解锁 TI 培训课程，了解 MOSFET 数据表

当谈到 MOSFET 数据表时，您必须明确需要查找的参数。虽然某些参数是显而易见的和明确的（BVDSS、RDS(ON)、栅极电荷），但有些可能是模棱两可的（ID、SOA 曲线），而其他参数有时可能完全没用。

在本期 TI 培训课程推荐中，我们将带大家一起了解 MOSFET 数据表。在该系列视频中我们将揭开 FET 数据表的神秘面纱，以便用户可以轻松定位和辨别其应用中最常用的数据，而不会被多余的信息所困扰。

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第一部分

介绍雪崩等级的概念以及测量雪崩等级的方法，并阐述了 UIS 额定值对 MOSFET 的影响。设计人员在处理雪崩额定值时要小心，并且一定要在比较不同的 FET 之前确认 UIS 测试条件。

第二部分

介绍所有 FET 数据表中都会出现的安全工作区 (SOA) 图，并举例说明 TI 如何获得安全工作区图绘制所需的数据。内容主要包括安全工作区及其在功率 MOSFET 数据表中的显示方式：什么是 MOSFET 安全工作区 (SOA)？线性与饱和模式？如何为 TI MOSFET 生成 SOA？

第三部分

介绍 MOSFET 电流额定值。这些额定值不是用确定RDS(ON) 和栅极电荷等参数的方法测量出来的，而是被计算出来的，并且有很多种不同的方法可以获得这些值。

第四部分

介绍一些杂项开关参数以及测量方式，并在数据表中进行介绍。具体讨论了输出电荷 (Qoss)、反向恢复电荷 (Qrr) 和开关时间，并重点介绍这些参数的含义以及它们与应用性能的相关性。

第五部分

介绍 MOSFET 数据表上显示的热阻值。具体来说，我们将定义结至外壳热阻抗 RθJC 和结至环境热阻抗 RθJA，并讨论这些参数如何影响电路性能。

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