安森美扩展高能效、低 Vce(sat) 双极结晶体管系列，多种封装选择

全新 PNP 与 NPN器件针对便携式电子应用实现更高的能效及更长的电池使用寿命

2007 年 7 月6日 - 全球领先的电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出采用先进硅技术的 PNP 与 NPN 器件，丰富了其业界领先的低 Vce(sat) 双极结晶体管 (BJT) 产品系列。这两种新型晶体管与传统的 BJT 或平面 MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。

安森美半导体分立产品部副总裁兼总经理 Mamoon Rashid 指出：“安森美半导体提供目前市场上最丰富的高性能 BJT 选择。我们的 Vce(sat) BJT 是低功率耗损和高散热性能领域的领先产品，为电源控制提供了非常经济的解决方案。这种器件非常适用于移动电话和汽车等多种开关应用 (strategic switch)，为设计人员提供高性价比的解决方案，从而有助于他们推出领先的产品。”

安森美半导体最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1 A时，该器件可提供45 mV的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低 Vce(sat) BJT 还提供超过8 kV的较高的静电放电 (ESD) 容差，因此能在突发浪涌情况下自我保护，避免受损。由于实现了出色的电气性能及较低的温度系数，因此这种器件可提高能效，在无需额外 ESD 保护电路就能实现更好的电池节能。相对于 MOSFET而言，这种器件比较适中的开关速度降低了噪声谐波，因此更适于需要控制电磁干扰(EMI)的应用。 

安森美半导体的低 Vce(sat) BJT 系列产品采用多种业界领先的封装，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量单价为0.14～0.27美元。

如欲了解安森美半导体的全系列低 Vce(sat) BJT 产品详情，欢迎访问：www.onsemi.com.cn，请用 NSS 作为关键词进行搜索。您也可下载 Spice 模型、应用注释及设计理念等。

如欲了解更多详情，欢迎垂询张华艳，其电子邮件为：meggie.zhang@onsemi.com。

关于安森美半导体（ON Semiconductor）

安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）拥有跨越全球的物流网络和强大的电源半导体器件系列，是电源、计算机、消费产品、便携/无线、汽车和工业等市场应用的工程师、采购人员、分销商、及电子代工制造商之首选电源方案供应商。欲查询公司详情，请浏览安森美半导体网站：http://www.onsemi.com.cn。

关键字：BJT  功率  散热  饱和

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