻

发布者:丝路老君最新更新时间:2017-10-09 来源: 互联网关键字:7nm  EUV 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的,比如同样标称10nm,自己要比三星、台积电的领先整整一代,但是没办法,人家的脚步要快得多。今天,三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus),并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。


三星11LPP工艺不是全新的,而是14nm、10nm的融合,一方面采用10nm BEOL(后端工艺),可以大大缩小芯片面积,另一方面则沿用14nm LPP工艺的部分元素。


三星于2016年10月投产10LPE(10nm Low Power Early),并已准备好即将投产10LPP(10nm Low Power Plus),主要为智能手机制造芯片,14nm工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。

下一步,三星还会增加14LPU、10LPU版本。


11LPP工艺将填补三星14nm、10nm之间的空白,号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺提升15%的性能,或者降低10%的功耗,另外晶体管密度也有所提高。


三星计划2018年上半年投产11LPP工艺。


未来,三星还一路准备了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工艺,其中7nm 7LPP版本会全面融合EUV极紫外光刻,确认2018年下半年试产。


另有报道称,在那之前的明年上半年,三星会首先在8LPP工艺的特定层上使用EUV。


三星表示,2014年以来,已经使用EUV技术处理了接近20万块晶圆,取得了丰硕成果,比如256Mb SRAM的良品率达到了80%。


关键字:7nm  EUV 引用地址:三星推出新工艺,7nm工艺将上EUV极紫外光刻

上一篇:IC咖啡西安站盛大开业!引领芯未来
下一篇:东芝出售芯片交易又被延期了

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 01:46

传SK海力士计划在1a级 DRAM中引入EUV技术
据韩媒报道,SK海力士公司内部人士透露,该公司已开始研发第四代10纳米级DRAM,内部代号为“南极星”(Canopus),预计将在制程中导入EUV光刻技术。 目前,SK海力士最先进的DRAM产品主要围绕1Y纳米、1Z纳米制造工艺,该公司计划在今年下半年将这两种工艺比重提高到40%。此外,SK海力士将继续推进DRAM的制造技术。 报道指出,“Canopus”将是SK海力士迄今面临的最关键项目之一,因为这是该公司首度应用EUV光刻技术生产DRAM。不过一位消息人士指出:“当下最重要的问题是,SK海力士能否通过使用EUV技术确保其产品的竞争力。” 根据此前报道,三星3月份宣布,已出货100
[手机便携]
Intel官宣开发RISC-V处理器:明年首发7nm工艺
近日业界盛传,Intel计划以20亿美元收购RISC-V IP供应商SiFive——后者的产品已被80多家公司采纳,设计了200多种产品,出货量极大,广泛用于各种加速器。 虽然双方对于收购都拒绝置评,但深入合作已经展开。 Intel官方宣布,将会打造自己的RISC-V开发平台“Horse Creek”,基于SiFive最新的高性能核心Performance P550,而且还会采用自己的下一代7nm工艺。 同时,Intel也将对外开放SiFive IP的代工制造服务,同样使用7nm工艺。 SiFive Performance P550核心是其性能最强的IP,SPEC2006int测试单位GHz的成绩达到了8.6
[嵌入式]
Intel官宣开发RISC-V处理器:明年首发<font color='red'>7nm</font>工艺
7nm高端DUV光刻机仍可出口!ASML订单爆满:今年销售激增30%
7月19日消息,ASML今天给出公告称,提高财年指引,预计净销售增长将达到30%,主要是光刻机订单爆满。 ASML的第二季度订单额为45亿欧元,市场预计为39.8亿欧元。预计第三季度净销售额为65亿欧元至70亿欧元,市场预测为65.1亿欧元。 之前,ASML在其官网发表声明称,该公司未来出口其先进的浸润式DUV光刻系统(即TWINSCAN NXT:2000i及后续浸润式系统)时,将需要向荷兰政府申请出口许可证。 ASML强调,该公司的EUV系统的销售此前已经受到限制。 据ASML官网提供的信息,该公司目前在售的主流浸没式DUV光刻机产品共有三款,分别是:TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN NXT:2000
[半导体设计/制造]
世芯7奈米HPC应用芯片需求旺
近来随着7奈米制程成熟,及HPC/AI芯片市场需求火热,世芯电子(3661)屡获日本、中国及欧美客户的HPC/AI设计案订单。世芯设计之首颗7奈米HPC高速运算ASIC芯片日前已成功投片(Tape-Out)验证成功,并开始进入量产供货。 身为先进制程IC设计服务的领导者,世芯已成功卡位AI人工智能及高速运算HPC市场,过去一年已完成多项高复杂度的高速运算相关设计。Allied Market Research预估,全球AI芯片市场规模将以45.4%年复合成长率(CAGR)由2017年45亿美元到2025年将达到近912亿美元。世芯看好此一趋势发展,将以优异的客制化设计服务及量产解决方案全力抢攻全球先进制程AI芯片市场。 世芯
[半导体设计/制造]
台积电第四季7nm营收可占七成
集微网消息, 台积电预期,今年第4季7nm营收占比可达二成,全年营收占比可达10%,营收与客户规模傲视同业。 台积电透露,该公司7nm效能和功耗都优于同业,客户需求超乎预期,这些客户涵盖手机应用处理器、网络处理器、可编程逻辑组件、图形处理器和游戏机特殊应用IC,以及挖矿芯片、人工智能等高速运算芯片。 台积电指出,旗下7nm和7nm强化版都照既定的行程推进,其中7nm制程,已有18个客户导入产品设计定案;至于导入极紫外光(EUV)的7nm强化版会于明年量产,全数采用极紫外光的5nm,则会在2020年量产。 台积电7nm制程已进入量产,下半年速度会加快,预估到今年第4季,7nm营收占比将提高到20%,7nm占全年营收比重可望达约10%
[手机便携]
4纳米大战,三星抢先用EUV、拥抱GAAFET
晶圆代工之战,7 纳米制程预料由台积电胜出,4 纳米之战仍在激烈厮杀。外媒称,三星电子抢先使用极紫外光(EUV)微影设备,又投入研发能取代“鳍式场效电晶体”(FinFET)的新技术,目前看来似乎较占上风。 Android Authority 报导,制程不断微缩,传统微影技术来到极限,无法解决更精密的曝光显像需求,必须改用波长更短的 EUV,才能准确刻蚀电路图。5 纳米以下制程,EUV 是必备工具。三星明年生产 7 纳米时,就会率先采用 EUV,这有如让三星在 6 纳米以下的竞赛抢先起跑,可望加快发展速度。 相较之下,台积电和格罗方德(GlobalFoundries)的第一代 7 纳米制程,仍会使用传统的浸润式微影技术,第二
[半导体设计/制造]
7nm ASIC时代即将到来,台积电蓄势待发
随着在半导体工业领域的技术进步,全面进入7nm时代即将到来。值得特别注意的是,专注于虚拟货币挖矿的ASIC矿机将有望率先使用更为先进的7nm制程。 又一家厂商发布7nm ASIC 据日刊工业新闻22日报导,日本新创企业Triple-1已完成采用7nm制程的半导体芯片“KAMIKAZE”的工程样品,该款产品是使用于虚拟货币挖矿机的ASIC芯片,在经过性能测试等作业后,将开始正式进行量产。 据报导,“KAMIKAZE”由Triple-1负责设计、并将委托台积电进行代工生产,和现行使用于一般挖矿机的16nm芯片相比,采用“KAMIKAZE”的挖矿机耗电可减半、处理速度增至约4倍。 另外,Triple-1也完成了搭载“KA
[半导体设计/制造]
东芝展望EUV量产在即 双图案化技术并用
东芝在荷兰阿斯麦(ASML)公司于2010年11月18日在东京举行的“ASML/BrionComputationalLithographySeminar2010”会议上,展望了引进EUV(超紫外线)曝光技术进行量产的前景。东芝统管光刻技术开发的东木达彦表示“即将采用EUV曝光技术量产(NAND闪存)”。不过,从曝光装置及曝光光刻胶等外围技术的开发进展情况来看,“EUV曝光技术可能要配合使用间隙壁工艺才能支持1Xnm工艺”(东木)。间隙壁工艺是双图案化(DoublePatterning)技术之一,东芝目前正在采用这种工艺量产基于浸没ArF曝光技术的NAND闪存。 东木首先表示,“虽然我们原本打算从(东芝2009年实现量产的
[半导体设计/制造]
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved