用CMOS构成的三稳态触发电路

背　景 目前数字摄像技术，主要采用两种方式：一种是使用CCD(电容耦合器件)图像传感器，另一种是使用CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。 CCD图像传感器具有读取噪声低、动态范围大、响应灵敏度高等优点。但CCD技术难以与主流的CMOS技术集成于同一芯片之中。因而CCD图像传感器具有体积大、功耗高等缺点。 CMOS 图像传感器是近些年发展较快的新型图像传感器，由于采用了CMOS技术，可以将像素阵列与外围支持电路(如图像传感器核心、单一时钟、所有的时序逻辑、可编程功能和模数转换器)集成在同一块芯片上。因此与CCD相比，CMOS图像传感器将整个图像系统集成在一块芯片上，具有体积小、重量轻、功耗低、编程方便、易于控制等优点。

    1、最近两年安防监控市场出现了哪些新趋势和新技术?     答：在安防市场，零售商店及住宅保安等对成本敏感的近程应用持续注重降低系统成本。尽管如此，一个行业趋势是为远程、宽视场(WFOV)及空中监控应用改进图像品质和功能。     为了提供用于这些应用的方案，图像传感器必须有这些关键特性：     1)空间细节高精度;     2)用于变焦镜头的大光学格式;3)快速帧的时间分辨率。     安森美半导体的经验是CCD及CMOS技术都应用于安防监控，视乎系统的要求，两种技术能相辅相成。     2 面对客户对低照度情况下获得清晰图像的需求，贵公司是如何应对的?     答：客户对安防的一项关键要

　　0 引言 　　随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A／D和D／A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0．35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 　　1 带隙基准电压源的电路设计 　　1．1 基本原理 　　本设计利用晶体管基射结电压差△VBE的正温漂去补偿

我们常说，成像技术与摩尔定律是背道而驰的，即工艺越先进，图像传感器上的像素越小，并不意味着性能越好，有时甚至成像质量会变差。不过，有一点趋势是肯定的，即智能手机这些年拍照，是越来越强的，像素也的确是越来越小。当然，手机摄像头的图像传感器总面积这些年一直是在变大。 但如今的1亿像素的手机，对比当年的1200万像素和4100万像素的较量，似乎全然不是一个量级，1亿像素拍照的画质体现也没比4800万像素的手机好到哪去。甚至还有坚持“祖传”1200万像素手机拍照能力“叫座”的“奇怪”现象... 进入信息化时代，自从夏普发布第一款带摄像头的功能手机开始，人们对手机的相机功能的追求一直未曾停止，以至于时至今日，各大主流厂商的新机发布

德国业者Novaled透过采用其自主研发的p型和n型掺杂物(dopants)，成功地开发出了以单层五苯(Pentacene，或译五环素)半导体层为基础的p型和n型场效应晶体管。这项掺杂技术提供了有机电子一个以CMOS制程生产的方法，有助于数字有机电子的发展。 Novaled表示，目前的大多数开发都是以五苯为基础展开(五苯为一种有机材料，通常仅用于p型晶体管的半导体层)。透过在晶体管源极或漏极接点加薄薄的一层p型或n型掺杂剂，晶体管变成纯P型或纯N型，抗噪声性能增强、待机时的耗电量也有所降低。p型及n型晶体管目前所能实现的电子迁移率均为0.01cm 2/Vs。 据Novaled执行长Gildas Sorin表示，该公

在使用示波器时，必须了解需要使用哪种触发来捕获特定事件。本文将首先探讨示波器触发电路的典型体系结构，然后介绍基本触发模式，最后讨论现有的一些高级触发功能。 典型的示波器触发体系结构 图 1 为典型的示波器方框图。了解信号通过示波器的过程对于理解硬件触发为什么存在某些特定的限制条件非常有用。探头将输入信号传送到示波器，其中，衰减器和前置放大器根据不同的电压/格设置对输入电平进行补偿。然后，信号一分为二，一半进入 A/D 转换器，另一半进入触发电路。A/D 转换器对信号进行数字化处理，然后将其传送至存储控制器，另一半信号先经过触发电路，再经过时基，最后也到达存储控制器，于是两部分信号重新在存储控制器汇合。切记，经过 A/D 转

随着量子计算的出现，对外围容错逻辑控制电路的需求达到了新的高度。 在传统计算中，信息的单位是“1”或“0”。在量子计算机中，信息单位是一个量子比特，可以描绘为“0”、“1”或两个值的叠加（称为“叠加态”）。 由于其高性能和低功耗，传统计算机中的控制电路都基于 CMOS（半导体）。传统计算机的“1”和“0”可以使用在室温下运行的 CMOS 芯片进行操控、存储和轻松读取。如今，大多数量子计算机都在低温下运行，以确保量子比特尽可能长时间地保持一致（处于叠加态）。 在量子计算机中，一致的时间通常非常短（纳秒到毫秒），因此需要更多能够执行高速、容错操控的控制电路。如果传统的 CMOS 控制电路可以在低温下运行，则可以满足这一要求 。

3 仿真分析及具体设计结果 　　3.1 仿真分析 　　在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下： 　　主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而ESD脉冲通常为纳秒级，其上升时间为十几纳秒。初始状态，IC处于悬空状态下，当个正ESD电压出现在VDD电源线上，而VSS相对为0时，Vx通过RC开始充电，由于其充电常数T比VDD的上升时间大的多，致使Vx无法跟随VDD的变化，从而使P0管打开，N0管关闭，Vg电压迅速上升，N1大管开启，从而提供了一个从VDD到VSS的低阻抗大电流泄放通道并对内部的VD