国内首个256位分子存储器电路问世-电子工程世界

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　　近日，中国科学技术大学国家同步辐射实验室用户微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室的研究人员，在深入研究不同转变机理的各种电阻转变型双稳态材料基础上，利用合肥光源的两次X射线曝光技术，成功研制了国内首个256位分子存储器电路。这一进展为我国分子电路的高集成度、高速度和低功耗的实现奠定了重要基础，有力推动了我国分子电子学的发展。

两次同步辐射X射线曝光技术作为该器件研制过程中的关键工艺和关键技术，显示出合肥光源在实用型研究工作中发挥越来越重要的作用，同时也表明合肥光源对国家战略需求和高技术应用领域研究工作的支撑能力有明显提升。

　　左图为256位分子存储器的原子力显微镜照片，右图为分子存储器的电学性能

　　左图为二次掩膜照片，右图为分子存储器的下电极照片，均采用X射线曝光得到

关键字：集成电阻转变稳态辐射射线电极编辑：汤宏琳引用地址：国内首个256位分子存储器电路问世

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