SiC将成为芯片行业的“钻石”

在残酷的半导体市场中，不少公司业务的一部分可能会受到打击。

对于某些涉及大量功率转换的应用，例如电动汽车中的逆变器和传动系统，使用碳化硅制成的芯片优于使用普通硅制成的芯片。它也是一种具有挑战性的材料，在硬度方面仅次于钻石，在今年早些时候的一份深入报告中，Matt Ramsay指出，简单地切割一个通常为 6 英寸宽的晶圆需要三个多小时。 

尽管如此，仅电动汽车市场就一直保持对碳化硅的需求旺盛。使用该材料生产碳化硅晶圆和芯片的上周报告称，9 月份季度的收入同比增长 54%至约 2.41 亿美元。安森美半导体通常被称为，现在仅在其一小部分业务中依赖碳化硅，但周一表示，其在 9 月季度该部门的收入是年初的三倍。

这些公司正在努力迅速扩大其碳化硅生产能力。不过，这让投资者感到震惊。Wolfspeed 和 OnSemi 的股价周一都受到重创，原因是人们担心在芯片需求总体下滑的市场中资本支出增加。在一次分析师会议上，Wolfspeed 表示，预计将在截至 6 月的本财年投资约 10 亿美元，并在下一年投资超过 20 亿美元。这将超过公司在这些时期的预计总收入。该公司还预计在未来三个财政年度内将在建设新生产设施时消耗现金。

OnSemi 的支出计划较为温和，但仍会留下印记。在周一的第三季度电话会议中，该公司表示，在过去五年平均为 8% 之后，未来几个季度资本支出占收入的百分比预计将上升至中高水平。 

两家公司在重大市场机遇面前仍处于强势地位。Ramsay 先生预计，未来五年碳化硅产品的收入将平均每年增长 35%。这帮助这两只股票今年跑赢了大多数半导体同行。但一些炒作也起到了一定的作用。

Wolfspeed 的股价在 8 月份公布第四季度财报后飙升 32%，但在上周发布报告后仅下跌 18%。最近的一份包括由于新生产工艺问题而令人失望的近期预测。这应该是对投资者的谦卑提醒，即碳化硅的规模化难度有多大；Wolfspeed 在35 年来一直在使用这种材料。

与此同时，OnSemi 的股价在 7 月份上涨，原因是有传言称该公司与电动汽车制造商特斯拉达成了一项向电动汽车制造商特斯拉供应碳化硅芯片的重大交易。该公司从未证实这些谣言，但即使周一下跌，该股也从未失去这种提振；OnSemi 在过去六个月中上涨了 19%，使其成为当时 PHLX 半导体指数中表现最好的公司。投资者预计 OnSemi 的汽车部门收入将在未来四个季度平均增长 22%，几乎是行业领导者恩智浦汽车部门在此期间预计增长的两倍。 

但正如 Wolfspeed 刚刚表明的那样，这个市场上没有股票是坚不可摧的。

全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo和半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 今天宣布，他们已经完成了一项多年碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。

该协议将促进国内半导体供应链的弹性和更大的能力，以支持对先进碳化硅解决方案快速增长的需求，特别是在汽车市场。随着客户采用 Qorvo 行业领先的第 4 代 SiC FET 解决方案，该协议还将为最终用户客户提供一定程度的保护和信心。

与传统硅相比，SiC 器件在处理高功率和导热方面更有效。当用于电动汽车 (EV) 系统组件时，可以更有效地将电能从电池传输到电机，从而将 EV 的行驶里程增加 5% 至 10%。

在2021年，射频解决方案的领先供应商Qorvo宣布，公司已收购位于新泽西州普林斯顿的 United SiliconCarbide (UnitedSiC)，一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商。据介绍，收购 United Silicon Carbide 将 Qorvo 的影响力扩大到快速增长的电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。

据报道，在收购之后，UnitedSilicon Carbide 将成为 Qorvo 基础设施和国防产品 (IDP) 业务的一部分，由 Chris Dries 博士领导，Chris Dries 博士曾任 United Silicon Carbide 总裁兼首席执行官，现在是 Qorvo 功率器件解决方案的总经理。

时任Qorvo IDP 总裁Philip Chesley 表示：“UnitedSiC加入我们的 IDP 事业部，显著扩大了我们在高功率应用领域的市场机会。此次收购使 Qorvo 能够提供高价值、一流的智能电源解决方案，涵盖电源转换、运动控制和电路保护应用。”

Dries 博士表示：“作为 Qorvo 的一部分，我们的团队很高兴能够扩展我们的 SiC 产品组合，并继续以速度和规模构建业务，努力通过业界最高性能的设备加速 SiC 的采用。我们的 SiC 技术，加上 Qorvo 互补的可编程电源管理产品和世界一流的供应链能力，使我们能够在高级应用中提供卓越的电源效率水平。”

当时新闻稿指出，United Silicon Carbide 的产品组合现在涵盖 80 多种 SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件。基于独特的共源共栅配置，最近发布的第 4 代 SiC FET 的额定电压为行业领先的 750V 和 5.9 毫欧RDS(on)，实现了对 EV 充电器、DC-DC 转换器和牵引驱动器至关重要的 SiC 效率和性能的新水平，以及电信/服务器电源、变速电机驱动器和太阳能光伏 (PV) 逆变器。