解读集成电路产业“十一五”专项规划

　　集成电路作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业，在推动经济发展、社会进步、提高人民生活水平以及保障国家安全等方面发挥着重要作用，已成为当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志。

　　“十一五”期间，大力发展集成电路产业，尽快建立一个自主创新能力不断提高、产业规模不断扩大的产业体系，对于保障信息安全、经济安全，增强国防实力，以及推动社会进步，提高人民生活水平，具有极其重要的战略意义和现实意义。

　　按照《国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要》中“大力发展集成电路、软件和新型元器件等核心产业”以及《信息产业“十一五”规划》中“完善集成电路产业链”的总体要求，在深入研究、广泛调研的基础上，突出集成电路行业的特点，编制集成电路专项规划，作为集成电路行业发展的指导性文件和加强行业管理的依据。

　　“十五”回顾

　　产业和市场规模迅速扩大。自从18号文件颁布以来，我国集成电路产业进入发展最快的历史阶段。2005年集成电路产量达到266亿块，销售收入由2000年的186亿元提高到2005年的702亿元，年均增长30.4%，占世界集成电路产业中的份额由1.2%提高到4.5%。市场规模迅速扩大，2005年我国集成电路市场规模较2000年翻了两番，达到3800亿元，占全球比重达25%，成为全球仅次于美国的第二大集成电路市场。

　　部分关键技术领域取得突破。32位CPU芯片、网络路由交换芯片、GSM/GPRS手机基带芯片、TD-SCDMA基带芯片、数字音视频和多媒体处理芯片、第二代居民身份证芯片等一批中高端产品相继研发成功并投入市场，产品设计能力达到0.18微米，集成度超过千万门；集成电路芯片生产线工艺水平达到12英寸0.13微米，90纳米工艺技术研发取得进展，与国外先进水平之间的差距明显缩小；分辨率193nmArF准分子激光步进扫描投影光刻机、100nm大角度离子注入机、100nm高密度离子刻蚀机等重大技术装备取得重要突破。

　　产业结构日趋合理。我国集成电路产业已初步形成了设计、芯片制造和封装测试三业并举、较为协调的发展格局。经过“十五”的发展，设计业和芯片制造业在产业中的比重显著提高，由2000年的31%提高到2005年的50.9%，封装与测试比重由同期的69%下降到49.1%，较为合理的产业结构初步形成。

　　骨干企业成长迅速。2005年销售额过亿元的集成电路设计公司已近20家，一批集成电路设计公司成功上市。上海华虹NEC电子有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司等企业的工艺技术水平大幅提高，国际竞争力显著增强，成为全球第七位和第三位芯片加工企业。2005年销售额过10亿元的封装测试企业超过10家，江阴长电科技股份有限公司、南通富士通微电子股份有限公司、天水华天科技股份有限公司等封装测试企业产能不断扩大，技术水平不断提升。

　　产业集群效应凸显。集成电路产业集聚效应明显，2005年长江三角洲、京津地区集成电路销售额之和达到644.17亿元，占同年全国总销售额的91.7%。国家(上海)集成电路产业园、国家(苏州)集成电路产业园等5个国家级集成电路产业园区集聚和辐射带动作用日益显现。

　　产业环境逐步改善。《鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》(国发[2000]18号)的颁布实施，集成电路专项研发资金的设立，知识产权保护力度不断加强，为我国集成电路产业提供了良好的政策环境，极大地调动了国内外各方面投资集成电路产业的积极性，5年来吸引外资累计约160亿美元。

　　尽管“十五”期间成绩显著，但是集成电路产业仍存在诸多问题。产业政策尚未完全落实到位，投融资环境还有待进一步改善；自主创新能力薄弱，缺乏核心技术和自主品牌；产业研发投入严重不足，总体技术水平与国外有很大差距；制造技术以代工为主，缺乏自主品牌；产业规模小，与国内市场规模差距较大；产品结构滞后于市场需求，进出口贸易逆差不断扩大；集成电路专用材料及设备自给率低，集成电路产业链并未完善；集成电路高级专业人才缺乏。

　　“十一五”面临的形势

　　(一)集成电路技术发展趋势

　　市场和技术双重驱动创新。第三代移动通信、数字电视、下一代互联网等领域重大技术和市场的快速发展，“三网融合”的不断推进，驱动集成电路产业的技术创新和产品创新。多技术、多应用的融合将催生新的集成电路产品出现，纳米技术的发展、新体系架构等新技术发明也在孕育着新的突破。

　　集成电路设计新技术不断涌现。随着90纳米及以下微细加工技术和SoC设计技术的发展，软硬件协同设计，高速、高频、低功耗设计，IP复用、芯片综合/时序分析、可测性/可调试性设计，总线架构、可靠性设计等技术将得到更快的发展和更广泛的应用。

　　65纳米～45纳米工艺将实现产业化。“十一五”期间，12英寸、65纳米～45纳米微细加工工艺将实现工业化大生产，铜互联工艺、高K、低K介质材料等将大规模采用；新型栅层材料、下一代光刻技术、光学和后光学掩模版、新型可制造互连结构和材料、光刻胶等工艺、材料将成为技术研发的重点；SOI、SiGe等材料显示出了良好的应用前景。

　　适应更高要求的新型封装及测试技术成为主流。集成电路封装正向高密度、高频、大功率、高可靠性、低成本的方向发展。球栅阵列封装(BGA)、芯片倒装焊(Flipchip)、堆叠多芯片技术、系统级封装(SiP)、芯片级封装(CSP)、多芯片组件(MCM)等封装类型将是“十一五”期间的主流封装形式。随着芯片性能的提高和规模的扩大，测试复杂度不断提高，自动测试技术和测试设备将快速发展，高速器件接口、可靠性筛选方法、高效率和低成本的测试技术等将成为测试的发展重点。

　　(二)集成电路市场分析

　　从上世纪70年代以来，世界集成电路市场虽有波动，但仍保持了年均约15%的增长率。经历了2001年的衰退后，世界集成电路市场销售额逐年增长，2005年实现销售额1928亿美元，达到历史最高水平。预计“十一五”期间，集成电路整体市场将保持平稳增长，波动幅度将趋缓，到2010年世界集成电路市场规模约为3000亿美元，平均增长率约14%。微处理器与微控制器、逻辑电路和存储器等三大类通用集成电路仍将占据主要市场，专用集成电路市场将较快增长。

　　未来5年，我国集成电路市场将进一步扩大，预计年均增长速度约为20%，到2010年，我国集成电路市场规模将突破8300亿元(2006～2010年我国集成电路市场需求预测见下表)，采用0.18微米及以下技术的产品将逐步成为市场的主流产品，产品技术水平多代共存将是我国集成电路市场的特点。信息技术的快速发展，新应用领域的出现如移动通信、数字音视频产品、智能家庭网络、下一代互联网、信息安全产品、3C融合产品、智能卡和电子标签、汽车电子等的需求将形成集成电路新的经济增长点。“十一五”期间我国集成电路进口额年均增长率将在15%以上，贸易逆差局面难以得到改变。

　　(三)集成电路产业面临的环境

　　国内产业政策环境将不断改善。中央、地方各级政府和有关部门高度重视集成电路产业的发展，《进一步鼓励软件产业与集成电路产业发展的若干政策》等政策的出台，将为集成电路产业发展提供更加有利的政策环境。

　　投资强度和技术门槛越来越高。1条12英寸集成电路前工序生产线投资规模超过15亿美元，产品设计开发成本上升到几百万美元乃至上千万美元。企业的资金实力和技术创新能力成为竞争的关键。

　　国外高端技术转移限制仍将继续。作为战略性产业，全球主要发达国家越来越重视集成电路产业发展，为保持其领先地位，仍将控制关键技术装备、材料、高端设计和工艺技术向发展中国家转移，国内产业面临的技术挑战仍将长期存在。

　　知识产权和专利等摩擦将加剧。随着全球化竞争的不断深入，跨国公司利用其在技术、市场和资金的主导地位，更多地采用知识产权等技术手段开展竞争，国内企业发展面临各方面的压力。

　　“十一五”发展思路与目标

　　(一)发展思路

　　继续落实和完善产业政策，着力提高自主创新能力，推进集成电路产业链各环节协调发展。以应用为先导、优先发展集成电路设计业；积极发展集成器件制造(IDM)模式，鼓励新一代芯片生产线建设，推动现有生产线的技术升级；提升高密度封装测试能力；增强关键设备仪器和基础材料的开发能力。形成以设计业为龙头、制造业为核心、设备制造和配套产业为基础，较为完整的集成电路产业链。

　　设计业：鼓励设计业与整机之间的合作，加快涉及国家安全和量大面广集成电路产品的设计开发，培育一批具有较强自主创新能力的骨干企业，开发具有自主知识产权的集成电路产品。

　　制造业：鼓励现有生产线的技术升级和改造，形成90纳米工艺技术的加工能力；积极发展集成器件制造(IDM)模式，鼓励新一代芯片生产线建设；引导产业向有基础、有条件的地区集聚，形成规模效应。

　　封装测试业：加快封装测试业的技术升级。积极调整产品、产业结构，重点发展 SIP、Flipchip、BGA、CSP、MCM等先进封装技术，提高测试水平和能力。

　　材料、设备等支撑业：以部分关键设备、材料为突破口，重视基础技术研究，加快产业化进程，提高支撑能力。

　　(二)发展目标

　　1.主要经济指标

　　到2010年，我国集成电路产业产量达到800亿块，实现销售收入约3000亿元，年均增长率达到30%，约占世界集成电路市场份额的10%，满足国内30%的市场需求。
　
　　2.结构调整目标

　　到2010年，集成电路产业结构进一步得到优化，芯片设计业在行业中的比重提高到23%，芯片制造业、封装与测试业比重分别为29%和48%，形成基本合理的产业结构。

　　3.技术创新目标

　　到2010年，芯片设计能力大幅提升，开发一批具有自主知识产权的核心芯片，主流设计水平达到0.13μm～90nm；国内重点整机应用自主开发集成电路产品的比例达到30%左右。芯片制造业的大生产技术达到12英寸、90nm-65nm；封装测试业进入国际主流领域，实现系统封装(SiP)、芯片倒装焊(Flipchip)、球栅阵列封装(BGA)、芯片级封装(CSP)、多芯片组件(MCM)等新型封装形式的规模生产能力。12英寸部分关键技术装备、材料取得突破并进入生产线应用。

　　重点任务

　　 (一)加快集成电路共性技术研发和公共服务平台建设

　　面向产业需求，建立企业化运作、面向行业的、产学研用相结合的国家集成电路研发中心，重点开发SoC等产品设计、纳米级工艺制造、先进封装与测试等产业链各环节的共性关键技术，为实现产业可持续发展提供技术来源和技术支持。

　　支持集成电路公共服务平台的建设，为企业提供产品开发和测试环境，在EDA设计工具、知识产权保护、产品评测等方面提供公共服务，促进中小企业的发展。

　　(二)重点支持量大面广产品的开发和产业化

　　面向高清晰度数字电视、移动通信、计算机及网络、信息安全产品、智能卡及电子标签产品、汽车电子等市场需求大的整机市场，引导芯片设计与整机结合，加大重点领域专用集成电路(ASIC)的开发力度，重点开发数字音视频相关信源、信道芯片、图像处理芯片，移动通信终端基带芯片、高端通信处理芯片、信息安全芯片等量大面广的产品，形成一批拥有核心技术的企业和具有自主知识产权的产品。

　　(三)增强芯片制造和封装测试能力

　　提高产业控制力，支持“909”工程升级改造；继续坚持对外开放，积极利用外资，鼓励集成器件制造(IDM)模式的集成电路企业发展，促进设计业、制造业的协调互动发展；重点发展12英寸集成电路生产线，建设5条以上12英寸、90纳米的芯片生产线；建设10条8英寸0.13微米～0.11微米芯片生产线，提高6英寸～8英寸生产线的资源利用水平；加强标准工艺模块开发和IP核的开发，不断满足国内芯片加工需求。积极采用新封装测试技术，重点发展BGA、PGA、CSP、MCM、SIP等先进封装技术，扩大产业规模，提高测试技术和水平。

　　(四)突破部分专用设备仪器和材料

　　掌握6英寸～8英寸集成电路设备的制备工艺技术，重点发展8英寸～12英寸集成电路生产设备，包括光刻机、刻蚀机、离子注入机、平坦化设备、掺杂设备、快速热处理设备，划片机、键合机、硅片减薄机、集成电路自动封装系统等设备，具备为6英寸～8英寸生产设备进行维护和翻新能力；力争实现100nm分辨率193nmArF准分子激光步进扫描投影光刻机、高密度等离子体多晶硅刻蚀机、大角度倾斜大剂量离子注入机等重大关键装备产业化；重点开发12英寸硅抛光片和8英寸、12英寸硅外延片，锗硅外延片，SOI材料，宽禁带化合物半导体材料、光刻胶、化学试剂，特种气体、引线框架等材料，为产业发展提供有力支撑。

　　(五)推进重点产业园区建设

　　发挥国家、地方政府和各产业园区的积极性，重点建设北京、天津、上海、苏州、宁波等国家集成电路产业园，不断优化发展环境、完善配套服务设施，引导集成电路企业落户园区，以园区内骨干企业为龙头，加强产业链建设，带动相关企业的发展，提高园区竞争实力。

　　政策措施

　　(一)加快制定法规与政策，进一步营造良好的产业环境

　　积极推进《软件与集成电路产业发展促进条例》的编制，加快推出《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业的若干政策》，加大知识产权保护力度，促进集成电路产业的健康发展。

　　(二)进一步加大投入力度

　　加大政府投入，形成集成电路专项研发资金稳定增长机制。研究设立“国家集成电路产业发展基金”，鼓励集成电路企业技术创新和新产品开发，促进行业技术进步；组织实施集成电路重大工程和国家科技重大专项，研发集成电路关键技术和产品；鼓励国家政策性金融机构重点支持重点集成电路技术改造、技术创新和产业化项目；支持集成电路企业在境内外上市融资；鼓励境内外各类经济组织和个人投资集成电路产业。

　　(三)继续扩大对外开放，提高利用外资质量

　　坚持对外开放，继续优化环境，大力吸引国(境)外资金、技术和人才。重点吸引有实力的跨国公司在国内建设高水平的研发中心、生产中心和运营中心，不断提高国内集成电路产业企业管理、市场开拓、人才培养能力。积极提高资源利用效率，完善外商投资项目核准办法，适时调整《外商投资产业指导目录》，优化产业布局，减少低水平盲目重复建设。

　　(四)加强人才培养，积极引进海外人才
　　
　　建立、健全集成电路人才培训体系，加快建设和发展微电子学院和微电子职业培训机构，形成多层次的人才梯队，重点培养国际化的、高层次、复合型集成电路人才；加大国际化人才引进工作力度，大力引进国外优秀集成电路人才；引入竞争激励机制，制定激发人才创造才能的奖励政策和分配机制，创造有利于集成电路人才发展的宽松环境。 二○○七年九月