有奖直播｜安世半导体高功率 GaN FET 助力新一代高效的电源设计
最新更新时间：2020-09-02
阅读数：
电源转换效率是推动电力电子发展的重要因素，既是行业的关键性挑战，也是创新驱动力。氮化镓场效应晶体管具备极低的开关品质因数和非常快速的开关转换，实现高开关频率时的低损耗和高效率功率转换，能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。
安世半导体（以下简称“Nexperia”）采用级联结构的Cascode GaN，与传统Si-FET兼容的行业标准驱动器，驱动线路设计非常简单。采用久经考验的SMD CCPAK铜夹片封装技术，以真正创新的封装提供了业界领先的性能，同时提供顶部散热和传统的底部散热设计以增加设计灵活性并进一步提高散热能力。
欢迎大家报名直播，一起了解Nexperia高功率 GaN FET如何助力新一代高效电源设计。
直播时间：
9月17日（周四）上午10:00-11:3
报名方式：
点击>>“ 我要报名 ”，填表即可。预报名观看或直播中提问均有机会获赠精美礼物呦~
技术资料：
直播讲师：
陈秋明
Nexperia GaN FET首席应用工程师
陈秋明先生于2008起一直从事能源相关研发工作，在能源电源及半导体行业拥有10年以上的工作经验。于2018年加入Nexperia，担任首席高功率GaN FET的应用工程师，负责产品线在大中国区的产品推广及技术支持，对高功率GaN FET的优越性能及其在工业、汽车行业的应用方面拥有丰富的知识及经验。
礼品设置：
富光随手杯、小米耳机、香山电子秤、小米电子体温计
技术交流群：
添加微信好友：helloeeworld1 ，注明：参与 Nexperia 9月17日直播，即可入群，所有活动问题均可在群里提问。
点击阅读原文，了解直播详情！
聚焦行业热点， 了解最新前沿
敬请关注EEWorld电子头条
https://www.eeworld.com.cn/mp/wap
复制此链接至浏览器或长按下方二维码浏览
以下微信公众号均属于
EEWorld（www.eeworld.com.cn）
欢迎长按二维码关注！
EEWorld订阅号：电子工程世界
EEWorld服务号：电子工程世界福利社
京公网安备 11010802033920号