隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

最新更新时间:2012-12-21来源: 互联网关键字:IGBT  Power  MOSFET  功率器件 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。这里介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用,这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力,及开关速度快等长处之外,更重要的,它也具有保护功率器件的所需功能。这些功率器件的保护功能包括欠压锁定(UVLO),DESAT检测,和有源米勒钳位。在电力转换器,电机驱动,太阳能和风力发电等系统的应用上,所有这些保护功能都是重要的,因它确保这些系统能安全和稳定的操作。另外,能把握如何正确的选用,设计这些光耦栅极驱动器来有效的使用/控制这些功能使到整个系统更简单,高效,可靠,是系统设计工程师不可或缺的技能!

  1、请问:专家可否介绍一下ACP-330J、ACP-C79A绝缘放大器的放大特性,频率特性以及绝缘特性?谢谢!

  1) CTR的放大特性 --- ACPL-330J 和 ACPL-C79A 都没有CTR的放大特性。虽然所有栅极驱动光耦合器的输入端均有一个LED及隔离输出端均有一个光学探测器, 其操作功能却与CTR无关紧要,因为它们是靠数字信号格式下运作的。作为探测器如其可以检测到LED是否处于ON或OFF状态,其输出将反映相应的功能。例如ACPL-332J的情况 - 它的功能是利用PWM输入信号来造成输出端输出同一PWM信号,进而数字化驱动IGBT或PowerMosfet。它虽也具有特定缓冲驱动能力, 但与CTR完全无关。 同样的,在ACPL-C79A的情况下,它是一个电流感测器 - 它的功能是把输入电流信息以数字化(Σ-Δ)编码,然后以模拟型式 把所代表的输入电流波形以放大倍数电流波形(无关于CTR)发出到输出端。

  2)频率特性--- ACPL-330J适用于在30kHz?40kHz的频率上驱动IGBT/ PowerMosfet (如所需的峰值电流《1.5A规定电流)。 ACPL-C79A是适用于带宽高达200kHz的典型电流感应。

  3)绝缘特性--- ACPL-330J和ACPL-C79A均能满足依据IEC60747-5-5的安规所规定的超强绝缘性能。您也可以从它们的数据手册,找到更详细的资料。

  2、请问:光耦端的控制电流与功率管输出驱动电流之比是用什么指标表示,其最大值是多少?谢谢!

  全部栅极驱动光耦合器都没有CTR的放大特性。虽然所有栅极驱动光耦合器的输入端均有一个LED及隔离输出端均有一个光学探测器,其操作功能却与CTR无关紧要,因为它们是靠数字信号格式下运作的。作为探测器如其可以检测到LED是否处于ON或OFF状态,其输出将反映相应的功能。例如ACPL-332J的情况 - 它的功能是利用PWM输入信号来造成输出端输出同一PWM信号,进而数字化驱动IGBT或PowerMosfet。它虽也具有特定缓冲驱动能力,但与CTR完全无关。 ACPL-332J是能够驱动高达2.5A电流的栅极驱动光耦合器。安华高科技(Avago Technologies)也有能驱动高达5A电流的栅极驱动光耦合器。

  3、请问:安华的光电耦合器都是采用DIP-8封装吗?业界经常提到DIP-8封装,请问这种封装方式有何优点?谢谢!

  Avago光耦合器有许多不同类型的封装,它们包括 500-MIL DIP10,400-MIL DIP8,300-MIL DIP8,SO16,SO8,SS08,SO6,SS06,SO5,和SO4等等。 每个封装都有其自身的特点 - 如不同的爬电距离和间隙,以配合不同的应用。

  4、请问:为什么要通过光耦合的方式来驱动功率管的栅极? 为何不能设计合适的驱动电路直接驱动栅极?各种保护功能在普通的驱动电路里不能实现吗? 增加光耦合是否也增加了一个产生可靠性问题的环节?谢谢!

  通过使用光耦栅极驱动器驱动功率器件,可以帮助消除4个基本问题,如1)瞬态电压,2)共模噪声,3)接地回路,和4)电平转换。这4个基本问题不能轻易/圆满通过简单的非隔离式栅极驱动器得到解决。集成的栅极驱动器如安华高的ACPL-33xJ, 结合了各种保护功能于简单的集成电路里。集成电路的好处是, 它能做到设备到设备(或元件到元件)间均非常均匀。这些保护功能,都可以通过分立器件来实现,但分立器件将无法很均匀地,从系统到系统间工作,另外分立器件将造成更复杂的设计,不能达到简化的作用。所有Avago的光耦合器都经过精心设计,以确保其可靠性不受到损伤。

  5、请问:有哪些低功耗的IC适合构建高效的适合光伏、风能应用的控制、逆变系统?谢谢!

  所有安华高的隔离栅极驱动器都能在极低ICC2电流中运作,这可有效减少功率消耗和在高侧驱动允许使用自举电源。另外,安华高最新的栅极驱动器,如ACPL-P/W34x 能够在最高200ns这么低的传播延迟时间里工作 这允许更精确的PWM控制,同时提高效率。所有这些优势都使安华高的隔离栅极驱动器能够适用于, 如光伏逆变器和其他可再生能源转换系统中应用。

  6、请问:为什么新设计的DESAT只有7V,IGBT极易误触发, desat故障后,故障未复位前VCC2-VE维持1个10mA左右的故障反馈光耦驱动电流,在采用稳压管正负电源分压方案中,易导致负电压偏高。影响分压比例。谢谢!

  在正确的选择下IGBT /功率MOSFET的饱和电压通常约为1.5V?3V。所以7V的阈值通常是足够的,因为它在退饱和作用下提供了超过4V的边距电压。 当然在市场上也有一些IGBT /功率MOSFET饱和电压略高或在一些大的散热器下允许饱和度较高的检测阈值的功率器件。但设计者可以通过简单的插入比较器来提高 DESAT阈值。 是的,LED的10mA驱动电流在故障条件下是真正必要的。 使用高LED故障电流的原因是,它允许在故障条件下能有更好的噪声抑制。

  7、请问:退饱和检测是什么意思,检测的是哪一个点的电压?谢谢!

  DESAT是IGBT过流或短路故障发生时,可以检测到的情况。在过流或短路故障发生时,IGBT的集电极电压(或PowerMosfet的漏电极电压)会迅速爬升,这种电压爬升情况可以通过安华高集成栅极驱动器的DESAT引脚检测到。

  8、请问:加入耦合隔离器后会不会出现信号的延迟?通过什么办法解决?谢谢!

  通过使用光耦栅极驱动器驱动功率器件,可以帮助消除4个基本问题,如1)瞬态电压,2)共模噪声,3)接地回路,和4)电平转换。这4个基本问题不能轻易/圆满通过简单的非隔离式栅极驱动器得到解决。但加入光耦确实会引入信号传播延迟时间,并导致在网络研讨会中提到的死区时间。 不过在市场中安华高栅极驱动光耦合器的死区时间是最低的,这有助于减少在怠速状态下容易失去的效率。

  9、请问:以前我们在电机软起动器上用光耦加SCR的方案,如果改为Avago隔离IGBT的方案,需要考虑哪些环节?谢谢!

  在电机起动系统里比较IGBT控制对可控硅SCR控制的优势,前者较易关闭及允许更快的开关操作,但需要考量的是,设计师必须确保IGBT的体二极管能够完全处理在关闭时产生的再生电流。了解更多Avago IGBT门驱动产品,请点击链接。

  10、请问:DESAT功能在我曾经用过的IGBT中没有,是安华高的独有技术吗?谢谢!

  DESAT是IGBT过流或短路故障发生时,可以检测到的情况。在过流或短路故障发生时,IGBT的集电极电压(或PowerMosfet的漏电极电压)会迅速爬升,这种电压爬升情况可以通过安华高集成栅极驱动器的DESAT引脚检测到。传统的电路必须采用分立元件来提供DESAT检测,而安华高已把这样的检测电路集成到IC中。

关键字:IGBT  Power  MOSFET  功率器件 编辑:神话 引用地址:隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

上一篇:MOS管封装简介
下一篇:隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:44

利用 TRENCHSTOP 5 IGBT 提高焊机功率密度
引言 低成本便携式焊机需求日益增长,尤其在发展中国家更是如此。分立式IGBT和MOSFET广泛应用于功率范围在 1.5kW至6kW的手动金属电弧焊(MMA)和钨极惰性气体保护焊(TIG)。这些焊机主要采用电流模式PWM控制和简单的技术,例如双管正激(TTF)、半桥(HB)式和全桥(FB)式,通常开通采用零电流开关(ZCS)且关断采用硬开关。对于这些配置,为了提高性能和降低系统成本,高频率是最重要的设计趋势之一。由于关断损耗大大减少,英飞凌的TRENCHSTOP 5 IGBT技术成为最有前景的选择,因为完全有能力满足焊机强大的技术要求。   相对于前代IGBT,TRENCHSTOP 5 IGBT提高了性能,且能够在高开关
[嵌入式]
英飞凌针对分离式IGBT推出先进绝缘封装
英飞凌科技(infineon) 推出最新的 TRENCHSTOP先进绝缘封装技术,包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 两种版本,拥有极佳的散热效能以及更简易的制程。 这两种版本经过效能优化,可取代完全绝缘封装 (FullPAK)以及标准型和高效能型绝缘片,适用于空调、不断电系统(UPS) 的功率因子校正(PFC),以及马达驱动的电源转换器等应用。 此先进绝缘具备与标准型 TO-247 相同的尺寸,且绝缘能力达 100%,且无需使用绝缘片或散热膏。 新封装提供从 IGBT 芯片到散热器的有效且可靠的散热路径,有助于提升功率密度及可靠度,同时降低系统与制造成本。 由于不需绝缘材料与散
[半导体设计/制造]
汽车点火系统中对智能IGBT技术的需求探讨
若从安装在汽车分电器中的机械触点技术算起,点火系统经已走过一段很长的发展历程。最新的点火IGBT、混合信号IC及封装技术,使“线圈上开关”技术所允许的种种系统优势得以实现。因此,本文分析了汽车点火系统,探讨了汽车点火系统中对智能IGBT技术的需求。 1汽车点火系统 要产生火花,所需的器件包括电源、电池、变压器(即点火线圈),以及用于控制变压器初级电流的开关。电子学教科书告诉我们V=Ldi/dt.因此,如果线圈初级绕组中的电流发生瞬间变化(即di/dt值很大),初级绕组上将产生高压。如果该点火线圈的匝比为N,就能按该绕线匝数比放大原边电压。结果是次级上将产生10kV到20kV的电压,横跨火花塞间隙。一旦该电压超过间隙周围空气
[嵌入式]
Romeo Power合作Dynexus Technology 推出电池传感与诊断技术
据外媒报道,当地时间9月14日,Romeo Power与Dynexus Technology宣布合作,将把Dynexus Technology的可操作电池性能与健康传感器集成至Romeo Power的电池生态系统中。Romeo Power是为复杂商用车应用提供先进 电气化 解决方案的能源科技领导者,而Dynexus Technology是电池传感解决方案和数据驱动电池智能技术领导者。 iRIS传感器(图片来源: Dynexus Technology) Dynexus研发的技术最初可用于新电池质量控制以及生产线末端电池验证,还能够用于电池组和电池包诊断与 预测 ,为Romeo Power的客户提供多种降低总保有成本的机会。
[汽车电子]
Romeo <font color='red'>Power</font>合作Dynexus Technology 推出电池传感与诊断技术
ABI预测RF功率半导体市场有变
  据市场研究机构ABI Research称,大功率半导体市场在未来四年将快速增长,但无线基础业务的重要地位将有所改变。   到2012年,大功率半导体市场收入将达10亿美金。但是据ABI Research无线基础设施研究主管 Lance Wilson说:“这个市场已经被无线基础设施占据了许多年。现在3G/蜂窝无线基础设施部署正在下降,究竟其他产业如何表现的信息很少。   Wilson称产业形成的五年依赖于三个主要问题。“在制造层面,将引进氮化镓(GaN)和碳化硅射频功率器件是否意味着硅LDMOS的消亡?随着移动、3G基础设施市场不断降低,他们是否会像过去一样继续驱动RF功率半导体产业?无线基础设施以外的细分市场是否将
[焦点新闻]
IBM拟于明年上半年推出Power7服务器
据国外媒体今日报道,IBM计划2010年上半年推出配置Power7处理器的新款Unix服务器,蚕食Sun、惠普等竞争对手的市场。   IBM还表示,购买配置Power6处理器的服务器的客户可以升级到Power7。此举旨在确保潜在客户不会等到明年才购买服务器。IBM称,部分客户将很快对新款服务器进行测试。   市场研究公司IDC的数据显示,在170亿美元的Unix服务器市场上,IBM市场份额约为37%,其次是Sun(28%)。IBM上周表示,第二季度该公司Unix服务器市场份额有所提高。   IBM Power Systems部门营销、战略和销售支持副总裁斯科特·汉迪(Scott Handy)表示,IBM希望让考虑放弃惠普
[单片机]
飞兆推出业界首个电流检测点火IGBT 降低功耗达30%
FGB3040CS能够降低功耗达30% 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出业界首颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS,可以在应用中省去用于检测大电流的检测电阻,从而将功耗降低30% 并减少由此带来的热量。FGB3040CS具有电流检测功能,能以小型的低电流检测电阻替代高功率的检测电阻,成功简化系统元件的需求及降低总体成本。FGB3040CS采用EcoSPARK 技术设计,提供了业界最高能量密度的点火IGBT。这项技术可让芯片尺寸缩减到能够装入D-Pak封装中而不会影响性能。 FGB3040CS的主要优势包括: - 与现有的解决方案相比,系统功耗降低30% - 采用E
[新品]
IGBT的保护及电路图
IGBT的保护措施,主要包括过压保护和过流保护两类。使用中,对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压,可以采用适当的缓冲回路抑制它,使器件免于损坏。
[电源管理]
<font color='red'>IGBT</font>的保护及电路图
小广播
最新模拟电子文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved