重磅！国家存储器基地二期开工
最新更新时间：2020-06-21
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据湖北日报报道，6月20日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工。
湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目（土建）开工。
湖北省委副书记、省长王晓东致辞。
在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。
他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。雄关漫道真如铁，而今迈步从头越。我们要增强责任感、紧迫感，知难而进、迎难而上，为集成电路产业发展、为湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。
长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。
国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。
其中：
一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；
二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
今年4月13日，长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。
按照长存的说法，这款产品的独特之处在于，它是业内首款128层QLC规格3D NAND，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
目前长江存储正在不断提升产能，今年底的目标将达到10万片晶圆/月的产能，这也是整个国家存储器基地一期工程的目标。
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