推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:59
可控硅的工作原理及基本特性
1、 可控硅元件的 工作原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示
图1 可控硅等效图解图
当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的
[模拟电子]
PIC16F877单片机在直流电机闭环调速系统中的应用
0引 言 现代工业生产中,电动机是主要的驱动设备,目前在电力拖动系统中已大量采用晶闸管(即可控硅)装置向电动机供电的KZ-D拖动系统,取代了笨重的发电动一电动机的F-D系统,又伴随着微电子技术的不断发展,中小功率直流电机采用单片机控制,调速系统具有频率高,响应快,本文论述了采用PIC16F877单片机作为主控制元件,充分利用了PIC16F877单片机捕捉、比较、模/数转换模块的特点作为触发电路,其优点是:结构简单,能与主电路同步,能平稳移相且有足够的移相范围,控制角可达10000步,能够实现电机的无级平滑控制,脉冲前沿陡且有足够的幅值,脉宽可设定,稳定性与抗干扰性能好等。 1 直流电机调速原理分析
[工业控制]
士兰微电子推出可控硅调光非隔离型LED照明驱动芯片SDH700X
LED照明是士兰微电子的核心战略产品线之一,公司对LED照明驱动系列芯片及解决方案进行了持续的研发,前期已推出自主创新的5大系列几十款驱动芯片。近期又推出了新一代LED照明产品---可控硅调光LED照明驱动SDH700X,解决了LED照明驱动最为关键的外部元件简化和集成化封装等应用难题,解决方案可以广泛应用于LED射灯,日光灯,球泡灯,筒灯,天花灯等不同可控硅调光照明领域。
SDH700X是一款专用于可控硅调光的非隔离型LED驱动的控制芯片,芯片采用,采用非隔离升降压结构,士兰微电子专利的特有的调光控制方法,适合大部分的可控硅调光器。
芯片最大导通角时电流精准度高,可以达到±3%;通过内置高压供电模块解决了
[电源管理]
基于英飞凌LED可控硅调光解决方案
目前的调光方式 主要有三种,分别是:模拟调光方式,PWM调光及可控硅调光。利用可控硅调光对LED替代灯调光,现有的调光器电路可以不作变动,故此调光方式普遍看好, 于是出现了适合于可控硅调光的AC-DC 控制芯片。英飞凌公司推出的ICL8002G LED驱动芯片可支持可控硅调光,并具有单级PFC和初级测控制功能。
可控硅调光的原理
图1所示为典型的前沿可控硅调光器原理图,以及它所产生的电压和电流波形。回路电压/电流是同相位的(负载是白炽灯)。
电位器RV2调整可控硅(TRIAC) 的相位角,当VC3超过DIAC的击穿电压时,可控硅会导通。当可控硅电流降到其维持电流(Iholding)以
[电源管理]
双向可控硅的设计及应用分析
引言 1958年,从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始, 电能 的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力 半导体" target="_blank" 半导体 器件组成的变流器时代。可控硅分单向可控硅与双向 可控硅 。单向可控硅一般用于彩电的过流、过压保护 电路 。双向可控硅一般用于交流调节电路,如调光台灯及全自动洗衣机中的交流电源控制。 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是目前比较理想的交流开关器件,一直为家电行业中主要的功率控制器件。近几年,随着半导体技术的发展,大功率双向可控硅不断涌现,并广泛应用在变流、变频领域,可控硅应
[电源管理]
12W可控硅调光LED驱动解决方案
卓一电子提供了一套12W可控硅调光LED驱动解决方案,这套方案性能高度稳定可靠,方案产品在模拟恶劣环境下经过很长时间老化,具有短路、电流温度补偿功能,可在-20~+60℃下工作。适用LED天花灯等。 产品特点: 1、性能高度稳定可靠,产品在模拟恶劣环境下长时间老化; 2、产品品种规格齐全; 3、具有短路、电流温度补偿功能,可在-20~+60℃下工作; 4、设计采用稳定PWM控制芯片技术,减少光衰,调光效果明显; 5、转换效率高达85%,高功率因数,低发热,稳定可靠,优质元器件确保电源寿命更长,更安全可靠; 6、兼容可控硅调光器,实现0~100%调光,调节均匀,渐变效果明显;
产品概述
所列参数均为常规机型参数范围
[电源管理]
双向可控硅噪声抑制的基本原理和新的低成本的dV/dt性能改进
从上个世纪70年代开始,双向可控硅(又称三端双向晶闸管)一直用于控制交流负载,几乎在所有电器上都能看到双向可控硅。当终端设备上的电压上升速率过快时,双向可控硅将会自动触发,从那时起,设计人员就必须面对双向可控硅的这个特性。当设计对电压快速瞬变有要求的电器时,必须考虑这个问题。
半导体易受到dV/dt变化速率的影响
功率半导体器件由多个半导体层组成。例如,双向可控硅是四层结构交流开关元件,每层是半个祼片,每层通过交替掺杂方法控制空穴浓度(P区)或自由电子浓度(N区),形成两个单向可控硅。因此,双向可控硅相当于两个反极性并联的单向可控硅(图 1)。
每个PN结都会产生寄生电容,当施加斜坡电压时,就会产生电容电流(
[电源管理]