创新的ATPAK P沟道功率MOSFET用于汽车应用-电子工程世界

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推荐阅读最新更新时间：2024-07-25 19:25

随着电子产品的迅速发展，常规的硅半导体、砷化镓等器件越来越无法满足高温、热导率、抗辐射性等需求。以碳化硅、氮化镓为代表的宽带隙半导体材料由于具备禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特性，使其在光电器件、高频大功率器件等方面倍受青睐，被誉为前景广阔的第三代半导体材料。近年来，在全球范围寻求解决供电问题的大背景下，涉及到如何有效地输送并利用所发电力的功率转换备受关注。SiC功率器件作为可显著减少这种功率转换时的损耗的关键器件而备受瞩目。目前，SiC模块推向市场的主要目的就是用来IGBT模块，但是由于成本过高，量产困难，一直都很难打开市场。今年来，随着半

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第三代SiC-<font color='red'>MOSFET</font>器件登场！ROHM能否改变SiC市场格局

大联大友尚推出安森美先进的脉冲频率调制（PFM）控制器

2017年12月21日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出ON Semiconductor（原Fairchild）旗下一款先进的脉冲频率调制（PFM）控制器---FAN7688，用于提供业界最佳隔离DC/DC转换器效率，其包含同步整流功能（SR）的LLC谐振转换器。图示1-大联大友尚推出的安森美的脉冲频率调制（PFM）控制器FAN7688系统架构图 FAN7688是用于具有同步整流（SR）的LLC谐振转换器的先进的脉冲频率调制（PFM）控制器，为隔离的DC/DC转换器提供最佳的效率。它采用电流模式控制技术在电荷控制上，其中来自振荡器的三角形波形与集成开关电流信息组合以确定开

[半导体设计/制造]

飞兆半导体MicroFET™ MOSFET满足便携设计需求

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。设计人员使用这一行业领先的产品系列，能够挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择，包括单P沟道和肖特基二极管组合，单N沟道和肖特基二极管组合、双P沟道、双N沟道、互补对(complementary pair)、单N沟道和单P沟道器件。这些MicroFET MOSFET采用飞兆

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安森美RSL10智能拍摄相机平台，实现超自动化效能

安森美半导体，推出RSL10智能拍摄相机平台，结合云端AI与超低功耗图像捕获和识别，实现新一代IoT端点。 RSL10 智能拍摄相机平台将基于AI的图像识别功能添加到超低功耗IoT端点，如监控摄像机、受限区域、工厂自动化、智能农业和智能家居。配套的智能手机应用程序为该平台提供用户接口，并作为基于云的、AI赋能的物体识别服务的网关。该平台汇集了安森美半导体的多项创新，包括提供超低功耗蓝牙低功耗技术的RSL10 SIP，以及ARX3A0 Mono 65° DFOV IAS模块。该模块是紧凑的原型，用于开发基于ARX3A0 CMOS图像传感器的360 帧/秒(fps)黑白成像的紧凑型摄像机。这些技术辅以先进的运动和环境

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巧妙提升数字控制电源性能的利器—MOSFET驱动器

在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 UCD9110或UCD9501等新上市的数字电源控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET驱动器的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件冲突。当然，这种争议会阻碍数字控制电源以及查找控制器故障期间功率级保护策略的推广。这推动了不依赖数字电源控制器信号的具备功率级内部保护功能的MOSFET驱动器的发展。集成的超快速电流限制功能 UCD7K MOSFET驱动器接收到

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安森美将携全面的智能图像感知方案亮相Vision China 2019

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ON )，将于3月20日至22日在上海举行的中国国际机器视觉展(Vision China)演示各种智能图像感知方案，展品包括 X-Class图像传感器平台、 KAI-50140 interline transfer CCD图像传感器、采用近红外(NIR+)技术的 AR0522 CMOS图像传感器，和 AR0234 CMOS数字图像传感器。随着工业成像应用如机器视觉检测和工业自动化的需求持续推进，安森美半导体充分利用其领先行业的技能和技术一直在图像传感器的设计和性能进行创新，以解决这不断增长市场的需求。安森美半导体的X-Cla

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安森美推出低功耗安全无线MCU RSL15,刷新EEMBC记录

在当今的嵌入式计算世界中，电源效率可以说是微控制器单元 (MCU)最重要的指标之一。这种需求导致许多公司不断推动电源效率方面的最新技术，其中许多公司不断声称“行业第一”或“同类最佳”的性能。有时很难区分是营销还是产品本身的独特性，所以最好的方法就是评分。日前安森美宣布推出RSL15 蓝牙低功耗 (BLE) MCU。这种新的 MCU 被设计成一个超低功耗、高安全性的处理器，结合了 BLE 5.2 连接。为了实现这一点，MCU 提供了高可靠的集成，包括： 48 MHz Arm Cortex M33 内核内置电源管理电路 RF（射频）子系统 RF 子系统具有 2.4 GHz 前端、低功耗低噪声放大器 (LNA)、功率放

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高压功率VDMOSFET的设计与研制

随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善，功率VDMOSFET设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展，成为目前新型电力电子器件研究的重点。本文设计了漏源击穿电压为500 V，通态电流为8 A，导通电阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通过工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI进行联合优化仿真，得到具有一定设计余量的参数值。最后在此基础上进行生产线工艺流片，逐步调整部分工艺条件，最终实现研制成功。 1 VDMOSFET工作原理 VDMOSFET是电压控制器件，在栅极施加一定的电压，使器件沟道表面反型，形成连接源区和漏区的导电沟道。基本工作原理如图1。当栅源电压VGS

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