高压发生器电路图

最新更新时间:2013-12-31来源: 互联网关键字:高压  发生器 手机看文章 扫描二维码
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它由555时基集成电路和高压晶体管构造而成,驱动一个电视机用的高压包,产生12kV~20kV的高压。高压发生器电路图:

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简述高压绝缘电阻测试仪的产品结构
  高压绝缘电阻测试仪是测量大型变压器、互感器、发电机、高压电动机、电力电容、电力电缆、避雷器等绝缘电阻的理想测试仪器。它的主要结构分为以下3个部分,分别为:   1.直流高压发生器。   直流高压的产生一般有三种方法。第一种手摇发电机式。第二种是通过市电变压器升压,整流得到直流高压。第三种是利用晶体管振荡式或专用脉宽调制电路来产生直流高压。   2.测量回路。   在前面讲的摇表(兆欧表)中测量回路和显示部分的合二为一的。它是有一个流比计表头来完成的,这个表头中有两个夹角为60 (左右)的线圈组成,其中一个线圈是并在电压两端的,另一线圈是串在测量回路中的。表头指针的偏转角度决定于两个线圈中的电流比,不同的偏转
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新型多路直流输出高压隔离电源的研究
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解析基于单片机的函数发生器的设计
1引言 在自动控制系统设计及调试过程中,不同频率的正弦波、三角波和方波常作为信号源,应用十分方便。过去常由分立元件及集成运放构成振荡器,后来出现的ICL8038其最高频率仅能达到100kHz。而MAX038芯片性能更好,最高频率可达20MHz,且三种波形由同一端输出。单片机控制品质卓越,基于单片机的函数发生器运行可靠,操作方便。 2高频信号发生器芯片MAX038简介 MAXIM公司生产的MAX038芯片是一种高频精密的函数发生器,可产生三角波、锯齿波、正弦波、方波及脉冲波,且频率及占空比的控制可独立进行。 Lin管脚电流范围在10~400μA时电路获得最佳工作性能。输出波形的选择由逻辑地址引脚A0和A1的组合来决定:A1A
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高压为实现全球能源互联网提供了技术保障
记者:全球能源互联网可以帮助消纳更多的像光伏发电这样的新能源,您怎么看待全球能源互联网? 陈康平:每一个产业巨变都会影响每一个人。能源是最重要的经济产业之一,现在流行“互联网+”的概念,我认为能源与互联网的结合,在不久的将来会是一次行业革命。能源特别是电力的性质,就是共享性比较强、流动性比较强,与互联网结合,能够把能源的利用效率大幅提高。举例来说,某一时期,上海能源紧缺,但江西这个时期能源很富余,怎么调配呢?通过能源互联网进行智能管理,就能够在很短的时间内实现自动调配,效率多高啊! 我们有自己的光伏电站监控体系,每一个电站的实时运营情况,我们都能掌控。我认为,今后我们的很多分布式光伏电站建起来后,很大一部
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基于51单片机的超声波发生器设计方案
  本设计的超声波发生器是利用单片机生成初始信号,然后经过一系列处理电路的作用后生成用来杀灭水蚤的超声波,成本低、效果好,可以在农业上加以采用。在此对3个模块进行设计:   (1)信号发生模块。12 MHz的8051单片机硬件连接及其程序设计。   (2)信号处理模块。驱动电路设计(CD4069非门集成芯片);倍频电路设计(S9014或ECGl08三极管、104普通电容、11 257.9 nH自制电感、1 kΩ电阻);整波电路设计(CD4069非门集成芯片);和频电路设计(CD4081与门集成芯片);选频电路设计(S9014或ECGl08三极管、104普通电容、112.58 nH自制电感、1 kΩ电阻)。   (
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可编程时钟发生器及其应用
摘要: 美国CYPRESS公司的可编程时钟发生器芯片ICD2053B的结构和工作原理及其在数据采集系统中的应用。ICD2053B提供用户可编程的锁相环特性,输出可改变型任何所期望的频率值上(391kHz~100MHz)。在数据采集系统中,利用ICD2053B所具有的动态改变输出频率的能力,可实现系统的变频率采样,提高了系统的适用范围和兼容性,给设计者提供了灵活的设计自由度。 在数据采集系统中,所设计的系统应具有通用性,可根据不同的数据采集对象,产生不同的采样频率;或者系统处于不同的运动情况时,能够动态改变采样频率,即数据采集系统应当具有改变采样频率的能力。传统的数据采集系统,一般都是固定频率的数据采集,很难应用于其它采
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最近接触了一些使用脉冲 电源 的朋友,发现他们在需要方波输出的时候,使用 全桥 加变压器,次级直接输出方波。个人觉得这种方式存在很大的缺陷,比如初级的振荡会传到次级,使输出波形很差;调节输出占空比比较困难;当频率比较低时变压器更难设计,体积也会变得很大;对于短路的抵抗力也相当差。   使用高压开关可以完全解决以上问题。使用一个直流电源,加上一个开关,通过控制开关的导通与关断来实现脉冲输出。这种开关通过简单的 电路 ,将 MOS 管或 IGBT 串联 ,通过低感且较小的布局,实现任意频率任意脉宽的开关,且寿命长,易维修。 开关由大量的 MOSFET 或IGBT通过串联、 并联 ,并通过
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