飞兆半导体推出互补型40V MOSFET 能改进LCD设计的尺寸、成本和可靠性

2007-05-15来源: 电子工程世界关键字:全桥  逆变  沟道  电荷

双DPAK封装使半桥和全桥逆变器的热阻抗提高10倍

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化,是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比,双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外,FDD8424H在单一封装中集成了一个P沟道高端MOSFET和一个N沟道低端MOSFET,因而容许器件内共漏连接,从而简化电路板布局并缩短设计时间。

飞兆半导体通信和消费产品市务经理Mike Speed 表示:“飞兆半导体的FDD8424H使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的SO8 封装解决方案,双DPAK封装中优化的导通阻抗RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 增强了开关性能,因此能降低热耗及提高效率。而且,在驱动8个CCFL灯的背光逆变器中,FDD8424H可使外壳温度降低12%。”

FDD8424H的主要特性包括:

–优化RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 的组合,提供出色的开关性能
–N沟道提供4.1C/W的同类最小热阻抗 (θJC),P沟道则为3.5 C/W
–单一封装中集成半桥解决方案,能减小器件占位面积及降低系统总体成本
–P沟道和N沟道MOSFET的共漏连接集成,能简化线路板布局


这种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。

供货:现货
交货期:6至 8周

查询更多信息或价格详情,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-5298-6262;北京办事处,电话:010-8519-2060 或访问公司网站:www.fairchildsemi.com

要了解相关产品的更多信息,请访问网页:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD8424H.pdf


飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor;纽约证券交易所代号:FCS) 是全球首屈一指的功率模拟和功率分立技术领导,专门为所有电子系统提供高效率的解决方案。作为功率专家 The Power Franchise?,飞兆半导体提供业界最先进的半导体和封装技术、制造能力和系统专业。2007 年,飞兆半导体庆祝成立 50 及 10周年纪念,该公司成立至今有 50 年历史,同时也是新的飞兆半导体公司的 10 周年纪念。飞兆半导体于 1958 年开发出平面晶体管,并以此开创出一个崭新的行业,因此被称为“硅谷之父”。今天,飞兆半导体是一家以应用主导及以解决方案为基础的半导体供货商,提供线上设计工具和遍设全球的设计中心,是其全面的 Global Power Resource (全球功率资源) 的一部分。 详情请浏览网站:www.fairchildsemi.com

关键字:全桥  逆变  沟道  电荷

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