Peregrine半导体公司宣布业界第一个真正的直流射频开关上市

最新更新时间:2015-04-20来源: EEWORLD关键字:直流射频开关  Peregrine  UltraCMOS 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
UltraCMOS® PE42020在一块单片裸片上集成了射频、数字和模拟功能
在直流至8GHz的频带上保持信号健全
 
    美国圣地亚哥──Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人,先进的射频解决方案的先驱,现在宣布UltraCMOS ® PE42020上市。UltraCMOS® PE42020是业界第一个、也是唯一一个真正工作在直流(DC)即零赫兹的集成射频开关。这个真正的直流射频开关能够通过大功率,并且在直流到8000 MHz的频率范围上保持出色的射频性能和线性度。PE42020是取代问题丛生的机械继电器和微机电系统(MEMS)的可靠方案,是用于测试和测量(T&M)和自动测试设备(ATE)的理想开关。
 
    “可以工作在直流,并且真正覆盖整个频谱的集成射频开关,PE42020是第一个。” Peregrine的高级市场营销经理Kinana Hussain说。“到现在为止,只有机械式继电器和MEMS开关可以通过直流信号,而这些产品都存在可靠性问题的困扰,并且缺乏整合性。今天发布的UltraCMOS PE42020,是Peregrine解决射频行业所面临的最大挑战的又一个例子。”
 
    Peregrine公司的UltraCMOS技术促成了智能整合,也就是把射频、数字和模拟功能集成在一块单片芯片上的能力。这个真正的直流射频开关把高性能的射频开关、模拟直流信号跟踪和数字控制逻辑以及阻抗控制等功能整合在一块芯片上。通过这些功能的整合,射频工程师得到许多好处,包括系统可以有更多功能,更好的性能,更小的外形尺寸,可靠性和灵活性。
 
特性、包装、价格和供货
 
    Peregrine的PE42020是真正的直流射频开关,它配置成单刀双掷(SPDT),频率范围很宽,从直流(零赫兹)直到8000 MHz。PE42020可配置50欧姆吸收电阻或开路反射,能够通过很大功率,在0赫兹时为30 dBm,在8 GHz时为36 dBm。它的线性度很好,在8GHz时,IIP3为62 dBm;总谐波失真(THD)优异,为-84 dBc;38 dBm的高功率0.1分贝压缩点。PE42020的开关速度很快,为10微秒,过渡过程时间很短,为35微秒,在所有引脚上的人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)保护电压额定值为1000V。此外,它的射频端口可以通过的直流电压或交流电压的峰值为+ 10V至-10V的范围,通过有源射频端口的直流电流高达80毫安。这种类型的开关,这是第一个。样品、评估工具和量产产品现在已经上市。PE42020符合RoHS标准,使用20引脚4×4 mm的QFN封装,订购数量为1千片时的价格是每个14美元,订购数量为5千片时的价格是11.35美元。
特性 UltraCMOS PE42020
真正的直流射频开关
配置 单刀双掷(SPDT)
频率范围 0 Hz-8000 MHz 
传送功率的能力高 · 30 dBm (在 0 Hz时)
· 36 dBm(在 8 GHz时)
可以使用的最高电压 ±10V(直流或者交流峰值电压)
优异的线性度 IIP3为62 dBm 
总谐波失真度(TSD)  -84 dBc
大功率 0.1dB压缩点 38 dBm (在8 GHz时的典型值)
过渡过程时间 35 μs
开关时间 10 μs
静电放电(ESD)保护额定电压很高 1000V (人体放电模型,所有引脚)
温度范围 -40至+85°C
支持的逻辑电平 1.8V、3.3V
封装 20引脚、 4 x 4 mm QFN
 
关键字:直流射频开关  Peregrine  UltraCMOS 编辑:chenyy 引用地址:Peregrine半导体公司宣布业界第一个真正的直流射频开关上市

上一篇:基于SAR ADC的欠采样应用和技术(一)
下一篇:Peregrine半导体公司推出40 GHz射频SOI开关

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 21:03

Peregrine公司在大中华市场推UltraCMOS®Global1射频前端
北京- 电子设计创新会议(EDI CON 2014)─ 2014年4月9日─ Peregrine半导体公司(纳斯达克股票代码:PSMI )是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱,今天,在电子设计创新会议(EDI CON 2014)上,宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global 1是行业中第一个可重构射频前端( RFFE )系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件,UltraCMOS Global 1是单一平台的设计── 一个SKU,全球使用──能够在全球所有地区运作。该系统包括产业界第一个LTE CMOS功率放大器(PA),它达到砷化
[模拟电子]
<font color='red'>Peregrine</font>公司在大中华市场推<font color='red'>UltraCMOS</font>®Global1<font color='red'>射频</font>前端
Peregrine和村田制作所启动2015年关于UltraCMOS® Global 1的合作
这项合作包括UltraCMOS Global 1 PE56500的发布, 以及把村田制作所的滤波器和封装技术整合到射频前端解决方案中 意大利巴塞罗那-世界移动大会 -Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进的射频解决方案的先驱,与村田制作所共同宣布关于2015年UltraCMOS Global 1的合作。两家公司的这项合作将在2015年世界移动通信大会上举行的UltraCMOS Global1 PE56500产品演示会上启动。UltraCMOS Global1 PE56500产品演示会地点是2号馆2A28MR会议室。通过这项新的合作,将把全CMOS射频前端解决方案P
[模拟电子]
派更半导体公司宣布可量产供应开创性的UltraCMOS60 GHz RF SOI开关
RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布,其可立即量产供应UltraCMOS® 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓(GaAs)技术主导的频段。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 这两种60 GHz开关在所有关键射频参数上均表现出杰出的性能,最高开关速度仅8纳秒。PE42525是5G系统中测试与测量(T&M)设备、微波回传解决方案及更高频率开关的理想选择。PE426525扩展了适用温度区间,成为工业市场中严苛环境应用的首选。 派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示:“去年10月初,
[半导体设计/制造]
小广播
最新模拟电子文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved