英特尔大连厂8月1日奠基 2010年引进65纳米技术

从英特尔相关人士处获悉，英特尔斥资25亿美元投资的大连工厂，将于8月1日奠基。该工厂将于2010年引进65纳米技术。

大连厂8月1日奠基

据该人士透露，英特尔大连厂将于8月1日奠基，这意味着该工厂8月开始进入正式运营阶段。

在今年3月26日，英特尔CEO保罗-欧德宁在人民大会堂宣布，投资25亿美元在大连建立亚洲首个300毫米晶圆的工厂。根据英特尔的计划，该工厂将于今年年底动工，预计将在2010年上半年投产。项目建设期为5年，建成投产后，该工厂每月将能生产52000片12寸90纳米集成电路芯片。

6月28日，该工厂在大连已经通过国家有关部门验收。英特尔公司中国区发言人张怡璠表示，大连芯片工厂的验收与封关运行，对英特尔在中国快速发展大有好处。

2010年引进65纳米技术

至于英特尔大连厂未来将采用第几代技术，6月30日，英特尔公司副总裁、中国区总经理杨旭在接受搜狐IT独家采访时称，英特尔大连厂2010年引进65纳米技术并不成问题，只需要美国相关政府部门批准通过即可。

据了解，美国政府对于高科技出口有着严格的限制。英特尔当初决定在大连建厂时，曾与美国政府达成一项协议，即英特尔引入中国的芯片技术，必须比美国市场晚两代。

而按照英特尔CPU架构和制造工艺更新的规划，公司每两年对其更新一次。而到2010年，英特尔将有采用最新32纳米技术的CPU架构和制造工艺出炉。

“根据英特尔与美国政府达成的‘引入中国的芯片技术比美国市场晚两代’的协议，65纳米技术与32纳米技术正好相差两代。2010年引入65纳米技术符合美国政府的相关规定。”杨旭说。

据悉，在本季度，英特尔生产的CPU中94%均为65纳米技术。2007年下半年英特尔将使用45纳米技术生产酷睿第二代产品。它使得台式机在图形相关应用方面获得15%左右的性能提升，在游戏方面获得超过40%的性能提升。同时，漏电率降低10倍，晶体管密度提高2倍，而更新一代的32纳米技术将在2009年推出。