英国新技术可使晶体管运行速度高出一倍

据媒体报道，NVIDIA下一代主要面向高性能计算、人工智能等Hopper架构，将会采用5nm工艺制程，晶体管多达1400亿个，面积核心达到了900平方毫米，是有史以来最大的GPU。　　作为参考，NVIDIA自家旗舰Ampere架构的A100为542亿个晶体管（每平方毫米约为6560万个晶体管），AMD阵营中采用Aldebaran架构的Instinct MI200系列为582亿个晶体管（每平方米约为7360万个晶体管），GH100是它们的2.5倍左右。Hopper架构的GH100在5nm的加持下，能够在单芯片封装下轻松做到每平方毫米1.5亿个晶体管。　　不过这一说法遭到了存疑，因为当前EUV光罩的限制为858平方毫米，而GH100

作为物联网 (IoT) 应用超低功耗处理器解决方案的供应商，Ambiq 独特的基于亚阈值功耗优化技术 (SPOT)平台，可以极大优化产品的功耗。亚阈值晶体管技术晶体管在达到或超过其阈值电压时处于“开启”状态。传统的晶体管电路是为超阈值操作而设计的；但是，这会导致高功耗。与在 1.8 V 下工作的传统超阈值晶体管电路相比，使用亚阈值区域的晶体管电路可以在 0.3 V 下工作。这种较低的电压不仅节省了设计复杂性的成本，而且还降低了静态和动态功耗。基于亚阈值功率优化技术平台的 Apollo3 Blue Plus开发板。图片由 Ambiq 提供 设计由在亚阈值电压下工作的晶体管电路组成的系统面临着一些艰巨的挑战。这些挑战可能包括

近日，中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD 2021）举行。据媒体报道，会上，台积电南京公司总经理罗镇球表示，台积电将于明年3月推出5nm汽车电子工艺平台，汽车工艺产品会符合所有汽车安全规则。同时，他还透露，台积电将在2nm节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构并采用新的材料。罗镇球最后表示台积电从今年开始大幅提升资本开支，在2021年-2023年，会在已扩产的基础上投资超过1000亿美元。Nanosheet/Nanowire晶体管应该取代的是FinFET（鳍式场效应晶体管），不同于三星在3nm上直接上马GAA（环绕栅极晶体管），台积电3nm（至少第一代）仍延续FinFET

StudentZone— ADALM2000 Activity: MOS Differential Pair学子专区—ADALM2000实验：MOS差分对目标本次实验旨在研究使用增强模式NMOS晶体管的简单差分放大器。2021年6月学子专区文章中提出的关于硬件限制问题的说明对本次实验也是有效的。通过提高信号电平，然后在波形发生器输出和电路输入之间放置衰减器和滤波器（参见图1），可以改善信噪比。本次实验需要如下材料：►两个100 Ω电阻►两个1 kΩ电阻►两个0.1 μF电容（标记为104）图1.11:1衰减器/滤波器本次实验的所有部分都会使用该衰减器和滤波器。材料►ADALM2000主动学习模块►无焊面包板►跳线►两个10 k

是第三代宽禁带半导体材料中发展比较成熟的材料。近年来，迅速发展起来的以GaN、SiC 为代表的宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料，进行宽禁带半导体材料的相关技术研发正在成为全球半导体产业新的战略高地。近日，日本国家先进工业科学技术研究所（AIST）宣布，它成功地制造并验证了混合晶体管的制造和操作，该晶体管将使用GaN的高电子流动性晶体管和使用SiC的PN二极管整体集成在一起。研究结果由AIST先进电力电子研究中心电力设备团队高级研究员中岛明彦和原田信

① 机械调零。在通电前，先调整电表指示的机械零位。② 接通电源。按下电源开关，发光二极管灯亮，仪器马上作业，为确保功用安稳，可预热非常钟后运用。③ 将量程开关置于恰当量程，再参与丈量信号。若丈量电压不知道，应将量程开关置于最大档，然后逐步减小量程。④ 中选十V，1V，0.1V，十mV，1mV量程时，读数看表头中满刻度为十的表盘；中选30V，3V，0.3V，30mV，3mV量程时，读数看表头中满刻度为3的表盘。例如：中选用0.3V的挡位，读数时看满刻度为3的表盘，若此刻指针指在1的方位上，则实习丈量电压为有用值0.1V。图 沟通毫伏表⑤ 晶体管毫伏表运用时应笔直放置，待测信号经过信号线经输入插座进入晶体管毫伏表。⑥ 在丈量前要先估量