沃布尔振荡器电路

最新更新时间:2014-02-15来源: 互联网关键字:沃布尔  振荡器 手机看文章 扫描二维码
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沃布尔振荡器电路中A和B组成2Hz振荡器,成为C和D门,C和D组成一个1kHz的振荡器,驱动TIP31扬声器驱动器。

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为频率捷变应用选择信号发生器
  根据信号发生器的主要用途或公司的预算,设计师通常会采用传统的信号发生器设计,如YIG调谐或带状合成器。然而,最近出现的基于合成仪器(Synthetic-instrument,SI)架构的信号发生器有望改变这种选择。   当测试频率捷变无线电时,找到能够跟随所期望的跳频图案的信号发生器(跳变速率和延迟时间都很快的仪器)使用户受到了限制。如果测试系统只要求产生简单的频率调制,或仅作为快速跳变的本地振荡器,那么选择快速调谐信号发生器就行了。不过,这种信号发生器是无法产生最近商用无线或军用通信标准所需的复杂的调制信号。   因此,设计人员通常会购买两台或更多的信号发生器来完成该种应用的某一个任务,这就增加了相当可观的花费。
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MEMS时钟振荡器在射频系统中的应用
       时钟振荡器 和 射频 系统    时钟振荡器 作为频率合成锁相环的参考信号源,广泛应用于各种 射频 系统的本地振荡器、时钟发生电路和通信同步电路(见图1)。   本地振荡器通过锁相环路倍频,产生 射频 混频电路所需要的本振驱动信号。参考 时钟振荡器 的频率准确度和稳定度决定了本振信号和射频收发器工作频率的准确度和稳 定度。对频率精度要求不高的射频系统使用射频芯片内置振荡器电路与外接石英晶体谐振器组成参考时钟振荡器,这可以达到10-4~10-5的频率精度。对频 率误差和环境稳定性要求更高的射频通信系统需要独立的温补振荡器(TCXO)或频率可以微调的牵引温补振荡器(VC-TCXO)来达到10-6~10-7 精度等级。
[电源管理]
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晶体/陶瓷振荡器基本电路
晶体/陶瓷振荡器基本电路 以下是晶体/陶瓷振荡器的两个应用电路。 说明 1. 内部偏压电阻RINB,用于产生振荡器的工作点。 2. 内部振荡器电容CIN1 和CIN2,与外部晶体/陶瓷振荡器配合构成Pierce 振荡器。振荡时,晶体/陶瓷振荡 器可以看作是等效电感,该电路还可以降低EMI。 3. 外部偏压电阻REXB,用于低压停振控制的特殊应用,需配合CEX1 使REXB×CEX1 大于2πfSYS。主要原 理是加大振荡电路的负载,在低压时使振荡器停振,使MCU 不会发生低电压工作错误的情形。如果实 际应用中没有用到低电压情形,该电阻可以省略。 4. 外部振荡器电容CEX1 和CEX2,用于振荡频率微调或晶
[模拟电子]
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科尔皮兹振荡器电路图
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增加RC压控振荡器的频率区间
典型的电压-频率转换器也叫VCO(压控振荡器),其中IC的输入电压对输出频率有一个简单的调节特性。它的一般形式为F=kV/RC,其中,RC是相关定时电阻与电容的时间常数。这些器件的输出频率范围很广,但很少有器件能够在一组RC时间常数的整个区间内做调谐。但是,如果随输入电压的变化而改变定时比率,则可以用一个实现方法,将调谐区间放大到几乎整个频率范围。 实现这一目标的方法之一是用一个可变电容替代定时电容,可变电容值可随其偏压而作反向改变,这就是变容二极管。对于本设计,考虑采用ADI公司的AD654电压-频率转换器,因为它很简单,带宽至少有1MHz. 图1给出了采用一个固定电阻与电容的典型实现方法。对于图中的值,当输入从0V~10V变化
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高效型振荡器为8051单片机实现高速串行通信的时钟配置
引言 当今许多实时监测系统与通信设备领域中,经常需要进行远距离的数据传送。为此,如何实现高速、可靠及低成本的数据传输是作为前级机或发送级的8051单片机迫切需要解决的新技术。据此,我们采用由Dallas Semiconductor公司产的芯片DSl075--Econ oscillator(高效型振荡器)为8051系列的DS87C520高速型单片机提供时钟的配置设计方案,实现单片机串行通信的高速波特率。 Econ oscillator(高效型振荡器)含有一个内部振荡器,用以产生一个基本频率;还内置了一个分频链,可以将基本频率降低到需要的速度。Econ oscillator 的每种型号提供四种基本频率(60MHz、66
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Maxim推出结构紧凑的双输出晶体振荡器
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