1.1A 低噪声LDO具高功率密度

2007 年 8 月 16 日 － 北京 － 凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出具有高功率密度的低噪声、低压 1.1A LDO LT1965。LT1965 在满负载时具有仅为 300mV 的低压差，并具有 1.8V 至 20V 的宽 V_IN 能力和 1.2V 至 19.5V 的低可调输出。仅为 40uV_RMS 的超低输出噪声降低了仪表、射频、DSP 和逻辑电源系统中的噪声，并有益于后稳压开关电源。在整个电压、负载和温度变化范围内，输出容限严格调节在 ±3% 之内。该器件的 500uA（工作时）和低于 1uA（停机时）的静态电流使其非常适用于需要高输出驱动能力和低电流消耗的应用。

LT1965 稳压器用低至 10uF 的低 ESR 陶瓷输出电容器优化稳定性和瞬态响应。这些纤巧的外部电容器无需任何串联电阻就能使用，而串联电阻在很多其它稳压器中是常见的。内部保护电路包括电池反向保护、无反向电流、折返电流限制以及热限制。

就需要大的输入至输出压差的应用而言，LT1965 可组成非常紧凑和耐热有效的解决方案。该集成电路有多种封装选择，从现代高功率密度、小占板面积和高热效率的 DFN 和 MSOPE 封装到较传统的 DD-Pak 和 TO-220 电源封装都有。

LT1965EDD 采用扁平（0.75mm）8 引线 DFN（3mm x 3mm）封装，LT1965EMS8E 采用 8 引线 MSOP 封装，LT1965EQ 采用表面贴装 DD-Pak 电源封装，LT1965ET 采用 TO-220 电源封装。所有器件都有现货供应，以 1,000 片为单位批量购买，每篇起价分别为 1.88 美元、1.94 美元、2.20 美元和 2.20 美元。I 级版本器件的价格分别为 2.16 美元、2.23 美元、2.53 美元和 2.53 美元。

照片说明：低噪声 1.1A LDO

性能概要：LT1965

·　　输出电流：1.1A

·　　　　　　　　低压差：在 1.1A 负载时典型值为 300mV

·　　　　　　　　超低输出噪声：40uV_RMS

·　　　　　　　　V_IN 范围：1.8V 至 20V

·　　　　　　　　可调 V_OUT：1.2V 至 19.5V

·　　　　　　　　输出容限：在整个电压、负载和温度变化范围内为 ±3%

·　　　　　　　　用低 ESR 陶瓷输出电容器可稳定（最低 10uF）

·　　　　　　　　　停机电流：< 1uA

·　　　　　　　　电池反向保护

·　　无反向电流

·　　　　　　　　热限制和限流保护

·　　　　　　　　8 引脚 DFN（3mm x 3mm x 0.75mm）封装

·　　　　　　　　8 引脚 MSOP-E 封装

·　　5 引线 DD-Pak 封装

·　　　　　　　　5 引线 TO-220 封装

凌力尔特公司简介

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）创建于 1981 年，是一家高性能线性集成电路制造商。凌力尔特于 1986 年成为一家上市公司，并于 2000 年成为由主要上市公司组成的 S&P 500 指数的成员之一。凌力尔特的产品包括高性能放大器、比较器、电压基准、单片滤波器、线性稳压器、DC/DC 变换器、电池充电器、数据转换器、通信接口电路、射频信号修整电路及其它众多模拟功能。凌力尔特公司的高性能电路可用于电信、蜂窝电话、如光纤交换机的网络设备、笔记本电脑和台式电脑、计算机外围设备、视频/多媒体装置、工业仪表、安全监控设备、包括数码照相机、MP3 播放器在内的高端消费类产品、复杂医疗设备、汽车用电子设备、工厂自动化、过程控制、军事和航天系统等领域。如需了解更多信息，请登录 www.linear.com.cn 。

关键字：负载  输出  容限  射频

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