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推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:33
TI推出业界首款具有反极性保护的单芯片60V 电熔丝
2016年11月1日,北京讯 德州仪器(TI)近日推出首款具有背靠背FET的单芯片电熔丝,提供高达60V的业界最高保护等级。TPS2660具有反极性保护和反向电流阻断等先进芯片功能,是用于工业、汽车和通信基础设施设计中24 V和48 V轨道应用的电源管理市场上集成度最高的电熔丝。
TPS2660 电熔丝的主要特性和优势:
集成背靠背FET:设备的独特架构使TPS2660拥有以下功能:
o 实现反极性保护,在采用螺丝端子的工业设备中防止系统负载发生接线错误。
o 反向电流阻断,防止电流从输出侧倒流到输入侧。
o 高级保护和集成通过消除对外部组件的需求减少40%电路板空间。
可调节过压保
[电源管理]
AVR单片机ISP(在系统编程)及熔丝补救方法(DebugWIRE)
并行编程,最早的编程方法,功能最强大,但需要连接较多的引脚,通常需要12V~24V的高
压,以示区别,下面称为高压并行编程。
ISP(In System Programmability) 在系统编程,简称为串行下载。
IAP(In Application Programing) 在应用编程,BootLoader也是类似的意思 。
1 ISP虽然利用了SPI接口(例外:M64/M128为UASRT0接口,Tiny13等没有SPI接口)的引脚,但只
在复位时起作用,而且下载完成后合格的下载器会自动断开端口的连接,对正常工作时没有影响的(
在产品应用中,下载器一定是不会一直粘在上面的)。
2 虽然高压并
[单片机]
非晶硅反熔丝FPGA提升系统可靠性
现场可编程门阵列(FPGA)技术因其提供的设计灵活性,已为系统设计人员广泛采用。非晶硅反熔丝FPGA技术尤其有用,它可以提供一种高电路密度与低功耗,以及非易失性编程和高可靠性的组合。为了充分发挥其可靠性,FPGA厂商需要考虑反熔丝的崩溃(wear-out)机制,并通过一种设计、测试、软件工具和编程控制的组合来避免崩溃。
非晶硅反熔丝的最基本要素是利用非晶硅作为一种电介质将两个电极分开(图1)。在一般情况下,这种电介质可表现出GΩ级的阻抗,可有效地隔离电极。不过,在施加一个合适的编程电压和电流时,非晶硅的一个区域会形成一个连接电极的传导通道( 100Ω)。
已编程反熔丝在其工作范
[嵌入式]
atmega328p 设置熔丝位,atmega328p 刷机
用ttl上传程序时一定要先断开GND,显示上传后再接上GND。 Automatic (Software) Reset Rather then requiring a physical press of the reset button before an upload, the Arduino Pro Mini is designed in a way that allows it to be reset by software running on a connected computer. One of the pins on the six-pin header is connected to the reset
[单片机]
AVR 单片机 ATmega16 熔丝位设置错误 芯片锁死修复
最近自己做了个ATmega16板子玩,ISP下载。16M晶振,刚开始没设置好,使用片内时钟源,晶振就没用了。 找了一下,得到ATmega16的16M晶振熔丝位设置为高位D9,地位EF; 可能是我的程序问题吧,要完成的功能还是没实现。于是又怀疑是熔丝位,乱点了几个,然后写入。 再然后,然后就悲剧的烧录不进去了。揪心啊!一直提示: 进入编程模式失败 谷歌了几种方法,还是有办法的,选择了最简单的添加有源晶振的方法: 从另一个带有晶振的工作正常的单片机板的XTAL2脚引出一条线,接到锁死的AVR单片机XTAL1引脚。 然后就神奇的可以烧录了,赶紧吧熔丝位改回来,总算是没搞坏啊。
[单片机]
ATmega16 熔丝位设定
1、M16的出厂设置 内部RC 振荡1MHz 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10 JTAGEN=1 默认状况下JTAG已编程(即PC2-PC5 为高电平不可以被拉低) ,如果PC2- PC5要用作普通IO口,需要取消JTAG编程,或者在程序开始时执行以下命令: MCUCSR |= 1 JTD; MCUCSR |= 1 JTD; //注意要连续操作两次。恢复JTAG功能也要连续两次操作。 2、熔丝位配置说明 2.1低位(时钟及启动时间设置) 2.1.1、 BOD(Brown-out Detection) 掉电检测电路 BODLEVEL(BOD 电平选择): 1 (2.7V电平)
[单片机]
如何解决AVR单片机烧写过程中弄错熔丝位而造
在AVR单片机烧写的过程中,难免有弄错熔丝位的时候,结果是AVR单片机无法读写了!这时我们该怎么办呢,将昂贵的芯片丢掉,再用一块新的。其实这一般是没有必要的,写错熔丝位而导致单片机不能读写,一般不外乎(个人愚见)设设置错了时钟模式,比如说本来是用内部晶振的,结果弄成了外部晶振,而单片机的外部有没有接晶振,这时单片机没有了时钟信号,当然就没有办法在读写了,估计大家也猜到了怎么办了吧,是的,就是由外部提供时钟源。 有第一张图的时钟选择,我们就知道我们得准备多种时钟源: 高频石英/陶瓷晶振,这个直接接在 单片机 晶振位置就可以了,注意频率不要太高,4~5M的就可以了,不放心的话,接两个20P~30P的电容也行! 低频晶振,和
[单片机]
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