海力士关闭200mm晶圆“M7”DRAM工厂

　　韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，将提前关闭生产效率低于300mm晶圆的200mm晶圆工厂的计划英文发布资料。由此，DRAM和NAND闪存的大部分生产移至300mm晶圆工厂，以稳定财务状况并提高收益性。

　　海力士半导体现有5家200mm晶圆工厂。分别为韩国仁川的“M7”、清州的“M8”和“M9”、美国俄勒冈州尤金的“E1”以及中国无锡的“HC1”。海力士半导体已经宣布停止“HC1”、“E1”和“M9”工厂的生产，此次又宣布关闭只生产DRAM的M7工厂。该工厂预定于2008年9月底之前关闭。

　　最后一个200mm晶圆工厂M8，预定缩小当初计划的月产13万片的生产规模。将专门生产特殊用途的产品。这样，预计09年初，200mm晶圆工厂的总产量将低于该公司总产能的10％以下。与07年底200mm晶圆工厂产量占该公司总产能的50％相比，大幅降低。

　　通过关闭200mm晶圆工厂，该公司截至09年初的产能将比08年第二季度减少30％。DRAM的产能为20％，NAND闪存的产能为40％，均有减少。

　　海力士半导体将通过把200mm晶圆工厂的生产转移至300mm晶圆工厂来提高技术的先行性和成本竞争力，以强化其大型企业的地位。