与非门组成峰值音量监示电路图

如图所示是由与非门组成的倍频电路，实际上是一个微分型的单稳态电路。稳态时，适当选择R、R1，使F2和F3均输出高电平，当输入一个负脉冲时F4便输出一个相同宽度的正脉冲，与此同时，单稳态电路输出一个较宽的负脉冲，这样，在输入端输入一个脉冲，在输出端就产生二个脉冲，从而实现了倍频的目的。

如图所示是一个负脉冲触发的宽延时单稳态触发器。图中延时主要决定于电容C。对于TTL电路来说，R的阻值一般为5~10千欧。表中所列为R=5.1千欧时，延时的实测数据。

基本TTL反相器不难改变成为多输入端的与非门 。它的主要特点是在电路的输入端采用了多发射极的BJT ，如下图所示。器件中的每一个发射极能各自独立地形成正向偏置的发射结 ，并可促使BJT进人放大或饱和区。两个或多个发射极可以并联地构成一大面积的组合发射极。 　　下图是采用多发射极BJT用作３输入端TTL与非门的输入器件的一个实例。当任一输入端为低电平时，T 1 的发射结将正向偏置而导通，T 2 将截止。结果将导致输出为高电平。只有当全部输入端为高电平时 ，T 1 将转入倒置放大状态，T 2 和T 3 均饱和，输出为低电平。 TTL与非门的技术参数 1.传输特性 　　各种类型的TTL门电路，其传

图A所示是用CMOS与非门组成最简单的两倍压电路。图中一个反相器组成了一个100KHZ的方波振荡器，振荡器输出在0~10V之间不断变换，当输出为“0”时，电容器C2通

图中所示是一个电子打靶游戏机线路.图示线路F1和F2组成单稳态电路,F4和F5组成超低频振荡器,F6、F7组成音频振荡器，而F3则作为反相器使用。