技术加油站|如何最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能？

【最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能，需要优化栅极驱动器】

罗姆的开发力有目共睹，为了最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能，需要优化SiC-MOSFET的驱动、即栅极驱动器，以实现谁都可以轻松设计使用SiC-MOSFET的电源。“BD7682FJ-LB”正是以将SiC-MOSFET用于功率开关为前提开发的反激式转换器控制IC。

准谐振控制软开关的低EMI工作，突发模式下的轻负载时低消耗电流工作，具备各种保护功能的最尖端功能组成，且搭载为SiC-MOSFET驱动而优化的栅极箝位电路。另外，是工业设备用的产品，因此支持长期供应保证（-LB）。

＜BD7682FJ-LB＞

·         准谐振方式（低EMI）

·         SiC-MOSFET驱动栅极箝位电路

·         工作电源电压范围(VCC)：15.0V～27.5V

·         轻负载时突发脉冲工作、降频功能

·         工作电流：0.80mA(typ.)、
   突发时 0.50mA(typ.)

·         待机时低消耗电流：19µA

·         最大振荡频率：120kHz(typ.)

·         工作温度范围：-40℃～105℃

·         SOP-J8 封装
   (6.0×4.9mm，1.27mm 间距)

·         保护VCC UVLO，VCC OVP，
   各周期的过电流保护，
   ZT触发器屏蔽功能，ZT OVP，欠压保护

·         面向工业设备长期供应保证

【与Si-MOSFET解决方案相比，效率改善6%】

SCT2H12NZ与BD7682FJ-LB组成的AC/DC转换器与采用Si-MOSFET的电路比较中，确认效率改善达6%（在罗姆制造的参考板上的比较）。同时还可减少发热，因此电路也可小型化。下面是评估板与效率比较数据。

SCT2H12NZ与BD7682FJ-LB的评估板已作为“BD7682FJ-LB-EVK-402”在网上销售，因此可立即进行使用优化SiC-MOSFET的反激式转换器的评估。罗姆除该反激式转换器评估板之外，还备有全SiC模块的栅极驱动器评估板等。与以往的Si元器件相比具有优异特性的SiC-MOSFET，工作电路也需要优化，全部从没有参考的状态进行评估是非常艰苦而细致的工作。