12月20日，冬日暖阳惹人醉，青铜剑科技又迎来一批远道而来的客人，株洲中车时代电动汽车股份有限公司陈竹部长和张旭辉博士等嘉宾莅临青铜剑科技，董事长汪之涵博士、总工程师高跃博士、副总裁傅俊寅等公司领导与来访嘉宾畅谈交流，现场气氛热烈。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。
中国中车技术专家莅临青铜剑科技考察交流
研发总监黄辉向嘉宾介绍了青铜剑科技发展历史，自2009年成立以来公司专注于电力电子器件领域，产品广泛应用于新能源发电、轨道交通、智能电网、新能源汽车、工业节能、国防军工等六大领域，服务超过300家客户，截至2017年底IGBT驱动光伏装机容量达到30GW，现已发展成为国内IGBT驱动领军品牌。
交流会上，双方技术专家针对IGBT驱动和碳化硅驱动的前沿技术进行了深入探讨。目前IGBT器件仍然统治着高压功率应用市场，但是新兴的碳化硅器件发展不可小觑。因为碳化硅绝缘破坏电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作频率更高，也能够耐受更高的环境温度。青铜剑科技目前推出了新型碳化硅驱动，将依托自身优势与中国中车展开全方位的深入合作，不断研发高性能及高可靠性的前沿器件，来满足电力电子市场的不同应用。
会后青铜剑营销总监陈恒星陪同陈部长和张博士一行参观了青铜剑研发部门和工厂车间，介绍了生产制造的各个环节。青铜剑科技力求精益求精，制定了严格的质量管理体系，贯穿从设计、原材料、生产、测试到出货的整个制造过程，各部门严格按照质量体系的要求运作，保障符合客户需求的高品质产品。青铜剑每件产品都有唯一的序列号，相关信息保存在数据库，通过二维码实现全程可追溯。公司配备了专业的技术支持工程师团队，提供 7*24小时热线支持，72小时内上门服务，随时为客户解决前期咨询、安装调试、故障分析等各类问题。
中国中车技术专家莅临青铜剑科技考察交流
用心服务客户，用品质和口碑赢得市场，近年来青铜剑科技与中国中车在新能源等领域持续开展合作，通过此次考察交流双方达成共识，将立足优势互补协同发展，双方合作即将迈入新的发展阶段。
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关键字：IGBT 碳化硅驱动
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中国中车技术专家莅临青铜剑科技考察交流
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采用IGBT设计UPS的技术方案
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1. 引言 在 UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为UPS 功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥IGBT 的优点。本文介绍UPS 中的IGBT 的应用情况和使用中的注意事项。 2. IGBT 在UPS 中的应用情况 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET 与双极晶体管复合的器件。据东芝公司资料，1200V/100A 的IGBT 的导通电阻是同一耐压规格的功率MOSFET 的1/10，而开关
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