可应用三维存储结构PCM的高集成NAND型相变内存方案

　　传统PCM采用的RAM接口，存在RESET时间在10ns级、而SET时间却在100ns级的课题。SET时间较长会对读取性能有所制约，而且能耗也会增大。

　　因此，中央大学的竹内教授等人没有将PCM用作RAM，而是像NAND型闪存那样用来进行区块擦除等。将耗时较长的SET操作作为数据擦除使用，在使区块内所有单元同时初始化的“区块擦除”时使用。然后将高速的RESET操作用做写入操作。据介绍，采用这种方式后，与性能因SET操作时间较长而受到制约的传统RAM接口相比，写入速度可提高至7.7倍，能耗最大可削减70％。竹内表示，将PCM “应用于区块擦除时，即使在同时擦除两个存储器单元的情况下，其能耗也不会达到2倍”。通过采用这种操作方式，可轻松将PCM用于存储应用。但另一方面，这种方式无法进行随机存取。

　　NAND型PCM的课题是，采用NAND串后容易出现写入干扰。据介绍，要想写入时不产生干扰，就需要将通道晶体管（Pass Transistor）的通态电流至少提高至最小RESET电流的4倍以上，将RESET电压提高至1.07倍以上。