英飞凌推出1200 V SIC MOSFET 充分提高系统效率和可靠性-电子工程世界

据外媒报道，英飞凌公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC™技术，提高既定芯片面积的导通电阻。作为领先的碳化硅（SiC）芯片，这款CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H适用于一系列产品组合，将采用流行的Easy系列模块，以及使用.XT互连技术的离散封装。M1H芯片具有高度灵活性，适用于需要满足峰值需求的太阳能系统，如逆变器。该芯片也适用于电动汽车快速充电、储能系统和其他工业应用。

英飞凌推出1200 V SIC MOSFET 充分提高系统效率和可靠性

（图片来源：英飞凌）

CoolSiC基技术的最新进展，使栅极运行窗口明显增大，从而提升既定芯片面积的导通电阻。与此同时，更大的栅极运行窗口，针对与栅极驱动器和布局相关的电压峰值，提供高度稳健性，即使在更高的开关频率下也没有限制。除了M1H芯片技术，相关外壳还可用于技术和封装变体，以实现更高的功率密度，并为设计工程师提供更多选择，以提高应用性能。

M1H将集成到广受欢迎的Easy系列，以进一步完善Easy 1B和2B模块。此外，还将推出一款新产品，使用新的1200 V CoolSiC MOSFET来增强Easy 3B模块。所推出的新尺寸芯片可充分提升灵活性，以确保实现最广泛的工业组合。使用M1H芯片，可以显著提高模块的导通电阻，使器件更加可靠、高效。

此外，最高临时结温度为175°C，过载能力增强，从而实现更高的功率密度和故障事件覆盖范围。与其前身M1相比，M1H实现了较小的内部RG，从而轻松优化开关行为。M1H芯片保持了这种动态行为。

除了Easy模块系列，CoolSiC MOSFET 1200 V M1H产品组合，还通过TO247-3和TO247-4分立封装，提供新的超低导通电阻7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。这些新器件易于设计，特别是由于栅电压过冲和欠冲，新的最大栅源电压降至-10 V，并具有雪崩和短路能力。

以前在D 2PAK-7L封装中引入的.XT互连技术，现在也可在TO-封装中实现。与标准互连相比，散热能力提高了30%以上。受益于这种热效益，输出功率可提高达15%。另外，这还有助于增加开关频率，以进一步减少电动汽车充电、储能或光伏系统等应用中的无源组件，提高功率密度，并降低系统成本。在不改变系统运行条件的情况下，.XT技术将降低SiC MOSFET的结温度，从而显著提高系统寿命和功率循环能力。

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