Peregrine半导体推出业界首个可重构射频前端

    Peregrine半导体公司是采用CMOS SOI工艺设计RF器件的先驱。在2014年的电子设计创新会议（EDI CON）上，Peregrine首次在大中华地区展示了其推出的可重构射频前端（ RFFE ）系统UltraCMOS Global1。

业界对射频前端性能提出了前所未有的要求
    LTE设备市场的迅速增长对射频前端的性能提出了前所未有的要求：拥有可以支持更多频段的可扩展性；拥有可调谐的能力并且保证搞个理性，可以解决多通路同时使用时带来的问题；对所有支持的漠视和频段的切换，只需相对简单的调整；有证竞争力的功放效能。而UltraCMOS Global1的应运而生为“一款可以全球范围内使用的移动终端”的愿望提供了可行的思路。

全集成的可重构射频前端系统
    作为行业中第一个全集成可配置射频前端系统，UltraCMOS Global1集成了三通道MMMB PA（多模多频段功放）模块，PA切换开关模块，天线切换开关模块和天线调谐模块等射频前端需要的所有元件。支持包络跟踪技术，并具有通用的RFFE MIPI控制接口。

    UltraCMOS Global 1是一种易于使用的数字控制射频前端，适用于一切模式和频段，隔离性能好，解决了互操作问题。它可以扩展，轻而易举地支持更多的频段，而且开关损耗小，可调谐。其高水平的可重构能力得益于Peregrine半导体公司的UltraCMOS 10技术平台。UltraCMOS 10是一种130纳米的RF-SOI工艺技术，比起同类的解决方案，在性能方面提高了50 ％。UltraCMOS Global 1就是在这个技术平台上制造而成的。

    Global 1强化了可配置功率的概念。Global 1对频段和模式可配置的操作方法，改善了射频性能。可配置的射频和偏置设计，缩小了由于支持模式和频带不同给手机方案设计带来的差异。另外，通过自动调谐的优化方法也加速了项目设计规划。

媲美GaAs射频性能的CMOS PA
    值得一提的是UltraCMOS Global1集成了业界第一个LTE CMOS功率放大器（PA），其纯PA性能达到了和GaAs工艺技术相同的水平，其性能高出同类产品10%。此外，对于LTE波形，在不同资源块分配的情况下，UltraCMOS Global 1功放的PAE性能与GaAs功放相当。

    据悉，UltraCMOS Global1的平台整合将在2014年完成，将于2015年实现量产。