业内呼唤新型存储技术，纳米技术找到大舞台

斯坦福大学集成系统中心主任Yoshio Nishi表示：随着存储位组将包揽绝大多数未来的SoC系统级芯片方案，业内需要新型的存储技术来控制功耗。他在IEEE 2006硅纳米电子论坛上称：“到2016年，芯片将几乎全部是存储器，几乎所有功耗将来自存储器。”

Nishi表示，一些当前大受欢迎的存储技术，如相位改变存储(PCM)，会遭遇功率局限的问题。Nishi对PCM抱有疑虑，因为它需要热能来使存储位状态复位。随着位密度增加，相位改变技术可能消耗太多功率。

Nishi在大学的部门正在研究一种阻抗形式的存储器，称为电导桥、阻抗变化存储器，包含位之间的金属链。类似的方法可能会被用于新型逻辑。一些商业公司也在研究阻性RAM概念，包括一家初创企业Unity Semiconductor Corp.。

据Nishi称，在10或15年内，3D电路将成为常规技术。应用3D技术将“对设计和版图产生主要影响。”由于在关断状态下越来越难以限制电流耗散，静态RAM和动态RAM可能会被“新型通用存储器”所取代。