TOSHIBA 东芝半导体

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锂电池保护秘籍,速来研修

最新更新时间:2021-04-09
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随着科技的发展,物联网的大量普及,便携式电子设备也迎来了它的高速增长期。几乎在所有的便携式设备中都配有一定数量的锂电池来作为电源供给,除了提升锂电池材料本身的存储离子特性之外,如何延长电池的使用寿命,充分的发挥锂电池的供给性能成为了厂商需要亟待解决的一大难题。



作为一家在MOSFET耕耘多年的企业,东芝半导体研发出了可延长电池使用时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET——SSM6N95xL,该产品能够帮助厂商更好地设计保护电路从而降低锂电池充放电所带来的冲击影响,进而增加锂电池的使用寿命。




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MOSFET的电气属性分析


离子电池组中的电池保护电路要求电阻极低,不仅要降低充放电过程中的热损耗,而且还要同时具备高密度和高冗余度,提高保护电路自身的安全性。满足这样的要求需要小巧纤薄、导通电阻非常低的MOSFET。


SSM6N95xL具有优良的低导通电阻,能量供给过程中几乎不存在损耗,既保证了发热的安全性又实现了能量的高效率转换。同时具有低栅源漏电流特性,充分能够保证系统在效率方面的稳定性,进而实现低功耗。



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MOSFET的功能特性分析


SSM6N95xL是12V共漏极N沟道MOSFET,具备MOSFET的漏极导通特性:当MOSFET开通时,若电路中出现明显的压差变化,MOSFET就会在跨特性区域响应(跨越关断区、恒流区和可变电阻区),从而对电路起到一个有效的保护作用。



此外,SSM6N95xL还具有低导通电阻特性和高密度和高冗余度特性,能够很好的降低待机功耗从而进一步增加电池的使用时间。


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应用场景分析


作为可延长电池使用时间的低导通电阻共漏极MOSFET,SSM6N95xL非常适合用于移动设备锂离子电池保护电路中。同时这种新型MOSFET采用小而薄的芯片封装尺寸(CSP)(2.14mm×1.67mm,厚度:0.11mm(典型值)),可用于电池组狭小的贴装空间中。因此SSM6N95xL能够在智能手机、平板电脑、充电宝和可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机和数码单反相机的电源设备上能够得到很好的应用。


东芝在MOSFET器件研发设计中有着雄厚的技术底蕴和设计经验,持续不断地在技术设计上迭代更新,让MOSFET产品功能得到了极大的提升,使其在应用设计电路中拥有更强的参考和应用价值。


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关于东芝电子元件及存储装置株式会社


东芝电子元件及存储装置株式会社,融新公司活力与经验智慧于一身。自2017年7月成为独立公司以来,已跻身通用元器件公司前列,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。


公司24,000名员工遍布世界各地,致力于实现产品价值的最大化。东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作,旨在促进价值共创,共同开拓新市场,实现了超过7500亿日元(68亿美元)的年销售额。公司期望为世界各地的人们建设更加美好的未来。


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