东芯半导体：专注中小容量存储芯片研发设计！

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8月15日-9月14日

2021年度最佳国产存储芯片

2021年度最具潜力IC设计企业

2021年度IPO卓越新星IC设计企业

东芯半导体股份有限公司成立于2014年，是我国领先的中小容量存储芯片研发设计公司。总部位于上海，在深圳，南京，香港，韩国均设有子公司或分公司。东芯半导体作为Fabless芯片企业，聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售， 是目前国内可以同时提供NAND/NOR/DRAM/MCP设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。东芯在不断研发改良中获得更高的性能，实现更大的价值，为日益发展的存储需求提供可靠高效的解决方案。

东芯半导体陈磊谈缺芯潮下国产存储企业机遇

视频来源：芯师爷

产品一：1.8V 1Gb SPI NAND Flash（DS35M1GX-IX）

①产品性能：

全国产芯片

单芯片设计的串行通信方案

规格(Standards)：

电压(Voltage)：1.8V

温度(Temperature)：-40℃ ~ 85℃

密度(Density)：1Gb

速度(Speed)：83M2Hz，104MHz  

封装(Package)：WSON 8*6，BGA 24

②价格竞争力：

东芯SPI NAND Flash产品采用38nm工艺制程，同时具备实现2xnm制程的量产能力，持续推进国内先进制程的同时提升产品在可靠性、功耗等性能方面的表现。

③技术创新：

东芯SPI NAND Flash产品是单芯片设计的串行通信方案，引脚小、封装尺寸小，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，在满足数据传输速率效率的同时，提升了稳定性，提高了公司产品的市场竞争力。

具备多项核心技术：

内置8比特ECC技术：东芯通过自主研发的内置ECC模块，实现了存储单元与功能单元的高度集成，减少了芯片面积。同时公司设计的8比特ECC模块可以在512 Byte存储单元内，实现高达8位的精准识别及自动纠错，提升存储芯片的容错性和可靠性。

内置高速SPI接口技术：东芯研发团队自主研发了可通过闪存工艺实现逻辑功能的内置高速SPI接口技术，通过将SPI接口内置集成在NAND Flash的方法，实现了逻辑功能内嵌式的SPI NAND Flash，相比外接独立SPI接口芯片的设计方式，有效减少了产品面积，降低了产品功耗。

局部自电位升压操作方法、步进式、多次式编写/擦除操作方法、针对提高测试效率的芯片设计方法、缩减布局区域的闪存装置，多项核心技术有效提升产品性能。

④ 客户服务：

可根据客户的特定需求提供存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高了产品开发效率。并且建立了丰富的产品生态，具有高效的响应机制以及稳定的货源和品控，使东芯产品获得客户好评。

⑤ 应用案例介绍：

SPI NAND Flash产品不仅能满足常规应用场景，也使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗，有效延长物联网设备的待机时间。同时凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及物联网等领域，被主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。

产品二：2Gb DDR3 （DS38E16SBB-9MFB）

①产品性能：

东芯目前的DDR3 产品是主流的内存产品,具有更高的传输率及更低的工作电压，可以提供 1.5V/1.35V 两种电压模式、标准SSTL接口、具有8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank。

规格(Standards)：

电压(Voltage)：1.5V/1.35V

温度(Temperature)：0°C /-40°C -- 95°C

密度(Density)：2Gb        

速度(Speed)：800MHz/933MHz      

线宽(Bus Width)：x8/x16

封装(Package)：78/96ball FBGA

②价格竞争力：

采用DRAM单元2D/3D制造方法，通过优化单元布局，减少了DRAM单元面积，有利于降低成本，使其价格更具竞争力。

③技术创新：

拥有自主研发的DRAM单元2D/3D制造方法，将传统二维DRAM中的栅极竖立起来，形成三维的栅极结构，然后通过复用面板连接至位线，有效减少了DRAM单元的面积。同时在栅极的多模层电容侧面，使用特殊制备工艺，通过增加电容面积的方式增大电容，提高了产品的可靠性。

④ 客户服务：

可根据客户的特定需求提供存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高了产品开发效率。并且建立了丰富的产品生态，具有高效的响应机制以及稳定的货源和品控，使东芯产品获得客户好评。

⑤ 应用案例介绍：

在网络通信，安防监控，消费电子，智能终端等几乎所有电子产品领域都有广泛应用。比如PON，机顶盒，企业网关，IP摄像机，智能音箱，AI触屏等。因具有标准接口，在物联网时代有更多应用场景，比如智能家居等等。

为东芯半导体投票的理由：

东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部设立在上海，聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM内存芯片的设计、生产和销售，是本土拥有自主知识产权的专注于中小容量存储芯片的研发设计公司。东芯是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司之一。

公司先后研发并在国内知名晶圆厂量产串行及并行NAND Flash系列产品，NOR Flash系列产品，DDR系列产品，以及MCP系列产品。成立至今，东芯已获得上海市高新技术企业认定，上海市集成电路行业协会理事单位荣誉，上海市经信委软件和集成电路专项资金支持，并成为华东师范大学信息科学技术学院产学研合作基地；以及上海市科技小巨人（培育）企业。东芯半导体不仅是行业领军企业，而且多次缩小了国家存储芯片IC设计能力与国际领先水平的差距。

东芯拥有先进的技术水平，强大的股东资源，深度的战略合作伙伴，优秀的管理团队。东芯研发团队拥有在三星，海力士等世界级存储公司15年以上工作经验，掌握多种设备工艺下设计研发能力，多种产品的研发经验，并为国际知名客户提供定制化存储产品。公司设计团队拥有精湛的技术能力，是国内现有国内唯一的具有同时开发NAND/NOR/DRAM的芯片设计能力公司。公司致力于大力发展具有自主知识产权的国内存储芯片技术并积极开拓国内市场应用，迅速提升中国在存储行业的设计研发能力。

东芯目前已经取得百项专利及知识产权，始终坚持自主研发，大力发展自有知识产权，为客户提供丰富多样，技术领先的存储产品和设计方案。公司目前已推出NAND，NOR，DRAM，MCP等多款产品并初步形成系列，可以提供完整的芯片应用解决方案，并提供完善，周到的技术支持服务。东芯专注于为移动及消费类需求提供多样化的产品解决方案，能够迅速响应客户需求，在最短时间内完成产品开发并实现交付。

公司采取多元化的业务模式，从设计方案，晶圆加工，产品封装，到性能测试，可分为方案交付，晶圆交付，芯片交付等不同形式。公司在晶圆代工与封装测试上选择多家知名厂家合作以确保产品长期稳定供应。目前合作的晶圆代工厂有中芯国际，力晶等；合作的封装测试厂有紫光宏茂，华润安盛，ATsemicon等。公司主要合作伙伴目前分布在通讯类与监控类。全球排名第一，第四通讯公司，中国排名第三通讯公司，全球排名第一，第二监控公司都是公司的主要合作伙伴。

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