埃赋隆半导体推出全新高功能通用宽带LDMOS晶体管

发布者:EE小广播最新更新时间:2021-07-06 来源: EEWORLD关键字:埃赋隆半导体  LDMOS  晶体管 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

埃赋隆半导体推出全新高功能通用宽带LDMOS晶体管,以适应广播电视、工业、科学和医疗应用

 

image.png


荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体(Ampleon)宣布推出两款新的宽带放大器系列——额定电压为32V的BLP15M9Sxxx器件和额定电压为50V的BLP15H9Sxxx器件, 從而进一步加强其先进而又高性价比的射频功率放大器解决方案的产品组合。


BLP15M9Sxxx和BLP15H9Sxxx这两个系列分别基于公司的第9代LDMOS技术和高压LDMOS技术生产,并且均支持高达2GHz的频率。它们能够支持连续波(CW)和脉冲信号操作,并表现出更高的稳定性。BLP15MSxxx系列包括可提供100W、70W和30W功率的专用器件。BLP15H9Sxxx系列包括可提供100W、30W和10W功率的器件。BLP15M9Sxxx器件可提供大约75%的效率,而BLP15H9Sxxx器件的效率通常可达到65%。


这两种放大器IC可支持广泛的频率范围,这意味着它们非常适合各种不同的应用。这些应用涵盖从粒子加速器和等离子体发生器到MRI成像设备、工业加热系统、雷达装置以及广播电视。


埃赋隆半导体的BLP15M9Sxxx和BLP15H9Sxxx LDMOS放大器采用小尺寸SOT1482-1(直引线)形式和SOT1483-1(鸥翼)形式的封装供货。其高度鲁棒的结构确保了持续的可靠性。使用塑料封装有助于确保卓越的散热性能,同时降低单位成本。双侧静电放电(ESD)保护也集成到每个器件中。


关键字:埃赋隆半导体  LDMOS  晶体管 引用地址:埃赋隆半导体推出全新高功能通用宽带LDMOS晶体管

上一篇:可增强小基站和mMIMO驱动器系统的全集成型Doherty功率放大器
下一篇:​兼容SPICE的运算放大器宏模型

推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 02:31

意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管
意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管 • IDCH系列产品的输出功率在8W-300W之间,适用于频率最高4GHz的工业、科学、医疗、卫星、航空电子和雷达设备 • IDDE系列包含10W-700W产品,用于最高频率1.5GHz的商业、工业和科学宽带通信设备 • IDEV系列适合最高频率250MHz的工业、科学、医疗应用,包括驱动大功率CO2激光器、等离子体发生器和MRI系统,以及最高频率1.5GHz的航空电子和雷达设备 中国,2021年8月13日——意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品,该产品家族有三个不同的产品系列,均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(P
[电源管理]
意法<font color='red'>半导体</font>推出新的射频<font color='red'>LDMOS</font>功率<font color='red'>晶体管</font>
英特尔10nm工艺揭秘:2.7倍晶体管密度,首次使用贵金属钌
英特尔现在的主力工艺依然是14nm,10nm遭遇量产,不过联想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架构的Core i3-8121处理器,通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2,是14nm节点的2.7倍,而且英特尔首次使用了贵金属钌。 英特尔现在的主力工艺依然是14nm,目前已经发展了三代14nm工艺,将会一直用到2019年底,之后才会升级10nm工艺。不过10nm处理器最近已经上市了,联想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架构的Core i3-8121处理器,通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2,是14nm节点的2.7倍,而且英
[嵌入式]
安森美半导体GaN晶体管追求更快、更智能和更高能效
第三代半导体材料 氮化镓(GaN),作为时下新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势。与硅器件相比,GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃,广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计,以及电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等终端领域。为了满足市场对GaN的需求,安森美半导体与Transphorm联合推出第一代Cascode GaN,共同推动GaN市场的发展。 GaN的优势 从表1可见,GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度,和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率,这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计,因而表现出低损耗并提供高开关频率,而低损耗加上宽带宽器件
[半导体设计/制造]
安森美<font color='red'>半导体</font>GaN<font color='red'>晶体管</font>追求更快、更智能和更高能效
Diodes全新集成高压稳压器晶体管
  Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出ZXTR2000系列高压稳压器,把晶体管、Zener二极管及电阻器集成到一个标准SOT89封装,通过减少器件数量和占位面积,提升电路的功率密度。这些器件主要用于网络、电信和以太网供电 (Power over Ethernet,简称PoE) 应用,可以有效的为48V 直流-直流电源的变压器初级端控制器调节电压。   ZXTR2005Z、ZXTR2008Z和ZXTR2012Z稳压器晶体管的额定输入电压为48V,并且产生5V、8V及12V的固定输出电压,为设计人员提供一般线性稳压器所不能提供的高压稳压功能。   这些器件的输入和负载稳压功能通过防止瞬态电压
[电源管理]
Diodes全新集成高压稳压器<font color='red'>晶体管</font>
苹果自研电脑芯片M1亮相:5纳米工艺 有160亿个晶体管
11月11日凌晨消息,苹果公司举办今年秋季第3场活动。毫无疑问,这场活动的主角是苹果在WWDC开发者大会上预告的自研电脑芯片。时隔4个多月,搭载这颗苹果自研芯片的Mac终于来到我们面前。   苹果正式发布第一款用于Mac的自研电脑芯片M1。苹果公司表示,M1芯片实现了巨大飞跃,它能够让Mac成为完全不同的产品。这颗芯片采用5纳米制程工艺,CPU、GPU、缓存集成在一起,其中包含160亿个晶体管。   苹果M1芯片拥有8核CPU,其中4颗为高性能核心,另外四颗为高能效核心。此外,这颗SoC还具备8核GPU。
[手机便携]
苹果自研电脑芯片M1亮相:5纳米工艺 有160亿个<font color='red'>晶体管</font>
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
【2024年7月9日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。 这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能,确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测,未来五年GaN器件市场的年复合增长率(CAGR)将达到46%。 CoolGaN™ G3系列晶体管和CoolGaN™ G5系列晶体管 英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White
[半导体设计/制造]
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN<font color='red'>晶体管</font>系列
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%
2023 年 5 月 24 日,中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术,引入氧化物填充沟槽工艺,集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身,实现高效的开关性能。因此,STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ (在 VGS = 10V 时),高效运行频率达到600kHz。 STripFET F8技术还确保输出电容值可以减轻漏源电压尖峰,最大程度地减少充放电能量浪费。 此外,这款M
[电源管理]
意法<font color='red'>半导体</font>发布100V工业级STripFET F8<font color='red'>晶体管</font>,优值系数提高 40%
大功率晶体管驱动电路的设计及其应用
摘要:介绍了大功率晶体管(GTR)基极驱动电路的设计,分析了基极驱动电路的要求及其设计方法,并给出一种实用的驱动电路。 关键词:大功率晶体管;基极驱动电路;分析;设计   1 引言 作为逆变电路中的核心部件——大功率开关器件,一般分为三大类型,即双极型、单极型和混合型。双极型GTO、GTR、SITH等;单极型有功率MOSFET、SIT等;混合型有IGBT、MGT(MOS门极晶体管)等。这些大功率器件的运行状态及安全性直接决定了变频器和逆变器性能的优劣,而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。本文重点介绍GTR的基极驱动电路。 大功率晶体管(GiantTransistor—GTR)也称巨型晶体管,是
[电源管理]
大功率<font color='red'>晶体管</font>驱动电路的设计及其应用
小广播
最新模拟电子文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved