锁定新一代DRAM，奇梦达与尔必达联手

　　奇梦达(Qimonda)与尔必达(Elpida)日前签定共同开发技术合作意向书，将联手开发新一代的存储器芯片(DRAM)。在此项合作计划，奇梦达将提供其Buried Wordline的关键技术，尔必达则将提供其堆迭技术。

　　此项策略技术合作将可结合两家公司的力量，加速在DRAM 4F2 cell尺寸产品蓝图的发展。两家公司计划将在2010年推出此共同开发、达到堆迭技术世代的创新4F2 cell概念，未来并将进一步推展至30纳米世代。

　　奇梦达公司总裁暨执行长罗建华表示：“此项与尔必达的策略合作是对我们Buried Wordline技术的最大肯定，奇梦达并希望藉由此项合作关系加速小尺寸4F2 cell的推出。”

　　尔必达社长暨执行长本幸雄(Yukio Sakamoto)表示：“我们在研发上持续的努力，使我们能够在DRAM技术上保持领先。在目前既艰困又高度竞争的市场环境下，更快及更有效能的研发新技术愈趋重要。”

　　两家公司计划共同发展技术平台及设计规范，以促成产品交换及合资生产的可行性。双方也锁定在各自的日本广岛及德国德勒斯登厂，密切合作研发计划，包括双方工程师的互换交流。此外，双方也同意在直通硅晶穿孔技术(Through Silicon Via)及未来存储器的领域中，寻求共同发展的机会。

　　继日前的合作意向书后，奇梦达及尔必达预计于适当的时间内，完成相关协商及确认合约细节。