中国北京, 2007 年 12 月 10 日: 诺发系统宣布举办第一届复旦－诺发国际铜互连技术研讨会最佳研究生论文竞赛。
由复旦－诺发互连研究中心赞助的最佳研究生论文竞赛将在复旦－诺发国际铜互连技术研讨会期间举行，此项每年春季举行的竞赛将为在校研究生、研究人员以及全球半导体专业人士提供一个讨论新型的、令人振奋的半导体制造技术的平台。同时，此次竞赛也标志着该研讨会将进入第五届。
入选文章作者将获得相应奖励：奖项共设金奖一名、银奖两名、铜奖三名。
复旦－诺发互连研究中心此次举办的2008 年研讨会最佳研究生论文竞赛的参赛领域包括：
·半导体制造和互连工艺中的新技术；
·Cu/Low k 集成技术；
·面向45nm及以下技术节点的PVD/CVD/ALD扩散阻挡层和铜籽晶层；
·CMP材料和制造技术；
·干法工艺（沟槽结构和双镶嵌工艺，干法刻蚀工艺，等离子体造成的损伤，等）
·先进介质材料（低介电常数介质，高介电常数介质，抗反射薄膜等）以及薄膜淀积工艺进展；
·先进电镀技术；
·金属化的可靠性研究；
·先进图像转移技术。
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