Infineon英飞凌工业半导体

文章数：614 被阅读：1419876

最热技术文章

■英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目

■新品 | 3300W无桥图腾柱PFC参考设计

■新品 | 符合AQG324标准的车载充电用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模块

■功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联

■新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模块化半桥功率板

■英飞凌明星产品系列丨你知道业内效率领先的光伏组串式逆变器解决方案吗？

■英飞凌明星产品系列丨如何有效实现PLC数字输入输出的小型化与低功耗设计？

■英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效

■功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

■英飞凌明星产品系列丨英家到底有多少产品适用于10-15kW混合逆变器？

最新活动更多

■30套RV1106 Linux开发板（带摄像头），邀您动手挑战边缘AI~

■安世半导体理想二极管与负载开关，保障物联网应用的稳健高效运行

■免费申请 | 上百份MPS MIE模块，免费试用还有礼！

■PI 电源小课堂|无 DC-DC 变换实现多路高精度输出反激电源

■2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会——深圳、上海站，火热报名中

■Follow me第二季第4期来啦！与得捷一起解锁蓝牙/Wi-Fi板【Arduino Nano RP2040 Connect】超能力！

■嵌入式工程师AI挑战营（进阶）：基于RV1106部署InsightFace算法，实现多人的实时人脸识别

更多最新新闻

最新精华更多

datasheet推荐换一换

热点公众号文章

■符合ISO26262 ASIL B/D标准的ARC处理器，了解一下！

■雷军：小米销量超苹果被冷嘲热讽，不可理喻；投资大佬突然出手，自曝抄底腾讯；王者荣耀紧急升级：未满12周岁全面禁止充值｜雷锋早报

■奥瑞德7600万撬动百亿并购NXP射频业务悬疑

■2020，万物历新，未来可期

■分不清梦境和现实？只因大脑想象与视觉功能由同一区域负责 | Nature子刊

■宋宝华：让天堂的归天堂，让尘土的归尘土——谈Linux的总线、设备、驱动模型

■深度 | 车载雷达将如何塑造未来的汽车

■5分钟，了解NI在MIH研讨会上吸睛无数的电动汽车测试方案

■解读亚洲半导体：老牌领袖与中国大陆的雄心

热门文章

■胜宏科技子公司胜宏精密投产了

■基于汽油直接喷射系统共轨压力信号的诊断方案

■ 谷歌或在印度推出专供版Pixel 6a

■Verizon 45 W USB-PD 快充充电器英飞凌 EZ-PD™ PAG1 AC-DC 电源方案

■土壤养分测试仪的技术指标

■【STM32】条件编译不起作用是什么原因

■基于LPC2214微处理器实现数字化UPS的设计

■射频PA常见指标和测试方法

其他公众号文章

■新！ADI阐述5大应用电源创新趋势，未来电源开发这么走~

■使用汽车起停系统，如何使信息娱乐设备不复位？

■西安交大杨建国教授最新力作，重磅上线！快来打call！

■显著降低油耗的这项技术，还需要这样解决一个关键问题

■MEMS惯性传感器轻松解决应急救援“定位”问题

■放大器测试巴伦不运转？“数学”知识来救场

■电动车太安静也烦恼，来点警示音吧

■新品速递丨精度为 ±0.5% 的电压监控器，了解一下

■KO传统开关的MEMS开关，用在这些电路上是极好的

■技能Get√，简简单单测量运算放大器

可能感兴趣器件

■PC13S41B43

■240-034-5-37PPFR5U-.110

■UCX1H391MNS1GS

■D10334JP0

■SIT1532AC-J5-D25-32.768D

■RN1/2T17.5K1%T

■93A2A-B28-H11L

■742X0832802FP

■3333N622G501YHM

■VS600

热门下载推荐

■LM2673,pdf datasheet (3A Step-Down Voltage Regulator)

■MT6226-7-8

■MD4数字指纹算法的实现...天可怜见

■USB在数据采集系统中的应用

■DMC库函数介绍

■模拟与数字电路使用混合信号来验证和测量

■LCD Display

■复旦CPU卡 114页 2.5M

■高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究

■基于加速度计的数字显示倾角测量仪

11月15日历史上的今天

厂商技术中心

最能打国产芯

Qorvo 电源技术站

随便看看

账号入驻

新品 | 沟槽栅 2000/3000A 4500V 125mm平板型压接式IGBT

Infineon英飞凌工业半导体

最新更新时间：2022-05-18

阅读数：

新品

沟槽栅2000/3000A 4500V

125mm平板型压接式IGBT

沟槽栅2000/3000A 4500V 125mm平板型压接式IGBT

相关器件：

▪ P2000DL45X168 2000A 4500V带续流二极管 125mm平板型

▪ P3000ZL45X168 3000A 4500V不带续流二极管 125mm平板型

Infineon Technologies Bipolar扩展了其高功率产品系列，4.5kV PPI IGBT使用英飞凌沟槽栅IGBT, 封装为直接压制式Press Pack，商品名Infineon® Prime Switch。

这种新的、经过应用优化的压接式PPI IGBT提供了2000A（带内部续流二极管）和3000A（不带内部续流二极管）。它们旨在满足使用IGBT功率半导体的高功率系统的所有当前和未来要求。主要应用于HVDC和FACTS，直流断路器，中压电机驱动器，风电变流器和牵引。

产品特点

4.5kV沟槽栅IGBT芯片

长期稳定的故障时短路特性

密封封装

应用价值

坚固耐用，可抵御外部环境气体

防爆外壳

双面冷却

允许安装压力范围大

失效长期短路模式

最高的功率循环能力

应用领域

高压直流输电和FACTS

直流断路器

中压电机驱动

风电变流器

牵引

扫描下方二维码，

即可查看产品详细资料~

最新有关Infineon英飞凌工业半导体的文章

■新品 | 符合AQG324标准的车载充电用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模块

■英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目

■英飞凌明星产品系列丨你知道业内效率领先的光伏组串式逆变器解决方案吗？

■功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

■新品 | CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A 2000V

■英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效

■英飞凌明星产品系列丨高效可靠储能系统解决方案

■功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联

■英飞凌明星产品系列丨英家到底有多少产品适用于10-15kW混合逆变器？

■英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

About Us 关于我们客户服务联系方式器件索引网站地图最新更新手机版

站点相关： TI培训

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函

京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved