恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP
借助MRAM,汽车厂商可以更高效地推出新功能,加速OTA升级,消除量产瓶颈
恩智浦计划于2025年初推出采用该技术的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品
荷兰埃因霍温——2023年5月22日——恩智浦半导体 近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中,汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件升级。利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合,为向软件定义汽车演进打造理想的硬件平台。
Flash存储器更新20MB的代码需要约1分钟时间,而MRAM只需3秒左右,最大限度地缩短软件更新带来的停机时间,汽车厂商能够消除模块长时间编程引起的瓶颈。此外,MRAM提供多达一百万个更新周期,耐久性超过闪存和其他新兴存储器技术的十倍,为汽车失效缺陷提供高度可靠的技术。
软件定义汽车允许汽车厂商通过OTA升级推出舒适、安全、便捷的新功能,延长汽车的使用寿命,增强汽车的功能性和吸引力,同时提高收益率。基于软件的功能在汽车中越来越普遍,更新频率相应增加,MRAM的速度和可靠性也将更加重要。
台积电的16FinFET嵌入式MRAM技术超越车规级应用的严格要求,具有一百万个更新周期的耐久性,支持回流焊,并且在150℃条件下,数据保留长达20年。
台积电业务开发资深副总裁Kevin Zhang博士表示:“恩智浦的创新人员总能迅速挖掘台积电新工艺技术的潜力,尤其是在高要求的汽车应用领域中。我们非常高兴能看到恩智浦的S32平台中采用我们先进的MRAM技术,赋能新一代软件定义汽车。”
恩智浦执行副总裁兼汽车处理器业务总经理Henri Ardevol表示:“恩智浦与台积电成功合作了数十载,始终如一地为汽车市场交付高质量嵌入式存储器解决方案。MRAM是恩智浦S32汽车解决方案产品组合的创新助力,将在新一代汽车架构中发挥重要的支持作用。”
上市时间
试验样品已生产完成,正在评估中。首批样品计划于2025年初为主要客户提供。
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