三星发布60纳米NAND闪存写入速度提高一倍-电子工程世界

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　　6月28日消息三星周二发布了它的首款60纳米NAND产品2Gb OneNAND芯片，该芯片持续读取数据速度为每秒108MB，持续写入能力为每秒17MB；如果把8片这种闪存芯片整合在一起，其写入速度可达每秒36MB。

　　据dailytech网站报道，英特尔4月份宣布了其首款70纳米OneNAND产品，但节点缩小到60纳米还使新OneNAND数据写入速度一下子由每秒9.3MB跃升至每秒17MB。这主要是因为70纳米OneNAND产品每芯片最大容量只有1Gb，而60纳米产品每芯片最大容量可达2Gb。

　　三星半导体闪存产品营销部主管Don Barnetson说：“由于性能和容量表现突出，我们的OneNAND存储产品市场正在迅速扩大。随着60纳米技术的应用，这些优势就更引人瞩目了。”

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