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2017年硅工艺射频微波集成电路系统研讨会暨第52期国际名家讲堂

最新更新时间:2017-10-13
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2017年硅工艺射频微波集成电路系统研讨会

第52期国际名家讲堂

预告

 

2017年10月30日-11月2日

 

中国·南京


活动安排

1

2017年硅工艺射频微波集成电路系统

研讨会

(免注册费)

     活动时间:2017年11月2日(周四上午)

活动地点:南京苏宁威尼斯酒店

(浦口区江山路京新198-1号,

地铁3号线柳洲东路站旁)

2

第52期国际名家讲堂

(需注册费,详情见下文)

           活动时间:2017年10月30日-11月1日(三天)

           活动地点:南京苏宁威尼斯酒店

(浦口区江山路京新198-1号,

地铁3号线柳洲东路站旁)


组织单位

主办单位

工业和信息化部人才交流中心(MIITEC)

比利时微电子研究中心(IMEC)

协办单位

南京江北新区人力资源服务产业园

江北新区IC智慧谷

南京集成电路产业服务中心

南京市集成电路行业协会

江苏省半导体行业协会

中国半导体行业协会集成电路分会

支持媒体

EETOP、射频百花潭、微波仿真网、

半导体行业观察、半导体圈、芯师爷、

IC咖啡、半导体行业联盟、芯榜、

中国半导体论坛等


导读

各有关单位:

为了提高我国集成电路行业专业人才整体技术水平,促进行业专业技术人才知识更新,工业和信息化部人才交流中心启动实施了“芯动力”人才发展计划。此次系列活动——“名家芯思维”——2017年射频微波集成电路系统研讨会暨第52期国际名家讲堂,为“芯动力”人才发展计划中的一项重要组成,望通过此次活动,加强射频微波集成电路系统领域尖端人才交流,探讨该领域发展过程中遇到的问题与思考,为加速行业发展献计献策。



一、“名家芯思维”之

2017年硅工艺射频微波集成电路系统研讨会

(免注册费)


报名方式


(1)微信报名:关注微信公众号“国家IC人才培养平台”(微信号:ICPlatform),并点击下方选项卡“在线注册-10月活动报名”,填写相关信息。

(2)邮件报名:

报名回执表下载链接:

http://www.icplatform.cn/form

(发送报名信息到邮箱icplatform@miitec.cn;

邮件题目格式:“报名+2017年硅工艺射频微波集成电路系统研讨会+单位名称+人数

邮件内容:含有姓名、单位、部门及职务、电话、邮箱。

(3)电话报名:周静梅  025-69640097

                            张   欢  025-69678210

                                        18262610717


二、第52期国际名家讲堂

(需缴纳注册费用)


1.时间:2017年10月30日-11月1日(3天)

2.讲堂主题:高性能模拟混合信号IC设计-低功率到高精准到高速

3.地点:南京苏宁威尼斯酒店 

(浦口区江山路京新198-1号,地铁3号线柳洲东路站旁)

名家介绍

Jerry  Jiang

IEEE Fellow

美国博通公司(Broadcom)技术总监

博通杰出工程师


个人履历:

  1. Xicheng Jiang在中国科学技术大学取得学士学位,随后在美国加州大学洛杉矶分校电子工程系学习并获得硕士和博士学位。

  2. 1997年—至今,美国博通公司(Broadcom)的模拟和射频微电子团队任职,现为博通的技术总监和“博通杰出工程师”。

  3. IEEE Fellow,曾长期担任ISSCC、CICC的技术委员会委员/分委会主席, 并曾担任IEEE电路与系统快报的副主编。

研究领域:

  1. 研究包括数据转换器、高速串行收发器、蜂窝基带、Hi-Fi音频驱动、麦克风接口和精密传感器接口。

所获荣誉:

  1. 拥有40多项授权和待批美国专利,独著和合著有40多篇大会和期刊论文,并由剑桥大学出版社出版其著Digitally-Assisted Analog and Analog-Assisted Digital IC Design。

  2. CICC 2009年最佳论文奖以及CICC 2013最佳张贴论文奖的共同获得者。

讲堂大纲

Day 1: Low-power & Precision Circuit Designs

第一天:低功率和精准电路设计

Introduction

  • Process scaling and device modeling

  • Analog Mixed-Signal designs using FinFET

  • Analog Mixed-Signal designs using SOI

  • Nano-power circuit design techniques

  • Analog Techniques for Nano Power Designs

  • Practical Low-power Design Examples

  • Biasing

  • Reference

  • Oscillator

  • Comparator

  • Amplifier

  • Case Study

  • A 32nW Bandgap Reference Voltage Operational from 0.5V Supply for Ultra-Low Power Systems

  • Amplifier classes from Class-A, Class-B, Class-D, Class-G, Class-H

  • Precision Class-D amplifiers

  • Class-D modulation schemes

  • Class-D amplifier architectures

  • Practical design examples

  • Digital implementation

  • Analog implementation

  • EMI reduction

  • Pop-click suppression

  • Emerging trends

  • References

  • Precision audio CODEC

  • Introduction

  • Stereo audio CODEC architecture & design

  • Audio input path

  • Audio output path

  • Microphone bias generation

  • Measurement results

  • Conclusion

Day 2: High-speed SERDES

第二天:高速SERDES

  • The basic of high-speed SERDES

  • General SERDES system

  • The challenges and solutions

  • Equalization techniques for high-speed SERDES

  • The channel

  • Pre-emphasis

  • Analog equalizer

  • Linear equalizer

  • DFE

  • Digital equalizer

  • FFE

  • DFE

  • MLSE

  • PAM4

  • A practical design example

  • The trend of high-speed SERDES designs

  • Clock and Data Recovery (CDR) architecture and circuit implementation

  • Performance metrics

  • Basic architectures

  • Linear/Bang-bang

  • Digital

  • Hybrid

  • Application-specific CDRs

  • Multi-lane chip-to-chip links

  • Repeaters for optical links and active cables

  • High-speed SERDES receiver practical design considerations

  • BER

  • CTLE

  • DFE

  • RX signal chain

  • RX circuit implementations

  • Comparator design

  • Pre-amplifier design

  • CTLE circuit design

  • VGA circuit design

  • DFE implementations

Day 3: High-speed data converter

第三天:高速数据转换器

  • High-speed ADC architecture

  • System level

  • Budgeting of non-idealities

  • Architecture level

  • Time interleaving

  • Calibration

  • Flash ADCs

  • High-speed SAR ADC design

  • SAR ADC Architecture

  • Circuit Design Considerations

  • Advanced SARADC Examples

  • Summary

  • Voltage reference design

  • Bandgap Reference

  • Start-up consideration

  • Bandgap Trimming

  • High-speed DAC design

  • Design considerations

  • Layout consideration

  • Measurement methodology

注册费用

注册费用:5380元/人

芯动力合作单位:5080元/人

在校学生:3580元/人(需所在院系提供在读证明)。

注:以上费用含面授费、场地费、资料费、午餐费;学员需自理交通费、食宿费等费用


国信艾麦克(北京)信息科技有限公司由中心和IMEC共同设立,为本期国际名家讲堂提供会务服务并开具发票,发票内容为培训费。请于2017年10月25日前将注册费汇至以下账户,并在汇款备注中注明款项信息(第52期+单位+参会人姓名)。

付款信息:

户  名:国信艾麦克(北京)信息科技有限公司

开户行:工行北京万寿路南口支行

帐  号:0200186409200051697  

或请携带银行卡至活动现场,现场支持 POS 机付款。

报名方式

报名截止日期:2017年10月25日

报名方式:

1.邮件报名(推荐)

    报名回执表下载链接:

http://www.icplatform.cn/form

    填写报名回执表并发送Word电子版至“国家IC人才培养平台”邮箱,

   邮箱地址:icplatform@miitec.cn,

    回执表文件名和邮件题目格式为:

报名+第52期+单位名称+人数”。


2. 微信报名

关注微信公众号“国家IC人才培养平台”(微信号:ICPlatform),并点击下方选项卡“在线注册-10月活动报名”填写相关信息。

注:提交报名表并交纳报名费后方视为报名成功


3. 优惠政策

(1)“芯动力”合作单位享受价格优惠;详情请咨询产业合作组贺老师,电话:010-68208714 。

(2)针对高校推出Bonus ClassⅠ、Ⅱ、III优惠政策:

        详情请编辑“class”发送至微信公众号“国家IC人才培养平台”。

住宿预订

会务组为学员预定酒店,信息如下:

酒店名称:南京苏宁威尼斯酒店

酒店地址:浦口区江山路京新198-1号,地铁3号线柳洲东路站旁

协议价格:

标准双人房(含双早)368元/间

标准大床房(含双早)368元/间

预定方式:请需要预订酒店的学员填写以下信息,并在10月25日17:00前,按照以下示例发送邮件至邮箱icqy@miitec.cn 

预定邮件题目格式:“第52期+预订酒店”

预定邮件内容:“姓名+性别+房型+入住时间+离店时间+手机号+是否合住”      

注:

(1)酒店预订成功后的两个工作日内,会务组将向您发送确认回执邮件。

(2)为方便学员住宿与听课,提高服务水平,本次国际名家讲堂提供协议酒店预订服务,预订成功后,我们会代您预付保证金,且房间不可取消。

预定酒店联系人:

张    欢 18262610717  ; 025-69678210

             zhanghuan@miitec.cn

工业和信息化部人才交流中心

邢国华、周静梅 

电话:

010-68208725;025-69640097

E-mail:icplatform@miitec.cn



工业和信息化部人才交流中心

2017年10月12日

              芯动力介绍

“芯动力”人才发展计划是中心以人才工作为抓手,服务中国集成电路产业发展的具体项目。中心以业界应用需求为牵引,加强国际交流,为行业引入全球技术和国际化人才等要素资源;立足人才集聚和项目汇集,为园区实施创新驱动和产业集中提供保障;运用出国进修、研讨、讲座、大赛等方式,为人才职业发展和素质提升提供成长通道。已与Imec、NXP、Fraunhofer等业界领先机构建立广泛合作关系。

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