台湾发力DRAM，新建12吋晶圆厂
最新更新时间：2022-05-31
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台塑集团旗下DRAM大厂南亚科（2408）斥资3,000亿元新建12吋厂取得建照后，敲定6月23日举行动土典礼。这是台塑集团近十年来在科技领域最大手笔投资，也是未来抢搭下世代AI、5G、伺服器和元宇宙商机的重要一步。
南亚科已向供应商与媒体发出动土典礼邀请函，仪式由台塑集团总裁王文渊亲自主持，凸显集团对此事的重视。
台塑集团半导体事业布局广，除了南亚科之外，还有上游矽晶圆厂台胜科、载板厂南电、后段封测厂福懋科，发挥上下游垂直整合综效。南亚科在全球记忆体市占率约3%，规模是龙头三星的16分之1，在韩厂独大的状况下，南亚科以专注利基型记忆体为方向，并自行研发技术。
根据南亚科规划，12吋新厂落脚新北市泰山南林科学园区，总投资额高达3,000亿元，目标2025年开始装机量产，采用10奈米制程技术生产DRAM，月产能约4.5万片，代表台塑集团正式迈向DRAM技术自主。
南亚科积极投入自主技术研发，2020年初开发出10纳米级DRAM新型记忆体技术，同时确立下世代10纳米DRAM将采用自主研发技术，不再走授权模式。
业界强调，DRAM技术自主化的开端，不仅是南亚科的重要里程碑，也是台塑集团在半导体布局上的另一个高峰。南亚科总经理吴嘉昭曾说，DRAM是所有电子产品智能化的关键元件，是半导体产业极为重要的一环，所以投资兴建先进晶圆厂，让南亚科不仅成为台湾的DRAM领导者，更是全球关键记忆体供应商。
高度垄断的DRAM，美韩三大供应商供应了94%
据icinsights报道，在过去的 30 年中，DRAM 市场的特点是经历了惊人的增长时期和多年的毁灭性崩溃（图 1）。最近几年，DRAM 市场在 2019 年下降了 37%，但在 2021 年飙升了 42%。在繁荣-萧条周期等多种原因的影响下，市场已将主要 DRAM 供应商的数量从 1990 年代中期的 20 家减少到只有 6 家今天。
当中，三星、SK 海力士和美光这三大供应商在 2021 年共同占据了 94% 的 DRAM 市场份额（图 2）。去年，总部位于韩国的三星和 SK 海力士占全球 DRAM 销售额的 71.3%。
凭借 44% 的市场份额，三星在 2021 年仍然是全球最大的 DRAM 供应商，销售额达到近 419 亿美元。三星去年在多个方面推进了其 DRAM 业务。在 2020 年 3 月率先使用极紫外 (EUV) 光刻技术后，三星于 2021 年 10 月开始量产基于 EUV 的 14nm DRAM。在此过程中，三星将其最先进的 14nm DDR5 上的 EUV 层数从两层增加到了五层DRAM工艺。
2021 年 11 月，三星表示已应用其 EUV 技术开发 14nm 16Gb 低功耗双倍数据速率 5X (LPDDR5X) DRAM，专门用于 5G、人工智能 (AI)、机器学习 (ML) 等高速应用大数据最终用途。该公司声称 LPDDR5X DRAM 提供高达 8.5Gbps 的数据处理速度（比现有的 6.4Gbps LPDDR5 设备快 1.3 倍），并且它的功耗比 LPDDR5 内存低 20% 左右。
该公司还推出了其首款支持新的 Compute Express Link (CXL) 互连标准的 DRAM 内存模块，并推出了专为自动驾驶电动汽车和高性能信息娱乐系统设计的 2GB GDDR6 和 2GB DDR4 汽车 DRAM。
排名第二且在 2021 年占据 28% DRAM 市场份额的是 SK 海力士，其 DRAM 销售额增长 39% 至 266 亿美元。DRAM 约占公司 2021 年半导体总销售额的 71%。其 DRAM 总销售额分成：服务器 DRAM，40%；移动 DRAM，35%；15% 来自 PC DRAM；消费和图形DRAM各占5%。
2021 年，SK 海力士发布了据称是业界性能最高的 DDR5 DRAM，其数据速度能够每秒传输 163 部全高清电影。该芯片被称为 HBM3，因为它是海力士的第三代高带宽内存。
与三星一样，SK 海力士也开始使用 EUV 光刻技术量产 8Gb LPDDR4 DRAM，其基于其第四代 10nm 级工艺，称为 1-alpha (1a nm) 工艺。
美光是 2021 年第三大 DRAM 供应商，销售额为 219 亿美元。美光的 DRAM 销售额增长 41%，占全球市场份额的 23%。总体而言，DRAM 约占美光 300 亿美元日历年 IC 总销售额的 73%。
2021 年，美光推出了其 1a nm 内存节点，该节点的设计部分是为了支持数据中心向 DDR5 DRAM 的过渡，受新 CPU 平台的推动，这些平台预计将在今年晚些时候开始爬坡，并在 2023 年获得发展势头。美光的 1a nm DRAM还应用于低功耗通信应用，包括 5G 智能手机。
美光使用不需要 EUV 光刻的技术制造其 1a nm DRAM。然而，该公司已经订购了 EUV 设备，并计划从 2024 年开始使用其 1-gamma (1g) nm 节点过渡到 EUV 技术来制造其 DRAM。
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