XMOD Technologies的RF设计工具包扩充了新模型-新品-电子工程世界网

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XMOD Technologies公司日前发布新版本(version 2.6)的HiCUM Master工具包，该产品主要面向SiGe BiCMOS应用。

该工具包为双极型晶体管提供了可升级的物理层和基于加工的RF模块，这种高精度完全可升级的HiCUM模型含有过程变量的建模，能用于实现统计设计和电路产量优化。

基于TRADICA程序，HiCUM Master工具包可作为一个Agilent ICCAP模块进行集成，同时能保持两个平台之间原始的性能和链接。

该软件具备的可升级参数提取方法能以简单方法抽象HBT晶体管的建模参数，通过减少测试过程，用户能够生成完整的模型参数库并集成到过程设计套件中。

关键字：双极型晶体管 RF 工

编辑：引用地址：https://news.eeworld.com.cn/newproducts/rfandwireless/200603/550.html

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如果没有电动机，我们难以想象如何实现工业传动技术及其自动化生产工艺。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）半导体器件控制高性能的电气驱动器，通过聚合物光纤实现与所需绝缘端的连接。然而，这一解决方案对空间很敏感。浩亭为用户提供全新微型化的绝缘栅双极型晶体管控制解决方案。浩亭在德国纽伦堡自动化展SPS IPC Drives Fair（11月28日至30日；10号展厅/140号展台）上展示了该解决方案。几乎所有类型的工业传动技术都使用功率高达几千瓦甚至几兆瓦的电动机。在转速恒定的情况下，其控制技术非常简单。然而，我们通常需要调整电机的转速，这又使得一切变得更加复杂。使用绝缘栅双极型晶体管即可在较大功率等级下实现对设备的调速。它们还可通过非常低

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检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法

在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。　　3、注意事项　　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

发表于 2016-11-09

基于峰值控制的IGBT串联均压技术

。 [page]3．2 IGBT雪崩箝位的峰值控制通常认为，一旦超过IGBT额定电压就会引起过电压击穿，导致不可逆的失效。其实IGBT发生过电压击穿时，雪崩电压击穿本身不会损坏器件，是个可恢复过程；过电压击穿失效本质在于雪崩电压击穿时产生的焦耳热累积引起结温不断上升的热击穿失效。在此通过实验验证IGBT具有可承受短时过电压击穿能力。实验原理电路如图6a所示，V1作为开关管与电感负载L串联，实验对象Vs与一个限流电阻R0串联，并在V1两端。由于L的作用，当V1关断时，V1的uCE波形中会出现高于直流侧电压的浪涌电压。当V1的UCE超过Vs的雪崩电压时，Vs发生雪崩击穿箝位现象，其余电压降到R0上。实验波形如图6b所示，型

发表于 2013-09-12

Diodes推出行业最小双极型晶体管

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。这些晶体管尺寸小，加上卓越的400mW功耗，有利于智能手机和平板电脑等受空间限制的便携式产品的设计。Diodes破天荒推出两对采用了DFN0806-3封装的NPN (MMBT3904FA和BC847BFA) 及PNP (MMBT3906FA和BC857BFA) 晶体管，随后将推出在同样封装的预

发表于 2013-08-06

采用双极型晶体管的直流250mV转换器

　　该转换器描述如下：它基于一个硅双极型晶体管(BJT)，可在低于250mV电压下工作，这对一个不是基于结型场效应管或锗晶体管的转换器来说几乎是创记录的。如何实现这种可能性呢? VBE的阈值并不是确定的，它决于电流密度和其他因素。但250 mV远远低于能接受的最小值。这就需要用到一点窍门，实际上这里面也有几分诀窍。　　最大的困难在于启动。一旦启动，即使电压下降到远低于传输极限，转换器可以轻松地提供足够的电压。诀窍在于使用第三根线连接电源输入来触发振荡器，当开关还处于关断状态时，第三根线经由R3给C2充电(图1)。　　该电路通过R4，给C2充电到电源电压。当开关闭合时，C2负极为V+，也就是说它有相当于两倍电源的电压

发表于 2013-05-29

音响中的场效应管和双极型晶体管

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发表于 2011-10-07