国产率不足1%!谁来打破存储芯片垄断格局?
超低的市占率意味着存储芯片的市场定价和竞争力被海外企业牢牢把控,要想获得市场话语权,中国必须培养更多本土存储芯片厂商。
尽管从整体来看,国产存储企业尚处于起步阶段。但值得庆幸的是,近年来,在国产半导体企业的努力创新和国家政策扶持下,如长江存储、兆易创新、合肥长鑫等企业在存储芯片技术上已经开始崭露头角。除此之外,还有一大批优秀的中国芯企业活跃其中,奋力向前。
由国内领先的半导体电子信息媒体芯师爷举办的第三届“硬核中国芯”,汇聚了百余家中国半导体芯片产业的知名企业、潜力企业。本文介绍此次参评存储芯片类别的企业及其产品,以期为市场提供更多存储产品选型。
1.8V 1Gb SPI NAND Flash
2Gb DDR3
东芯半导体股份有限公司成立于2014年,是我国领先的中小容量存储芯片研发设计公司。总部位于上海,在深圳,南京,香港,韩国均设有子公司或分公司。东芯半导体作为Fabless芯片企业,聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售, 是目前国内可以同时提供NAND/NOR/DRAM/MCP设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。
1.8V 1Gb SPI NAND Flash(DS35M1GX-IX)
东芯SPI NAND Flash产品是单芯片设计的串行通信方案,引脚小、封装尺寸小,将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内,有效节约了芯片面积,在满足数据传输速率效率的同时,提升了稳定性,提高了公司产品的市场竞争力。产品采用38nm工艺制程,同时具备实现2xnm制程的量产能力,持续推进国内先进制程的同时提升产品在可靠性、功耗等性能方面的表现。
2Gb DDR3 (DS38E16SBB-9MFB)
东芯目前的DDR3 产品是主流的内存产品,具有更高的传输率及更低的工作电压,可以提供 1.5V/1.35V 两种电压模式、标准SSTL接口、具有8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank。拥有自主研发的DRAM单元2D/3D制造方法,将传统二维DRAM中的栅极竖立起来,形成三维的栅极结构,然后通过复用面板连接至位线,有效减少了DRAM单元的面积,有利于降低成本,使其价格更具竞争力。同时在栅极的多模层电容侧面,使用特殊制备工艺,通过增加电容面积的方式增大电容,提高了产品的可靠性。
上海威固信息技术股份有限公司成立于2013年。自成立以来,威固信息始终立足于对固态存储技术的深入研究,努力为用户提供安全可靠、稳定耐用、智能可扩展的固态存储产品。公司产品以闪存控制技术为核心,打造了芯片级存储、嵌入式存储、加固式存储、智能存储及系统级存储解决方案的全系列产品线。
经过多年的积累,威固信息已取得固态存储控制芯片关键技术的突破,完全掌握了高速接口设计技术、高性能高可靠的纠错算法以及加解密算法、高可靠的Flash控制算法、磨损均衡算法等核心技术。
在单芯片固态存储产品方面,威固信息已掌握其核心的SiP封装技术,拥有系统设计、基板设计与仿真、系统级的信号完整性分析、电源完整性和热功耗分析等专业能力。
国科微电子股份有限公司成立于2008年,公司长期致力于存储、智能机顶盒、视频编码、物联网等领域大规模集成电路及解决方案开发。目前,国科微已先后推出了直播卫星高清芯片、智能4K解码芯片、H.264/H.265高清视频编码芯片、高端固态存储主控芯片、卫星导航定位芯片等一系列拥有核心自主知识产权的芯片。
GK2302V200具备超高读写速度,连续读写高达560MBps/500MBps;支持128层TLC/QLC及2D MLC/TLC颗粒;内置国科微独创的NANDXtra®可靠性引擎和NANDSafe™️安全引擎;NANDXtra®可靠性引擎具有智能磨损均衡策略、RAID引擎、LDPC纠错功能;确保写入数据的全局均衡,杜绝出现区域失效问题,对闪存颗粒进行page、Block、Die级别的冗余保护,纠错能力达到业界一流水平。NANDSafe™️安全引擎具有支持SM、AES的密码算法引擎、通过用户PIN进行校验合法性的身份鉴别、固件安全控制、数据加密存储保护和数据解密读取的功能。
宏旺半导体有限公司成立于2004年,是一家专注于存储芯片设计、研发、封装、测试、销售服务于一体的国家高新技术企业。宏旺半导体致力为全球客户提供FLASH和DRAM相关存储产品,如嵌入式存储(DDR、eMMC、eMCP、LPDDR、SPI NAND等),SSD,内存模组和移动存储,产品服务广泛应用于手持移动终端、网通、音视频产品、电脑及周边、医疗、办公、汽车电子及工业控制等设备的各个领域。
1、小身材、大能量。体积小、轻薄,只有指甲盖那么大,最大可存储512M×16的数据。
2、低能耗、高效能。宏旺ICMAX DDR系列产品可以在提高性能、降低总拥有成本的同时减少能耗。无论使用智能终端游戏、办公、还是基于数据存储的海量数据,宏旺ICMAX DDR系列产品能减少发热引起的降频现象。
3、宏旺ICMAX DDR4具备2666Mbps的工作频率,能够以出色的速度传输数据,更高的数据带宽,更快、更轻松处理大量工作负载。
4、及时纠错,存什么都靠谱。随着数据中心要处理的流量越来越多,系统可靠性也变得越来越重要。宏旺ICMAX DDR系列产品具有内纠错码(ECC)功能,提高了数据可靠性并减少了系统纠错负担。
FORESEE车规级eMMC
G700 PCIe SSD
江波龙电子主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售。公司聚焦存储产品和应用,形成固件算法开发、存储芯片测试、集成封装设计、存储产品定制等核心竞争力,提供消费级、工规级、车规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。公司已形成嵌入式存储、固态硬盘(SSD)、移动存储及内存条四大产品线,拥有行业类存储品牌FORESEE和国际高端消费类存储品牌Lexar(雷克沙)。公司存储器广泛应用于智能手机、智能电视、平板电脑、计算机、通信设备、可穿戴设备、物联网、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。
FORESEE车规级eMMC
江波龙电子旗下行业类存储品牌FORESEE发布车规级eMMC,符合汽车电子行业核心标准体系AEC-Q100,成为国内为数不多通过AEC -Q100验证的存储品牌。
目前该系列芯片主要应用于上汽通用、上汽大众、一汽解放、东风汽车、长城汽车、奇瑞汽车、江淮汽车、吉利汽车等商用车/乘用车的IVI/T-BOX/360环视/ADAS系统产品,为以上设备提供存储功能。
G700 PCIe SSD
FORESEE G700 PCIe SSD采用了Longsys自研固件,满足定制化需求,显著提高了产品稳定性;并采用了长江存储的64层3D NAND Flash,拥有同代产品中较高的存储密度以及更快的I/O传输速度,提供了卓越的性能支持,进而通过软硬件协同合作,优化数据流,简化固件架构,以此提升SSD控制芯片效能。
目前该系列芯片主要应用于笔记本电脑、台式机、一体机、交换机等,其中台式机在国内市场应用较为广泛。此外,产品MTBF可达150万小时,良好的兼容性以及3年质保的技术服务,更适用于对终端应用有高耐久度、强稳定性需求的客户。
北京忆芯科技有限公司(以下简称“忆芯科技”)成立于2015年底,作为国内较早致力于高性能固态硬盘主控芯片研发的企业,致力于成为赋能大数据应用的芯片全球领导者。
忆芯科技始终坚持自主研发,对研发芯片产品拥有200余项自主知识产权,创新性的处理器架构首次引入存储领域;现已成功完成3款高端消费级入门企业级SSD主控芯片流片,所研发的高性能低功耗NVMe SSD主控已量产出货。经过近6年的发展,公司已经成长成为国内领先的高端PCIe SSD主控芯片和成品盘供应商,为各行业的信息化发展提供高质量芯片级底层保障。
NVMe企业级SSD主控芯片-STAR1000P首创多核同构SSD控制器架构,既保证了数据处理的实时性,又保证了数据处理的一致性及共享性;支持LinuxOS,极大提升FW开发的友好性,加速SSD产品快速推向市场。与公司同类型的产品相比,具有低成本高性价比的优势。
在技术优势上,该芯片实现了软件定义存储架构,在SoC芯片中提供计算、应用与存储的融合,为高并发的数据密集型应用提供高性能存储支持;将软件与硬件充分融合,在保证高性能的前提下,预留出足够的灵活度适配多样闪存颗粒,并可通过升级FW支持最新NVMe协议。
深圳大普微电子科技有限公司(DapuStor)成立于2016年,拥有国际一流的研发团队,超过160名团队成员,具备从芯片设计到产品交付量产全栈能力。公司已累计获得数亿元融资,致力于打造企业级智能固态硬盘、数据存储处理器芯片及边缘计算相关产品,广泛用于服务器、运营商、互联网数据中心。
DPU600 PCIe4.0 芯片拥有领先业界的PCIe4.0企业级SSD性能,比肩世界一流的Microsemi主控芯片,其技术创新主要体现在:
‐ 内置LSTM深度学习神经网络硬件引擎;
‐ 支持15G Bytes/S的国密SM4实时加解密;
‐ 单颗主控支持32TB的超大容量;
‐ 支持多颗DPU600主控芯片的级联扩容到百TB级别;
‐ 支持RTOS及Linux双系统同时运行;
‐ 支持边缘计算主机应用模式。
大唐存储
存储控制器芯片DSS510
合肥大唐存储科技有限公司(以下简称“大唐存储”)致力于研发国产自主可控、安全可信、稳定可靠的存储控制器芯片及安全固件,并提供技术先进的安全存储解决方案。总部位于安徽省合肥市,在北京、深圳设有分支机构。大唐存储是国内少数掌握国密商用算法芯片技术的公司,并提出超聚合安全存储技术,创新地应用于存储控制芯片。产品可应用于通信、电力、金融、铁路、云计算及工 业控制等领域,为不同行业客户数据安全存储提供安全保障。
存储控制器芯片DSS510采用28nm先进工艺,4核12通道、支持SATA和PCIE3.0接口,支持国密算法SM2/SM3/SM4;并且该款芯片结合了大唐存储自主创新的超聚合技术,将金融级安全防护技术应用于固态存储控制器,可实现多芯片合一,在加解密过程中不影响主控性能,使相关产品综合性能得到大幅提升,可达到国际大厂性能水平。
THE END