日本开发出GaN和SiC混合晶体管

摘要： 传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。 不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功 反而受其害 的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高，对性能的要求越来越高。 尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求，进一步改进

Analog Devices, Inc. (NASDAQ：ADI)今日宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司。ADI公司是业界领先的混合信号解决方案供应商，提供从数据转换器、时钟到控制/电源调节等电缆接入解决方案。 OneTree Microdevices的GaAs和GaN放大器具有业内最佳的线性度、输出功率和效率，收购该公司及产品组合后，使ADI公司能够支持下一代电缆接入网络的整个信号链。 该笔交易的财务条款未予披露。 Analog Devices和OneTree Microdevices强强联手，将占据独特优势地位，有助于应对当前有线电视运营商面临的带宽

中国电科（山西）碳化硅材料产业基地举行投产仪式。 中国电科党组书记、董事长熊群力指出，中国电科（山西）电子信息科技创新产业园是中国电科围绕半导体材料、装备制造产业领域在晋的战略布局。 中国电科（山西）电子信息科技创新产业园项目包括“一个中心、三个基地”。“三个基地”即中国电科（山西）碳化硅材料产业基地、中国电科（山西）电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）能源产业基地。 此前有消息称，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地将建成国内最大的碳化硅（SiC）材料供应基地。中国电科（山西）碳化硅产业基地一期项目于2019年4月1日开工建设，同年9月26日封顶，据此前山西综改示范区消息，一期项目建筑面积2.7万平方米，能容纳600台碳化硅

EPC团队将于3月15至19日在美国新奥尔良（New Orleans）举行的APEC 2020展览会上，进行11场关于氮化镓技术及应用的演讲 （参考下方图表）。此外，EPC展位（#1847）也会有多个终端客户最新的、基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的产品亮相。 48 V DC/DC转换器 在展会上，EPC将发布ePowerTM Stage系列集成电路，在单一硅基GaN芯片上集成了所有功能，为行业重新定义功率转换。氮化镓技术专家将展示ePowerTM Stage及分立式氮化镓器件如何能够提升48 V功率转换器的效率、缩小其尺寸及降低系统成本。该48 V转换器面向超纤薄并且具有高功率（可高达250 W）的笔记本电脑、具有

移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合国际Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵雷达应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业最高水平，且体积更小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。 QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业最高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦RF功率。此外，还有14瓦的 QPA2211D 和7瓦的 QPA2210D 选项。单个 MMIC PA 提供的线性功率越高，越有可能降低成

10月19日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源）。 该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。 新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产 ，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70

作为当下热门的 第三代半导体 技术， GaN 在 数据中心 、光伏、储能、 电动汽车 等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比，GaN具有更高的 开关 频率与更小的 开关损耗 ，但对驱动IC与 驱动电路 设计也提出了更高的要求。 按照 栅极 特性差异，GaN分为常开的耗尽型（D-mode）和常关的增强型（E-mode）两种类型；按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景， 纳芯微 推出了一系列驱动IC解决方案，助力于充分发挥GaN器件的性能优势。 01 耗尽型（D-mode）GaN 驱动方案 一、D-mode GaN类型与特点

本文编译自substainable-bus 碳化硅技术（SiC）正在进入电动客车市场。电子动力传动系统效率的提高是采用这种技术带来的主要优势。最近，宇通和Solaris已经宣布他们选择使用碳化硅技术的逆变器。 我们与Cree | Wolfspeed电力产品营销与应用高级主管Guy Moxey讨论了碳化硅技术在电动客车领域的应用。 Guy Moxey 碳化硅技术应用于电动公共汽车（和一般的公共交通）市场有哪些优点？ 与硅基半导体相比，碳化硅半导体的单位尺寸功率更大，开关损耗显著降低，开关频率更高。这意味着，能源的转化效率可以达到99%以上，大大减少了能源损失，在减少二氧化碳排放方面发挥了重要作用。对于电动汽车，