三星封装研究中心，落户日本

三星电子将在日本横滨建立先进的半导体封装研发（R&D）基地。该公司计划到2028年在该领域投资400亿日元。

日本经济产业省和横滨市12月21日宣布，三星电子将在横滨港未来21区设立先进封装实验室(APL)。由首相岸田文雄领导的日本政府在一次讨论半导体投资战略的公私合作论坛上透露了这一进展。政府宣布向三星提供200亿日元的资助，占总投资的一半。

三星电子的横滨研发基地预计将成为开发下一代封装技术的全球中心，这些技术通过在三个维度上堆叠芯片来增强芯片性能。该基地将重点研究用于人工智能和第五代移动通信（5G）的半导体后处理封装技术。

与日本半导体材料和设备供应商的合作是横滨研发基地的关键作用。据日本经济产业省称，三星电子计划与日本材料和设备公司共同开发先进的半导体技术。为此，该公司预计到2027年将在当地聘请100多名半导体专家。

日本拥有领先的半导体公司，包括世界第四大半导体设备制造商东京电子 (TEL)，以及佳能、TDK 和村田制作所等知名企业。这些公司向三星电子和SK海力士提供多种产品，包括用于绘制半导体电路图案的蚀刻设备。三星在先进半导体封装领域与台积电、英特尔并列第一。

半导体行业越来越认识到封装工艺在增强芯片性能方面的重要性。三星电子预计将通过其横滨基地加强其技术竞争力。

日本也准备通过三星电子的投资来增强其竞争力。此举是日本振兴半导体行业努力的一部分，吸引外国投资，包括 DRAM（美光）和 NAND 闪存（铠侠）、代工服务（蓝碧石半导体和台积电）以及现在先进的后处理封装基地。

去年5月韩国总统尹锡烈和首相岸田在峰会上达成加强半导体供应链的协议后，韩日合作迅速形成协作氛围。最初，三星电子计划投资300亿日元，但由于日本方面的积极游说，投资额和日本政府的补贴都增加了。日本政府还向台湾台积电提供4万亿韩元的补贴，覆盖其熊本新工厂一半的成本。

日本新任工业大臣齐藤健（Ken Saito）加倍履行政府支持国内芯片制造业的承诺。

他发表此番言论之际，日本已获得大量政府补贴和公司投资，其中芯片制造商美光宣布计划投资高达 36 亿美元将极紫外光刻 (EUV) 引入日本，台积电承诺投资约 7.4 美元亿美元在该国建立第二家半导体制造厂。

日本政府四月份承诺提供 5.32 亿美元用于在该国开发和制造下一代芯片的项目。其中包括与 Rapidus 达成协议，到 2025 年在日本生产 2nm 芯片，随后日本半导体设备制造商 JSR 在 6 月份接受了日本政府 64 亿美元的收购要约。

11 月，政府进一步宣布将拨款约 133 亿美元来促进国内半导体产业发展，预计资金将分配给制造和研发。

工业大臣 Ken Saito 在路透社报道的评论中表示：“政策制定和执行的速度堪称世界最快，从台积电选址决定开始就取得了具体成果。”

“我的工作是继续并扩大前部长西村康稔所建立的速度感，”他补充道。

由于陷入中美之间持续的贸易战的影响，日本也寻求加强其政治伙伴关系，以此作为加强其在半导体领域全球地位的手段。

7月，欧盟-日本数字伙伴关系成立，旨在改善两个地区之间的合作，重点关注海底电缆连接、量子和高性能计算（HPC）投资以及人工智能监管等相关问题。两国政府还承诺监控全球芯片供应链，并向寻求在欧盟运营的日本半导体公司提供支持。

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