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欧时精选|浅聊一下碳化硅和氮化镓在电子领域的应用

最新更新时间:2023-04-19
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碳化硅(SiC)氮化镓(GaN)是第三代半导体的两大主要代表,在禁带宽度、稳定性等方面优于第一代半导体硅(Si)和第二代半导体砷化镓(GaAs)。


随着科技的高速发展,手机、电脑甚至电动汽车对于高速运算、快速充电的需求越发强烈,越快的运算和充电速度势必产生更高的热量,而前两代半导体无法适应这样的使用需求,高能效、低能耗的第三代半导体受到行业追捧,越来越多地应用在电力电子领域的产品中。


作为半导体电路中关键的元器件,栅极驱动器可以起到放大来自微控制器或其他来源的控制信号,从而使其适应半导体开关的有效和高效运行的作用。


博通(Broadcom)作为全球有线及无线通讯半导体解决方案领域的杰出领导者及技术创新者,推出了若干型号的栅极驱动器,现在均可在欧时官网选购。



产品推荐


01

Broadcom 光耦

ACFL-3161系列

RS库存编号233-1199


特点:

  • 10A高输出峰值驱动电流

  • 紧凑型,表面安装,SSO-12封装,可节省空间

  • 在输入和输出通道之间提供5kVrms的隔离电压

  • 传播延迟:最大95ns

  • 空载时间失真:最大35ns

  • 宽工作电源(Vcc)范围:15V至30V

  • 欠电压锁定(UVLO)保护,带滞后特性

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02

Broadcom 光耦

ACPL-P347系列


RS库存编号910-8279


特点:

  • 1A高输出峰值驱动电流

  • 在输入和输出通道之间提供3750Vrms的隔离电压

  • 传播延迟:最大110ns

  • 宽工作电源(Vcc)范围:15V至30V

  • 欠电压锁定(UVLO)保护,带滞后特性


03

Broadcom 光耦

ACPL-W349系列

RS库存编号910-8291


特点:

  • 2.5A高输出峰值驱动电流

  • 在输入和输出通道之间提供5kVrms的隔离电压

  • 传播延迟:最大110ns

  • 宽工作电源(Vcc)范围:15V至30V

  • 欠电压锁定(UVLO)保护,带滞后特性

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