iSuppli预测：供应过剩将使NAND闪存及DRAM行情进一步恶化

美国iSuppli公布预测结果，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。恶化的原因在于供应过剩和价格暴跌。

NAND闪存方面，预计全球市场上每512Mbi的平均单价将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所高。但是在第四季度，随着价格下跌，行情出现恶化，短期内很难恢复。iSuppli分析，此次价格下跌的主要原因不是需求的增加，而是韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存引起的供应过剩。

DRAM的行情方面，受到预想之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季节需求低迷的影响，预计将进一步恶化。2007年9月以后，DRAM的市场价格降至生产成本以下，512Mbit容量DDR2产品的价格已经崩溃。在亚洲市场上，现货价格已经跌破1美元。受到此次价格下跌的影响，2007年第四季度DRAM厂商的业绩预计将趋于恶化，DRAM市场整体收益的恶化将持续至2008年第一季度。

不过，iSuppli预测，在今后几个季度内，内存市场将会逐渐恢复。在库存减少及产量（按bit换算）减少的推动下，DRAM市场将首先恢复，多数厂商将在2008年第二季度实现盈利。另一方面，NAND闪存的行情在第二季度仍将恶化，到第三季度将开始反弹。但是，这一预测的前提是内存厂商不进行会导致DRAM价格进一步下跌的增产，市场的恢复也可能会因厂商的动向而推迟。