Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET-电子工程世界

器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET，占位面积8mm x 8mm。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 4 月1 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V TrenchFET®功率MOSFET-SQJQ402E，目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装，实现大电流，并能节省空间和功耗的方案。该款40V TrenchFET®功率MOSFET是业内首颗使用这种8mm x 8mm占位，通过AEC-Q101认证的MOSFET，首次采用带有能释放机械应力的鸥翼引线的8mm x 8mm封装。

SQJQ402E可在+175℃高温下工作，为电机驱动、电动助力转向、传动控制和喷油驱动等汽车应用提供所需的耐用性和可靠性。器件PowerPAK 8x8L封装的内部结构使电感最小化，在10V和4.5V下的最大导通电阻为1.5mΩ和1.8mΩ，连续漏极电流高达200A。SQJQ402E表明了Vishay的MOSFET发展路线，这些MOSFET让设计者在大量汽车应用里能发挥这种封装的优点。

今天发布的器件还采用为减小PCB焊点应力而专门设计的鸥翼引线，这种应力是由宽温工作引起的，在汽车应用里会经常碰到。这种方法已经在Vishay更小的5mm x 6mm PowerPAK SO-8L封装中得到成功应用。D2PAK和DPAK封装含铅，而PowerPAK 8x8L超越了目前的RoHS标准，是完全无铅的。

为了节约PCB空间，降低成本，并在通常需要多个MOSFET的应用中实现更小和更轻的模块，SQJQ402E具有与采用D2PAK封装的器件近似的导通电阻和更高的连续电流，而占位面积小60%，高度低60%。与采用DPAK封装的器件相比，SQJQ402E的导通电阻低一半，电流是其两倍，高度低21%，占位仅仅多12%，能有效降低功耗。

SQJQ402E现可提供样品，将在二季度实现量产，大宗订货的供货周期为十三周到十四周。

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