近年来,在智能手机和可穿戴式终端等移动设备领域,对设备小型化的要求越来越高,在这样的背景下,ROHM推出了世界最小元器件RASMID(ROHM Advanced Smart Micro Device)系列,这一系列采用与传统截然不同的崭新工艺方法实现了器件的超小型化,并且保证了令人满意的精度(±10μm),自2012年此系列推出至今,推出了包括贴片电阻器、齐纳二极管、肖特基势垒二极管、TVS二极管在内的丰富产品阵容。
崭新工艺实现RASMID器件小型化,高可靠性
RASMID器件采用ROHM独有的技术,在贴片电阻器和二极管领域实现了超小型的封装尺寸,以贴片电阻器为例,其中01005尺寸(0402 mm)只有0.4mm*02mm*0.13mm,而新一代的贴片电阻器03015mm的尺寸仅为0.3mm*0.15mm*0.1mm,体积比01005尺寸(0402 mm)还减少了57%,对于电阻器03015mm的体积,ROHM半导体(深圳)有限公司分立器件部高级经理水原德健给出了形象的参照:“03015mm电阻器的厚度是100微米,而亚洲人一根头发的直径大约也是100微米,03015mm电阻器的厚度跟头发直径的大小是相当的。而PM2.5颗粒的直径是2.5微米,所以可以想象元器件真的是非常小的。”
把元器件做得如此之小,不禁令人担忧它的精度会不会不够理想,ROHM也非常重视产品的精度,一般产品的尺寸精度为±20μm,而RASMID产品则成功实现±10μm精度。所以元件尺寸波动极小,可以进行比以往更高密度的安装。
创新之处
底面电极 避免立碑现象
如图1所示,以往的电极采用多面焊接法。电极的横面和底面会产生焊锡的吸引力,因此会在红线方向产生拉力。如果焊锡的印刷位置和电极尺寸有偏差,会被接触面积大的一方拉引,产生立碑现象。而03015mm贴片电阻采用底面电极焊接的方式,只有底面会产生拉力,所以不易产生立碑现象。另外,由于03015mm贴片电阻器采用无角焊接,加之只有底面电极焊接,大大减小了元件与元件在电路板之间的距离,便于高密度安装(如图2)。
图2
高精度切割工艺,防止贴片剥落
据悉,RASMID系列元器件摒弃了以往元器件生产过程中“掰巧克力”式的切割方式,而是采用化学元素融化切割法,避免了器件表面毛刺的产生,并且防止了贴片剥落,保证了元器件的高可靠性。
然而,由于RASMID系列实现了元器件前所未有的小型化,并且在电极布局、焊接方式等方面实现了创新,所以对与RASMID系列相对接的外围技术提出了新的要求,主要是贴片机开发、编带机技术、印刷电路板需要与RASMID系列新的创新点相兼容。
RASMID产品阵容新增TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”
如今各种电子设备中,为保护电子电路不受静电(ESD:Electro Static Discharge)等影响,会使用齐纳二极管或低容量保护二极管。随着设备功能的增加,要求这类保护用的二极管小型且具有优异的ESD保护能力,因此,TVS二极管因特性项目较其他二极管丰富而使其需求量日益增加。
RASMID产品阵容新增的TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”尺寸仅为01005尺寸(0402mm),与以往的0201尺 寸(0603mm) 相比,面积缩减了56%,体积缩减了81%,实现了业界最小级尺寸,有助于智能手机等的更高密度安装。此次开发的新产品不仅实现了小型化,还可确保更卓越的ESD保护功能,是满足低压电路需求的TVS二极管。ROHM将利用本系列产品正式进军TVS二极管市场。
高可靠性结构
采用金电极,可焊性更高。另外,RASMID系列的芯片侧面采用了ROHM独有的切割加工技术。与以往产品相比,平面度显著提高, 抗外部冲击性能更强,抗开裂剥离强度更高。而且,平面度更高的 侧面还覆有绝缘膜,可防止偶发的焊球导致的短路。
图3
满足低压电路需求,实现反向工作电压(VRWM)3.3V
为延长电池的使用寿命,近年来,对低压电路的需求日益高涨。要实现小型化且要降低直接连接低压电路的反向工作电压,抑制漏电流一直是需要攻克的难题。此次开发的RASMID系列的TVS二极管,融合了齐纳击穿和双极技术,同时实现了低漏电流和低电压。反向工作电压(VRWM)达3.3V,非常有助于设备进一步节省电力。
图4
继承以往5.0V产品的优异ESD保护能力
通过优化结构,确保了与以往的0201尺寸(0603mm)5.0V产品同等的优异ESD保护能力。不仅实现了产品的小型化,还可防止静电导致的电路损坏和误动作,降低应用的负担。
图5
据悉,TVS二极管VS3V3BxxFS已于2015年10月开始出售样品(样品价格20日元/个:不含税),预计将于2016年1月开始暂以月产500万个的规模投入量产。前后道工序的生产基地均为ROHM Apollo Co., Ltd.(福冈县)
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本产品于世界首次成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实现更低损耗的同时还可减少部件个数。
生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),从6月份开始出售样品,从7月份开始陆续量产。
※根据罗姆的调查(截至2012年6月14日)
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