约翰·巴丁(John Bardeen) – 传记-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

约翰·巴丁1908年5月23日生于威斯康星州麦迪逊市。

他在大学高中读了几年书，1923年从麦迪逊市中心高中毕业。接着在威斯康星大学读电子工程，在那里他自学了数学和物理。期间一度在芝加哥的西部电器公司(Western Electric Company)的工程部上班，1928年他获得了电子工程的理学学士学位。毕业后，他继续在威斯康星作了两年的电子工程研究助手，研究应用地球物理和天线辐射中的数学问题。在这段期间他第一次从范弗·雷克(J.H. Van Vleck)教授那里接触到了量子论。

利奥·J·彼得(Leo J. Peters)教授在宾夕法尼亚州的匹兹堡市的海湾研究实验室(Gulf Research Laboratories)谋了个位子，在这里完成了他的地球物理的研究。巴丁博士跟随他在随后的3年里(1930-33)进行磁和重力场测量的研究。这是一个令人兴奋的时期，这时地球物理的方法首次用来探测油矿。

由于觉得自己的兴趣在理论科学上，巴丁博士1933年从海湾辞职，转到普林斯顿大学从事数学物理研究。就是在这里，在维格纳(E.P. Wigner)教授的领导下，他第一次对固态物理学产生了兴趣。在完成他的论文(《论金属功能函数的理论on the theory of the work function of metals》)之前，他被哈佛大学的研究学会(the Society of Fellows)授予了初级研究员(Junior Fellow)的职位。他又在那里和范弗勒克(Van Vleck)教授和布里奇曼(Bridgman)教授工作了3年，研究金属的内聚性和电子传导，也做了一些原子核的水平密度研究。博士学位是普林斯顿大学在1936年授予的。

1938年到1941年巴丁博士在明尼苏达大学做副教授，1941年到1945年他在华盛顿特区海军兵器实验室(Naval Ordnance Laboratory)做聘用物理学家。二战时期，他做水下武器装备和扫雷的研究。二战后，他加入了贝尔电话实验室(Bell Telephone Laboratories)的固态研究组，一直到1951年，这一年他被聘为伊利诺斯大学的电子工程和物理学教授。1959年成为了大学高级研究中心的成员。

1945年以后巴丁博士的主要研究领域是半导体和金属的电子传导，半导体的表面属性，超导理论，固态的原子扩散现象。

1956年诺贝尔物理学奖授予约翰·巴丁，华特·豪舍·布拉顿(Walter H. Brattain),威廉·肖克利(William Shockley)以表彰他们，“对半导体的研究和晶体管效应的发现”，荣誉同样授予贝尔电话实验室。1957年，巴丁和两个同事库珀(L.N. Cooper)和施里弗(J.R. Schrieffer)提出了首个超导现象的成功解释，超导现象自从1908年被发现以来一直是一个谜。那以后他的大部分研究致力于超导理论的扩展和应用。

约翰·巴丁死于1991年1月30日。

关键字：辐射传导原子超导编辑：汤宏琳引用地址：https://news.eeworld.com.cn/news/enterprise/200712/19914.html

上一篇：晶体管发明人之一Walter H. Brattain
下一篇：硅谷第一公民：晶体管之父威廉肖克利

推荐阅读

华润微CMOS生产新工艺适应了太空高辐射环境

对于应用于离子辐射环境下的集成电路，比如应用于太空，核电站，环境探测等领域，辐射会对集成电路造成验证破坏。因此需要对半导体器件进行工艺加固，以提高集成电路的抗辐射性能。目前，主流的集成电路都是采用CMOS(互补金属氧化物半导体)架构，CMOS主要有NMOS和PMOS两种类型。而辐射造成的电离损伤主要形成电离正电荷，所以对于PMOS来说，只会造成瞬间集成电路速度变慢，不会产生破坏性结果，随着复合时间拉长会自动恢复。但是对于NMOS来说，会对集成电路形成破坏性损伤。这也是由于传统的标准CMOS集成电路制造技术制造的芯片，不具备抗辐射能力，因此，辐射产生瞬间阈值电压漂移会造成集成电路漏电甚至器件误开启，电路误翻转等问题。为实现可应用

发表于 2021-11-29

华润微CMOS生产新工艺适应了太空高<font color='red'>辐射</font>环境

超实用的热像仪使用小技巧来啦

福禄克红外热像仪广泛应用于电气设备维护、建筑检测及维护、研发与品质管理等多个领域，在检测过程发挥重大作用。不知道大家在使用中遇到“拦路虎”没？今天安泰测试就给大家分享一下超级实用的热像仪使用小技巧，希望对大家有所帮助。1、对于狭窄空间内的目标检测，能否用镜子反射被测物辐射来进行检测？答：镜子对红外能量反射率不高，建议使用抛光金属来进行反射，在检测时还需要精确调整反射角度。Fluke PTi120口袋热像仪和TiS20+/60+系列2、热像仪能否对运动中的设备进行检测？对被测物体的运动速率是否有限制？答：这取决于被测物体相对于热像仪的运动速率，如果被测物体的运动速率小于 20 公里 / 小时，可以用 9Hz以下帧频的热像仪

发表于 2021-11-26

泰克示波器TBS2102B在辐射检测模块测试的应用

客户需求：想要实现硅光电倍增管的辐射光信号转电信号测量，辐射检测模块中，除了SiPM裸管之外，还至少会集成高压电源和分压电路。其中高压电源中使用的振荡电路(Oscillation Circuit) 会带来额外微小的电压抖动，继而使得加在PMT上的高压、PMT的增益以及最终输出的信号上都会出现相应的抖动，基于测试工程师描述，测量信号电压很小，频率在几百KHz，信号上升时间几百ns到几us级别信号，需要看光子检测效率或PDE 量化了SiPM检测光子的能力。推荐方案：安泰测试推荐使用泰克示波器TBS2102B，具有低噪声设计、优异的信号完整性、测量精准可靠、100MHz带宽、最高2GS/s采样率、5M记录长度等特点，跟进测量信号可以用

发表于 2021-11-08

泰克示波器TBS2102B在<font color='red'>辐射</font>检测模块测试的应用

耐辐射FPGA具备高可靠性和可重构性

耐辐射FPGA具备高可靠性和可重构性，助力解决航天器设计中的挑战在挑选现场可编程门阵列（FPGA）半导体产品时，卫星和航天器系统设计人员有几种不同的选择。一种是选择商用现货（COTS）组件，这种做法可降低组件单位成本，缩短交付时间，但可靠性通常不足，必须进行筛选（导致成本和工程资源增加），并且需要使用软硬三重模块冗余（TMR）来减轻空间辐射效应。对于要求不能出现故障的任务，设计人员通常会选择采用抗辐射设计（RHBD）技术的FPGA，虽然成本较高，但这类产品经过筛选和认证，符合合格制造商清单（QML）Q类和V类标准。QML V类是航天用半导体的最高认证标准。载人任务和安全关键型任务依靠QML-V组件降低故障风险。提高

发表于 2021-10-27

耐<font color='red'>辐射</font>FPGA具备高可靠性和可重构性

传导辐射测试中分离共模和差模辐射的实用方法

简介：开关稳压器的EMI分为电磁辐射和传导辐射(CE)。本文重点讨论传导辐射，其可进一步分为两类：共模(CM)噪声和差模(DM)噪声。为什么要区分CM-DM？对CM噪声有效的EMI抑制技术不一定对DM噪声有效，反之亦然，因此，确定传导辐射的来源可以节省花在抑制噪声上的时间和金钱。本文介绍一种将CM辐射和DM辐射从LTC7818控制的开关稳压器中分离出来的实用方法。知道CM噪声和DM噪声在CE频谱中出现的位置，电源设计人员便可有效应用EMI抑制技术，这从长远来看可以节省设计时间和BOM成本。图1. 降压转换器中的CM噪声路径和DM噪声路径图1显示了典型降压转换器的CM噪声和DM噪声路径。DM噪声在电源线和返回

发表于 2021-09-27

<font color='red'>传导</font>辐射测试中分离共模和差模辐射的实用方法

Socionext 和合作伙伴发表半导体软误差之间的差异

Socionext 和合作伙伴发表由宇宙射线介子和中子引起的半导体软误差之间的差异，建立环境辐射评价与对策的技术Socionext Inc.与高能加速器研究组织材料结构科学研究所、京都大学综合辐射与核科学研究所、大阪大学信息科学与技术研究生院经共同研究，首次成功证明介子和中子引起的半导体器件的软误差具有不同的特性。该研究小组对日本质子加速器研究中心 (J-PARC)材料和生命科学设施 (MLF) 的μ 子科学设施 (MUSE)、京都大学研究中心(KUR)的热中子束和大阪大学核物理研究中心 (RCNP) 的高能中子束进行了负μ子束和正μ子束照射半导体器件的实验反应堆。课题组通过使用多种类型的量子束，实现了对宇宙射线μ子和中子对环境

发表于 2021-09-07