Maxim有源辐射限制(AEL)电路

最新更新时间:2007-05-21来源: Maxim中文网站关键字:音频  功率  放大  电磁 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
本应用笔记探讨Maxim的第三代D类音频功放技术,能够在消费电子产品中实现“无滤波”工作。确切地说,本文说明了Maxim的新一代、正在申请专利的有源辐射抑制电路,能够在不降低音频性能的情况下把辐射降至最小。

Maxim第二代D类音频功率放大器的特征是利用了独特的、拥有专利的扩谱调制,在较宽频带内展宽频谱分量,从而改善扬声器和电缆辐射EMI。Maxim的第三代D类音频功率放大器采用了相同的扩谱调制技术,并在这项技术的基础上增加了一项新的、正在申请专利的有源辐射抑制电路(AEL),在不降低音频性能的情况下进一步降低窄带频谱分量。这两项专有技术的有机结合,使得Maxim的D类音频功率放大器(如MAX9705)能够在“无滤波”工作条件下驱动长达24英寸的非屏蔽电缆,并能满足EN55022电磁干扰(EMI)规范的要求。Maxim将AEL电路用于D类放大器,在维持D类放大器高效率的同时,使电磁辐射降至最小。本文对Maxim的这一技术进行了阐述。

Maxim第三代D类放大器技术

Maxim第三代D类放大器的特点是采用了Maxim的扩谱调制技术,并在这项技术的基础上增加了一项新的、正在申请专利的有源辐射抑制电路(AEL),该电路能进一步降低窄带频谱分量。在所有可能的瞬变输出情况下,AEL电路能有源控制输出FET的栅极瞬态切换过程,极大降低了EMI辐射。在对放大器效率产生最小影响的情况下,有源辐射抑制电路对每栅极驱动信号的摆率进行控制,使信号满摆以及高开关频率引起的辐射降至最低,其负面影响是可能造成放大器效率略有下。

由于D类放大器的高效率源自输出FET的满摆幅驱动和快速通/断瞬变过程(图1),对边沿速率的控制会在一定程度上影响D类放大器的效率。

缩短信号的上升、下降时间可以加快瞬态过程,提高放大器效率。如果增大开关切换时间,放大器的效率将会降低。AEL电路工作时,通过智能化管理输出FET的栅极驱动信号,使得D类放大器在提高电磁辐射抑制的同时能够获得最高效率。

MAX9705 D类AEL放大器

MAX9705是一款具有超低EMI的单声道D类放大器,采用了Maxim的第三代D类放大器技术。在使用12英寸非屏蔽双绞线扬声器电缆时,MAX9705能够提供高达90%的效率,完全满足FCC的辐射限制指标,并留有15.8dB的裕量(图3)。特别值得一提的是,在使用24英寸非屏蔽双绞线扬声器电缆时,MAX9705同样符合FCC的要求(图4)。

除了优异的EMI性能外,MAX9705 IC还具有0.02%的低THD+N、75dB的高PSRR和0.3uA低功耗关断模式。MAX9705提供10引脚TDFN(3mm×3mm×0.8mm)封装、 10引脚uMAX和12焊球UCSP(1.5mm×2mm×0.6mm)封装,如需了解更多信息,请参考MAX9705数据资料。

结论

Maxim的第三代D类放大器的电磁辐射指标可以使D类放大器在消费电子设备中真正做到“无滤波”工作。同时,扩谱调制和有源辐射抑制电路(AEL)减少了外部元件数目,可有效延长电池寿命,在不牺牲效率的前提下,Maxim的第三代D类放大器能够达到AB类放大器的性能。另外,“无滤波”技术提供了更小、更高性价比的解决方案,成为蜂窝电话、MP3、PDA和笔记本电脑等产品的理想选择。

关键字:音频  功率  放大  电磁 编辑: 引用地址:Maxim有源辐射限制(AEL)电路

上一篇:AD7656的原理及在继电保护产品中的应用
下一篇:数显电容高低调节器的原理与应用

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:12

OPA128构成的电荷放大器电路图
  所谓电荷放大器是指用于放大来自压电器件的电荷信号的放大电路。这类放大电路的信号源的内阻抗极高,同时其电荷信号又很微弱,信号源形成的电流仅为pA级,因而要求电荷放大器具有极高的输入电阻和极低的偏置电流,否则当放大器的偏置电流与信号电流相近时,信号可能被偏置电流所淹没,而不能实现正常放大。另外,通常意义下的高阻抗(1012Ω)放大电路无法使用。为此常采用静电型集成运放OPA128组成的放大电路。如图所示为OPA128构成的电荷放大器。
[电源管理]
OPA128构成的电荷<font color='red'>放大</font>器电路图
基于NS4158的单声道数字音频功放
功能说明 NS4158 是一款带防失真功能,超低 EMI,无需滤波器,5W 高效率的单声道数字音频功放。独特的防失真功能可以通过检测输出信号的失真,动态调整系统增益,不仅有效防止过载输出对喇叭的损坏,同时带来舒适的听觉感受。实际应用可以通过软件或者硬件设置放大器工作在防失真模式和普通模式。软件是通过一线脉冲控制,硬件是通过电平控制。应用非常灵活。NS4158 采用先进的技术,在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰,最大限度地减少对其他部件的影响。其输出无需滤波器的 PWM 调制结构及反馈电阻内置方式减少了外部元件、PCB 面积和系统成本。NS4158 在 5V 的工作电压时,能够向 2Ω负载提供 5W 的输出功率。 NS41
[嵌入式]
基于NS4158的单声道数字<font color='red'>音频</font>功放
功率半导体需求成长,罗姆加大SiC产能投资
日本半导体产业在2017年因国际景气好转而表现良好,但厂商同时也看出PC与手机半导体市场走入极限,因此利用这个机会希望积极转型,据日刊工业新闻报导,罗姆半导体(Rohm Semiconductor)要让汽车及工业设备占营收过半,并在2026年3月以前投资600亿日圆(约5.6亿美元),让SiC功率半导体产能提高16倍。   日本京都新闻(Kyoto Shimbun)采访罗姆社长泽村谕,泽村谕表示,由于电动车与插入式油电混合车的市占率逐渐提高,加上自动驾驶车也将增多,电源相关IC需求持续成长;自动化生产则让机器人马达相关零件销售增加,还有智能电表与通信设备销售看好,这都带动功率半导体需求成长。   泽村谕表示,其中最值得注意的产品,
[半导体设计/制造]
运算放大器--单通道、双通道、四通道优缺点及结构
Bob Widlar曾提出一个重要观点,即集成电路(IC)的设计依据应该是比例和匹配,而不是电阻和晶体管的绝对值。这个原理同样适用于需要多个运算放大器的PCB(印制电路板)设计。   双通道运放真的是两运放,还是一硅片具备两功能?   人们常常认为双通道运放等同于两个单通道运放,但在电路板上,单片双通道IC与两个单通道IC之间还是存在一些细微差别,这些差别可能会给新的设计带来问题。由于两个运放在相同的单个硅片上并排放置,因此在使用双通道放大器时需要考虑电气和散热因素。   业界研究热效应已经有30多年的历史了,并且在Solomon引用的一篇前50强IEEE论文有详细的论述 。随着运放输出电压的改变,散热量也随之改
[模拟电子]
运算<font color='red'>放大</font>器--单通道、双通道、四通道优缺点及结构
单片开关电源瞬态干扰及音频噪声抑制技术
    摘要: 为确保单片开关电源正常工作,必须在电路设计和制造工艺上采取相应措施,有效地抑制瞬态干扰及音频噪声,为此阐述其抑制方法与改进电路。     关键词: 单片开关电源 瞬态干扰 音频噪声 抑制 电磁兼容性     本文介绍抑制TOPSwitch和TinySwitch系列单片开关电源瞬态干扰及音频噪声的方法,这对提高其电磁兼容性(EMI)至关重要。 1 抑制瞬态干扰     瞬态干扰是指交流电网上出现的浪涌电压、振铃电压、火花放电等瞬间干扰信号,其特点是作用时间极短,但电压幅度高、瞬态能量大。瞬态干扰会造成单片开关电源输出电压的波动;当瞬态电压叠加在整流滤波后的直流输入电
[应用]
用于音频放大器的多路输出反激式电源
传统的音频系统通常使用基于线性变压器的电源,不但体积笨重,而且随着原材料价格的飞涨,制造成本日益昂贵。本文将为您介绍使用Power Integrations PKS607YN设计的一款75 W/126 W峰值输出电源。PeakSwitch产品系列为高质量的音频及视频产品电源提供出色解决方案,为高动态内容的音乐提供稳定的功率输出。降低了THD(总谐波失真),并极大地提高了音频的质量。如下介绍的设计使用一个PeakSwitch器件设计一个多路输出的电源,并使用一个合适的磁放大器控制电路来确保两个主输出上的交叉稳压。 电源电路   图1中所示的通用输入电源有多路输出:±26 VDC、±15 VDC和+5 VDC。±26 V输出都可以
[电源管理]
用于<font color='red'>音频</font><font color='red'>放大</font>器的多路输出反激式电源
射频功率测量技术及其应用
0 引言 射频功率计一般由功率传感器(亦称功率探头)、功率检测电路和显示装置组成。功率计分吸收式(又称终端式)和通过式两种,前者是以功率传感器探头作为被测系统的终端负载,由它吸收全部被测功率,最后通过显示器显示出被测功率值。 测量射频功率有4种方法: ①利用二极管检测功率法; ②等效热功耗检测法; ③真有效值 直流( TRMS DC)转换检测功率法; ④对数放大检测功率法。下面分别介绍这4种方法并对各自的优缺点加以比较,最后阐述射频功率测量系统的优化设计。 1 利用二极管检测功率法 用二极管检测输入功率的电路如图1所示 图1(a)为简单的半波整流、滤波电路,该电路的
[测试测量]
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型
1. 简介 电机控制器的功率模块,即IGBT器件和续流二极管,在开关和导通电流会产生损耗,损失的能量会转化成热能,表现为功率模块发热。电机控制器功率模块的可靠性和寿命极大地受到工作结温Tj的影响。虽然IGBT和二极管的PN结温度无法直接测量,但可以通过间接的测量和计算来获取。当前,电机控制器功率模块结温的计算已成为大家普遍关注的焦点。下面我们来聊聊功率模块的结温计算及其模型。 对于功率模块中每个IGBT和二极管,损耗热功率都来自结,其值最高。它的瞬时值等于IGBT或二极管的I x V乘积。热量流过结构的热阻抗并散发到周围环境中。其热阻抗越低,结温与周围环境温度的差值越小。采用热等效回路模型来描述功率模块器件的热行为,如下图1:
[嵌入式]
聊聊IGBT<font color='red'>功率</font>模块的结温计算及其模型
小广播
最新模拟电子文章
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved