TrendForce报告指出,电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预估在2021年电动汽车将突破800万辆,为2018年的两倍。
集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,除了电池与发动机外,电动汽车关键零组件以IGBT功率元件最为重要,其使用量约为传统内燃机引擎汽车的5至10倍之多,因此电动汽车的发展将带动IGBT市场总值持续成长,预估2021年IGBT的市场总值将突破52亿美元。
集邦咨询分析师徐韶甫指出,电动汽车使用到IGBT的装置主要有五项(包含逆变器、直流/交流电变流器、车载充电器、电力监控系统以及其他附属系统),其中,逆变器、直流/交流电变流器以及车载充电器对电动汽车性能表现影响最为关键。
在配合高电压高功率的工作条件下,功率元件的采用需替换成IGBT元件或IGBT模块,对IGBT元件的需求量最大;而电力监控系统与其他附属装置如水帮浦、空调压缩机等在设计上虽然与过往差异不大,但由于输入电源变更为高电压的车用电池,因此承受电力的功率元件也需更改为适合高电压工作范围的IGBT功率元件,这也提升了IGBT市场需求。
就供应链来看,电动汽车IGBT元件的主要IDM供应商为Infineon、ON Semiconductor、Fuji Electronic、STMicroelectronics、DENSO、比亚迪等。其中Infineon在整体IGBT市场市占率达三成居于首位,提供IGBT元件与IGBT模块;DENSO与比亚迪虽为汽车制造商,但对于电动汽车使用的IGBT元件也有自行设计制造的能力,是少数从汽车制造跨足半导体领域的厂商。
另外,由IDM厂委外代工IGBT组件供应链包含晶圆代工厂世界先进、茂矽等台系厂商,中芯、华虹半导体等陆系大厂则供应其国内需求。在电动汽车IGBT模块部分,有Mitsubishi、SEMIKRON、Danfoss、CRRC等专门从事IGBT模块化供应给客户。
根据集邦咨询的统计,2016年至2018年,电动汽车数量年成长率分别为28%、29%、27%(2015年以前的年成长率仅个位数),同时也推升IGBT总值大幅成长,2018年全球IGBT市场总市值规模约47亿美元,年成长率达16%。
然而,当前美中贸易谈判陷入僵局、美墨边境因非法移民问题也陷入关税纷争、英国脱欧以及中东局势的不稳定等因素也将提高全球市场经济下行的风险,进而导致全球汽车销售持续放缓,加上全球电动汽车最大单一市场的中国车市销售表现不如预期,恐将影响2019年下半年的电动车销售状况,进而冲击IGBT市场总值成长表现。预估2019年IGBT总值将达48.4亿美元,仅较2018年小幅成长约3%。
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大红大紫的IGBT持续疯涨,2021年有望突破52亿美元
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IGBT础知识大全
有关IGBT你了解多少,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
结构
IGBT结构图左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅
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采用IGBT的正弦波中频逆变电源
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引言
400Hz中频电源在工业、国防、航海、航空等领域中应用非常广泛。目前在我国,400Hz中频供电系统大多为中频机组,体积大,噪音高,效率低,管理不便。我们研制了一台用绝缘栅双极晶体管(IGBT)做为主功率开关器件的400Hz正弦波中频逆变电源,它具有体积小,重量轻,噪音低,转换效率高,工作可靠,使用方便等优点,是中频机组的理想替代新产品。
IGBT是新一代复合型电力电子器件,它的控制级为绝缘栅控场效应晶体管,输出级为双极功率晶体管,因而它兼有两者的优点而克服了两者的缺点,如高
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风口上的汽车半导体
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新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B
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1 概述
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